Вышедшие номера
Особенности поведения температурной зависимости высокочастотной проводимости неупорядоченных полупроводников в терагерцовой области частот
Ормонт М.А.1, Ляшенко А.А.1
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
Email: ormont.73@mail.ru
Поступила в редакцию: 11 октября 2024 г.
В окончательной редакции: 18 ноября 2024 г.
Принята к печати: 19 ноября 2024 г.
Выставление онлайн: 11 февраля 2025 г.

Проведен анализ особенностей электронного прыжкового транспорта по примесной зоне неупорядоченного полупроводника (с водородоподобными примесями), связанных с поведением температурной зависимости высокочастотной проводимости в области низких температур. На основе парного приближения выполнен численный расчет температурной зависимости вещественной части высокочастотной проводимости неупорядоченного полупроводника в терагерцовой области частот, в которой в условиях низких температур с ростом частоты наблюдался переход от почти линейной к квадратичной частотной зависимости вещественной части проводимости. Показано, что учет кулоновского взаимодействия между электронами в парах обусловливает немонотонный выход на насыщение температурной зависимости высокочастотной проводимости с понижением температуры вследствие разнонаправленности изменений релаксационного и резонансного вкладов в проводимость с изменением температуры. Увеличение бесфононной проводимости с понижением температуры обусловливается главной ролью кулоновского взаимодействия между электронами в резонансных парах при низких температурах, e^2/krω>hω (rω - оптимальная длина прыжка на частоте ω). Ключевые слова: высокочастотная прыжковая проводимость, отклонения от универсальности частотной зависимости проводимости, неупорядоченные полупроводники.