Предложена модель для расчета интенсивности сигналов в электронной Оже-спектроскопии для тонкопленочных структур, формируемых по механизму Фольмера-Вебера, Странского-Крастанова или близкому к ним. Модель может применяться для обработки экспериментальных результатов и дает возможность получать сведения о плотности и форме трехмерных островков. Проведена ее апробация для реакционно-способной системы Sm-Si(111). Установлено, что в этой системе изменение структуры смачивающего слоя, т. е. переход от реконструкции √3 к реконструкции (5x1) сопровождается увеличением аспектного отношения кристаллитов дисилицида самария более чем в семь раз. Предложено физическое объяснение указанной трансформации. Ключевые слова: тонкие пленки, концентрационная зависимость оже-сигнала, механизм роста, трехмерные островки, смачивающий слой, дисилицид самария.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.