Влияние толщины монокристаллической пленки SrTiO3 на ее структуру и диэлектрические параметры в диапазоне 0.3-1.5 THz
Павленко А.В.
1,2, Николаев Н.А.
3, Стрюков Д.В.
1, Рыбак А.А.
3, Бобылев В.А.
21Федеральный исследовательский центр Южный научный центр РАН, Ростов-на-Дону, Россия
2Южный федеральный университет, Ростов-на-Дону, Россия
3Институт автоматики и электрометрии Сибирского отделения РАН, Новосибирск, Россия

Email: Antvpr@mail.ru, nazar@iae.nsk.su, strdl@mail.ru, a.rybak1@g.nsu.ru, bobylev@sfedu.ru
Поступила в редакцию: 1 октября 2024 г.
В окончательной редакции: 20 октября 2024 г.
Принята к печати: 9 марта 2025 г.
Выставление онлайн: 23 апреля 2025 г.
На подложках Al2O3(001) с использованием метода ВЧ катодного распыления выращены монокристаллические тонкие пленки титаната стронция (SrTiO3, STO) различной толщины (h): 60, 120 и 270 nm. С использованием рентгено-дифракционного анализа установлено, что все пленки STO характеризуются псевдокубической ячейкой и имеют близкую деформацию элементарной ячейки. С помощью метода импульсной терагерцовой спектроскопии показано, что в диапазоне частот 0.3-1.5 THz пленки характеризуются практически отсутствием дисперсии действительной (ε') части диэлектрической проницаемости, но по мере снижения h имеет место существенный рост ε'. Ключевые слова: тонкие пленки, диэлектрические характеристики, гетероэпитаксия, STO, импульсная терагерцовая спектроскопия.
- L.W. Martin, A.M. Rappe. Nat. Rev. Mater., 2, 16087 (2016). DOI: 10.1038/natrevmats.2016.87
- K. Yao, S. Chen, S.C. Lai, Y.M. Yousry. Adv. Sci., 9, 2103842 (2022). DOI: 10.1002/advs.202103842
- M. Botea, C. Chirila, G.A. Boni, I. Pasuk, L. Trupina, I. Pintilie, L.M. Hrib, B. Nicu, L. Pintilie. Electronic Materials, 3, 2, 173 (2022). DOI: 10.3390/electronicmat3020015
- А.С. Анохин, С.В. Бирюков, Ю.И. Головко, В.М. Мухортов. Наука Юга России, 14, 1, 29 (2018). DOI: 10.23885/2500-0640-2018-14-1-29-34
- J. Petzelt, T. Ostapchuk, S. Kamba, I. Rychetsky, M. Savinov, A. Volkov, B. Gorshunov, A. Pronin, S. Hoffmann, R. Waser, J. Lindner. Ferroelectrics, 239, 1, 117 (2000). DOI: 10.1080/00150190008213313
- В.А. Гриценко, Д.Р. Исламов. Физика диэлектрических пленок: механизмы транспорта заряда и физические основы приборов памяти (Параллель, Новосибирск, 2017)
- M. Kozina, M. Fechner, P. Marsik, T. van Driel, J.M. Glownia, C. Bernhard, M. Radovic, D. Zhu, S. Bonetti, U. Staub, M.C. Hoffmann. Nat. Phys. 15, 387 (2019). DOI: 10.1038/s41567-018-0408-1
- R. Kinjo, I. Kawayama, H. Murakami, M. Tonouchi. Advances in Materials Physics and Chemistry, 3, 58 (2013). DOI: 10.4236/ampc.2013.31009
- T. Ostapchuk, J. Petzelt, V. Zelezny, A. Pashkin, J. Pokorny, I. Drbohlav, R. Kuzel, D. Rafaja, B.P. Gorshunov, M. Dressel, Ch. Ohly, S. Hoffmann-Eifert, R. Waser. Phys. Rev. B, 66, 235406 (2002). DOI: 10.1103/PhysRevB.66.235406
- Naoki Matsumoto, Takashi Fujii, Keisuke Kageyama, Hiroshi Takagi, Takeshi Nagashima, Masanori Hangyo. Jpn. J. Appl. Phys, 48, 09KC11 (2009). DOI: 10.1143/JJAP.48.09KC11
- A. Rybak, V. Antsygin, A. Mamrashev, N. Nikolaev. Crystals, 11, 2, 125 (2021). DOI: 10.3390/cryst11020125
- В.Д. Анцыгин, A.A. Мамрашев. Автометрия. 53, 6, 92-96 (2017)
- I. Fedorov, V. v Zelezn, J. Petzelt, V. Trepakov, M. Jeli nek, V. Trti k, M. v Cerv nansk, V. Studni. Ferroelectrics, 413, 208 (1998). DOI: 10.1080/00150199808014890
- P. Kuv zel, F. Kadlec, H. Nv emec, R. Ott, E. Hollmann, N. Klein. Appl. Phys. Lett., 88, 102901 (2006). DOI: 10.1063/1.2183370
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.