Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Формирование электроиндуцированных приповерхностных слоев в полярном направлении кристаллов триглицинсульфата
The work was carried out whithin the state assignment of NRC "Kurchatov Institute"
Аккуратов В.И.
1, Куликов А.Г.
1, Писаревский Ю.В.
1, Иванова Е.С.
1
1Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова, Курчатовский комплекс кристаллографии и фотоники, НИЦ "Курчатовский институт", Москва, Россия
Email: def_93@list.ru, ontonic@gmail.com, yupisarev@yandex.ru, ivanova.el.ser@gmail.com
Поступила в редакцию: 22 января 2025 г.
В окончательной редакции: 11 марта 2025 г.
Принята к печати: 12 марта 2025 г.
Выставление онлайн: 23 апреля 2025 г.
Методом рентгеновской топографии впервые получены изображения слоев пространственного заряда, формируемых в приповерхностных областях сегнетоэлектрического кристалла триглицинсульфата собственным и внешним электрическими полями вдоль полярного направления [010]. Указанные слои проявляются в увеличении интегральной интенсивности рентгеновского излучения, что указывает на формирование экстинкционного контраста для дифракционного отражения 060 с гораздо менее выраженными изменениями для 400. При повышении напряженности внешнего поля до 150 V/mm наблюдается рост интенсивности в данных областях и отсутствие изменений в центре кристалла, что указывает на компенсацию электрического поля в объеме за счет группировки свободных носителей заряда в слое толщиной порядка 1 mm. Эффект зависит от полярности и обратим при снятии внешнего электрического поля. Приложение поля вдоль неполярного направления [100] не вызывает изменений на топограммах. Ключевые слова: приповерхностный заряженный слой, рентгеновская дифрактометрия, рентгеновская топография, сегнетоэлектрики, внешнее электрическое поле, движение носителей заряда
- W. Kanzig. Phys. Rev. 98, 2, 549 (1955). DOI: https://doi.org/10.1103/PhysRev.98.549
- B.B. Tian, Y.Liu, L.F. Chen, J.L.Wang, S. Sun, H. Shen, J.L. Sun, G.L. Yuan, S. Fusil, V. Garcia, B. Dkhil, X.J. Meng, J.H. Chu. Sci. Rep. 5, 1, 18297 (2015). DOI: https://doi.org/10.1038/srep18297
- Д.А. Золотов, А.В. Бузмаков, Д.А. Елфимов, В.Е. Асадчиков, Ф.Н. Чуховский. Кристаллография 62, 1, 12 (2017)
- А.Г. Куликов, Н.В. Марченков, А.Е. Благов, К.Г. Кожемякин, М.Ю. Насонов, С.С. Пашков, Ю.В. Писаревский, Г.Н. Черпухина. Акустический журнал 62, 6, 675 (2016)
- Н.И Снегирёв, А.Г. Куликов, И.С. Любутин, А.Ю. Серегин, С.В. Ягупов, М.Б. Стругацкий. Письма в ЖЭТФ 119, 6, 452 (2024)
- Э.С. Ибрагимов, А.Г. Куликов, Н.В. Марченков, Ю.В. Писаревский, А.Е. Благов, М.В. Ковальчук. ФТТ 64, 11, 1760 (2022). DOI:
- А.Г. Куликов, А.Е. Благов, Н.В. Марченков, В.А. Ломонов, А.В. Виноградов, Ю.В. Писаревский, М.В. Ковальчук. Письма в ЖЭТФ 107, 10, 679 (2018)
- J. Hanzig, M. Zschornak, F. Hanzig, E. Mehner, H. Stocker, B. Abendroth, C. Roder, A. Talkenberger, G. Schreiber, D. Rafaja, S. Gemming, D.C. Meyer. Phys. Rev. B. 88, 024104 (2013). DOI: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.88.024104
- V. Akkuratov, A. Kulikov, Yu. Pisarevsky, A. Blagov, M. Kovalchuk. J. Appl. Crystallogr. 56, 1, (2023). DOI: 10.1107/S1600576722012183
- В.В. Лидер. ФТТ 63, 165 (2021). DOI: 10.21883/FTT.2021.02.50461.212
- D. Bowen, B. Tanner. High resolution X-ray diffractometry and topography. CRC press. (1998). 252 с
- C. Bowen, J. Taylor, E. Leboulbar, D. Zabek, A. Chauhan, R. Vaish. Energy Environ. Scie. 7, 10 (2014). DOI: https://doi.org/10.1039/C4EE01759E
- R.W. Whatmore. Rep. Prog. Phys. 49, 12 (1986). DOI: 10.1088/0034-4885/49/12/002
- S. Fletcher, E. Keve, A. Skapski. Ferroelectrics 14, 775 (1976). DOI: https://doi.org/10.1080/00150197608237797
- M. Kay, R. Kleinberg. Ferroelectrics 5, 45 (1973). DOI: https://doi.org/10.1080/00150197308235778
- N. Nakatani. Jpn. J. Appl. Phys. 18, 3, 491 (1979). DOI:
- V.P. Konstantinova, I.M. Sil'vestrova, V.A. Yurin, Kristallografiya 4, 125 (1959). DOI: 10.1143/JJAP.18.491
- R. Gainutdinov, E. Ivanova, E. Petrzhik, A. Lashkova, T. Volk. JETP Letters 106, 97 (2017). DOI: https://doi.org/10.1134/S0021364017140053
- В. Константинова, И. Сильвестрова, К. Александров. Кристаллография 4, 69 (1959)
- C.J. Raj, S. Kundu, K.B.R. Varma. Appl. Phys. A 105, 1025 (2011). DOI: https://doi.org/10.1007/s00339-011-6541-7
- S. Hoshino, T. Mitsui, F. Jona, R. Pepinsky. Phys. Rev. 107, 5, 1255 (1957). DOI: https://doi.org/10.1103/PhysRev.107.1255
- S. Triebwasser. IBM J. Res. Dev. 2, 3, 212 (1958). DOI: 10.1147/rd.23.0212
- W. Osak, K. Tkacz-Smiech, C. Strzalkowska. Ferroelectrics 158, 1, 331 (1994). DOI: https://doi.org/10.1080/00150199408216038
- W. Osak. Z. Naturforsch. A 52, 621 (1997). DOI: https://doi.org/10.1515/zna-1997-8-913
- Сайт онлайн программы "X-ray Server" https://x-server.gmca.aps.anl.gov/x0h.html
- R.B. Lal, A.K. Batra. Ferroelectrics 142, 51 (1993). DOI: 10.1080/00150199308237884
- A. Izrael, J.F. Petroff, A. Authier, Z. Malek. J. Cryst. Growth 16, 2, 131 (1972). DOI: 10.1016/0022-0248(72)90104-2
- A. Authier. Adv. X-ray Anal. 10, 9 (1966)
- J. Hanzig, M. Zschornak, E. Mehner, F. Hanzig, W. Munchgesang, T. Leisegang, H. Stocker, D.C. Meyer. J. Phys. Condens. Matter 28, 225001 (2016). DOI: 10.1088/0953-8984/28/22/225001
- C. Ludt, E. Ovchinnikova, A. Kulikov, D. Novikov, S. Gemming, D.C. Meyer, M. Zschornak. Crystals 11, 693 (2021). DOI: 10.3390/cryst11060693
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
