Вышедшие номера
Численная модель для исследования 3D-островковых пленок методом электронной Оже-спектроскопии. Система Sm-Si(111)
Ремеле В.Е. 1, Кузьмин М.В. 1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: m.kuzmin@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 29 октября 2024 г.
В окончательной редакции: 28 декабря 2024 г.
Принята к печати: 5 января 2025 г.
Выставление онлайн: 11 февраля 2025 г.

Предложена модель для расчета интенсивности сигналов в электронной Оже-спектроскопии для тонкопленочных структур, формируемых по механизму Фольмера-Вебера, Странского-Крастанова или близкому к ним. Модель может применяться для обработки экспериментальных результатов и дает возможность получать сведения о плотности и форме трехмерных островков. Проведена ее апробация для реакционно-способной системы Sm-Si(111). Установлено, что в этой системе изменение структуры смачивающего слоя, т. е. переход от реконструкции √3 к реконструкции (5x1) сопровождается увеличением аспектного отношения кристаллитов дисилицида самария более чем в семь раз. Предложено физическое объяснение указанной трансформации. Ключевые слова: тонкие пленки, концентрационная зависимость оже-сигнала, механизм роста, трехмерные островки, смачивающий слой, дисилицид самария.