Проведено квантово-механическое моделирование начальной стадии роста Si на CrSi₂(0001). Рост осуществляли, путем порционного нанесения на замороженную при 0 K поверхность CrSi₂(0001), неплотного (порциями по 0.3 ML) или плотного (порциями по 1 ML) атомного конденсата Si с последующей его релаксацией под действием квантово-механических сил. Показано, что в первом случае формируются поверхностные фазы Si, состоящие из массива 2D и, затем, 3D кластеров Si c тетраэдрической sp³ связью. А во втором случае, происходит формирование твердофазного смачивающего слоя (ТСС) Si: сначала в виде псевдоморфного, а, затем, менее стабильного - полиморфного (по упаковке) слоя. Псевдоморфный твердофазный смачивающий слой, при этом, повторяет трехслойную упаковку (ABC) атомов в подложке CrSi₂(0001), а полиморфный твердофазный смачивающий слой, - кроме упаковки ABC, приобретает, дополнительно, двухслойную упаковку атомов AB. Обнаружено, что, по крайней мере, при 1-3 ML Si в твердофазном смачивающем слое Si на CrSi₂(0001) формируется спектр плотности электронных состояний, характерный для металла. Ключевые слова: двумерные фазы, твердофазные смачивающие слои, упаковка атомов, фазовый переход, квантово-механическое моделирование, Si, CrSi₂(0001).