Вышедшие номера
Cамопроизвольное образование включений фазы Cr2S3 в двумерном слоистом полупроводнике CrSBr
Министерство науки и образования РФ, Тематическая карта Федерального исследовательского центра проблем химической физики и медицинской химии РАН, 124013100858-3
Гусенков Д.Л.1,2, Валеев Р.А.3, Пискорский В.П.3, Чернов А.И.4, Моргунов Р.Б. 1,3,2
1Федеральный исследовательский центр проблем химической физики и медицинской химии РАН, Черноголовка, Россия
2ФГАОУ ВО Первый МГМУ им. И.М. Сеченова Минздрава России (Сеченовский Университет), Москва, Россия
3Всероссийский научно-исследовательский институт авиационных материалов научно-исследовательского центра "Курчатовский институт", Москва, Россия
4Центр фотоники и двумерных материалов, Московский физико-технический институт, Долгопрудный, Россия
Email: gusenkov_d_l@student.sechenov.ru, spintronics2022@yandex.ru
Поступила в редакцию: 20 января 2025 г.
В окончательной редакции: 20 января 2025 г.
Принята к печати: 21 января 2025 г.
Выставление онлайн: 22 марта 2025 г.

Вариации физических свойств двумерных полупроводников из-за различных условий роста и случайного изменения стехиометрии являются проблемой для их использования. Проанализированы химический состав и физические свойства двух коммерчески выращенных образцов CrSBr и обнаружены различия в магнитных и оптических свойствах, которые могут быть объяснены неоднородностью кристаллов. В одном из образцов наблюдался сильный недостаток брома, что привело к сдвигу критической температуры перехода в метамагнитное состояние с 132 K в совершенном образце до 120 K в нестехиометрическом образце. Критическая температура 120 K, а также локальные спектры рентгеновской дифракции согласуются с параметрами, характерными для фазы Cr2S3, которая сосуществует с первичной фазой CrSBr. Ключевые слова: двумерные полупроводники, стехиометрия, магнитный переход, спектроскопия КРС, рентгено-флюоресцентный анализ, метамагнетизм.
  1. S.N. Kajale, J. Hanna, K. Jang, D. Sarkar. Nano Res.  17, 743 (2024)
  2. F. Long, M. Ghorbani-Asl, K. Mosina, Y. Li, K. Lin, F. Ganss, R. Hubner, Z. Sofer, F. Dirnberger, A. Kamra, A.V. Krasheninnikov, S. Prucnal, M. Helm, Sh. Zhou. Nano Lett. 23,  18, 8468 (2023)
  3. R. Araujo, J. Zarpellon, D. Mosca. J. Phys. D: Appl. Phys. 55, 283003 (2022)
  4. K. Bender, K. Dietz, H. Endres, H.W. Helberg, I. Hennig, H.J. Keller, D. Schweitzer. Mol. Cryst. Liq. Cryst. 107, 1-2, 45 (1984)
  5. Daniel B. Straus, Cherie R. Kagan. Annual Review of Physical Chemistry 73, 403--428 (2022)
  6. M. Velicky, P.S. Toth, A.M. Rakowski, A.P. Rooney, A. Kozikov, C.R. Woods, A. Mishchenko, L. Fumagalli, J. Yin, V. Zolyomi, T. Georgiou, S.J. Haigh, K.S. Novoselov, R.A.W. Dryfe. Nat. Commun. 8, 14410 (2017). 
  7. K.S. Kim, J. Kwon, H. Ryu, Ch. Kim, J.Ch. Kim, E.-K. Lee, D. Lee, S. Seo, N.M. Han, J.W. Suh, J. Kim, M.K. Song, S. Lee, M. Seol, J. Kim. Nat.  Nanotechnol.  19, 895 (2024). 
  8. K. Nandan, A. Agarwal, S. Bhowmick, Y.S. Chauhan. Front. Electron. 4, 1277927 (2023)
  9. S. Zhou, R. Wang, J. Han, D. Wang, H. Li, L. Gan, T. Zhai. Adv. Funct. Mater. 29, 1805880 (2019)
  10. W. Su, A. Kuklin, L.H. Jin, D. Engelgardt, H. Zhang, H. Angstrem gren, Y. Zhang. Adv. Sci. 11, 2402875 (2024)
  11. E.J. Telford, D.G. Chica, M.E. Ziebel, K. Xie, N.S. Manganaro, C. Huang, J. Cox, A.H. Dismukes, X. Zhu, J.P.S. Walsh, T. Cao, C.R. Dean, X. Roy. Adv. Phys. Res. 2, 2300036 (2023)
  12. A. Gayen, G.H. An, I.N. Rahman, M. Choi, Q. Mustaghfiroh, P.V. Gaikwad, E.S.H. Kang, K.-H. Kim, Ch. Liu, K.W. Kim, J. Bang, H.S. Lee, D.-H. Kim. Nanoscale 16, 17452 (2024)
  13. K. Torres, A. Kuc, L. Maschio, T. Pham, K. Reidy, L. Dekanovsky, Z. Sofer, F. Ross, J. Klein. Adv. Funct. Mater. 33, 2211366 (2022)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.