Вышедшие номера
Влияние толщины монокристаллической пленки SrTiO3 на ее структуру и диэлектрические параметры в диапазоне 0.3-1.5 THz
Павленко А.В. 1,2, Николаев Н.А. 3, Стрюков Д.В. 1, Рыбак А.А. 3, Бобылев В.А. 2
1Федеральный исследовательский центр Южный научный центр РАН, Ростов-на-Дону, Россия
2Южный федеральный университет, Ростов-на-Дону, Россия
3Институт автоматики и электрометрии Сибирского отделения РАН, Новосибирск, Россия
Email: Antvpr@mail.ru, nazar@iae.nsk.su, strdl@mail.ru, a.rybak1@g.nsu.ru, bobylev@sfedu.ru
Поступила в редакцию: 1 октября 2024 г.
В окончательной редакции: 20 октября 2024 г.
Принята к печати: 9 марта 2025 г.
Выставление онлайн: 23 апреля 2025 г.

На подложках Al2O3(001) с использованием метода ВЧ катодного распыления выращены монокристаллические тонкие пленки титаната стронция (SrTiO3, STO) различной толщины (h): 60, 120 и 270 nm. С использованием рентгено-дифракционного анализа установлено, что все пленки STO характеризуются псевдокубической ячейкой и имеют близкую деформацию элементарной ячейки. С помощью метода импульсной терагерцовой спектроскопии показано, что в диапазоне частот 0.3-1.5 THz пленки характеризуются практически отсутствием дисперсии действительной (ε') части диэлектрической проницаемости, но по мере снижения h имеет место существенный рост ε'. Ключевые слова: тонкие пленки, диэлектрические характеристики, гетероэпитаксия, STO, импульсная терагерцовая спектроскопия.
  1. L.W. Martin, A.M. Rappe. Nat. Rev. Mater., 2, 16087 (2016). DOI: 10.1038/natrevmats.2016.87
  2. K. Yao, S. Chen, S.C. Lai, Y.M. Yousry. Adv. Sci., 9, 2103842 (2022). DOI: 10.1002/advs.202103842
  3. M. Botea, C. Chirila, G.A. Boni, I. Pasuk, L. Trupina, I. Pintilie, L.M. Hrib, B. Nicu, L. Pintilie. Electronic Materials, 3, 2, 173 (2022). DOI: 10.3390/electronicmat3020015
  4. А.С. Анохин, С.В. Бирюков, Ю.И. Головко, В.М. Мухортов. Наука Юга России, 14, 1, 29 (2018). DOI: 10.23885/2500-0640-2018-14-1-29-34
  5. J. Petzelt, T. Ostapchuk, S. Kamba, I. Rychetsky, M. Savinov, A. Volkov, B. Gorshunov, A. Pronin, S. Hoffmann, R. Waser, J. Lindner. Ferroelectrics, 239, 1, 117 (2000). DOI: 10.1080/00150190008213313
  6. В.А. Гриценко, Д.Р. Исламов. Физика диэлектрических пленок: механизмы транспорта заряда и физические основы приборов памяти (Параллель, Новосибирск, 2017)
  7. M. Kozina, M. Fechner, P. Marsik, T. van Driel, J.M. Glownia, C. Bernhard, M. Radovic, D. Zhu, S. Bonetti, U. Staub, M.C. Hoffmann. Nat. Phys.  15, 387 (2019). DOI: 10.1038/s41567-018-0408-1
  8. R. Kinjo, I. Kawayama, H. Murakami, M. Tonouchi. Advances in Materials Physics and Chemistry,  3, 58 (2013).  DOI: 10.4236/ampc.2013.31009
  9. T. Ostapchuk, J. Petzelt, V. Zelezny, A. Pashkin, J. Pokorny, I. Drbohlav, R. Kuzel, D. Rafaja, B.P. Gorshunov, M. Dressel, Ch. Ohly, S. Hoffmann-Eifert, R. Waser. Phys. Rev. B,  66, 235406 (2002). DOI: 10.1103/PhysRevB.66.235406
  10. Naoki Matsumoto, Takashi Fujii, Keisuke Kageyama,  Hiroshi Takagi, Takeshi Nagashima, Masanori Hangyo. Jpn. J. Appl. Phys,  48, 09KC11 (2009). DOI: 10.1143/JJAP.48.09KC11
  11. A. Rybak, V. Antsygin, A. Mamrashev, N. Nikolaev. Crystals, 11, 2, 125 (2021). DOI: 10.3390/cryst11020125
  12. В.Д. Анцыгин, A.A. Мамрашев. Автометрия. 53, 6, 92-96 (2017)
  13. I. Fedorov, V. v Zelezn, J. Petzelt, V. Trepakov, M. Jeli nek, V. Trti k, M. v Cerv nansk, V. Studni. Ferroelectrics, 413, 208 (1998). DOI: 10.1080/00150199808014890
  14. P. Kuv zel, F. Kadlec, H. Nv emec, R. Ott, E. Hollmann, N. Klein. Appl. Phys. Lett., 88, 102901 (2006). DOI: 10.1063/1.2183370

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.