Физика твердого тела

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2025
- 1 2
2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Прыжковая проводимость в многослойных наноструктурах {[(Co₄₀Fe₄₀B₂₀)₃₄(SiO_2)₆₆]/[ZnO]}_n

Российский научный фонд, «Проведение фундаментальных научных исследований и поисковых научных исследований малыми отдельными научными группами» (региональный конкурс), 24-29-20099

Калинин Ю.Е.

¹, Ситников А.В.

¹, Макагонов В.А.

¹, Фошин В.А.

¹, Волочаев М.Н.

^2,3

¹Воронежский государственный технический университет, Воронеж, Россия Voronezh State Technical University, Voronezh, Russia

²Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия Kirensky Institute of Physics, Federal Research Center KSC SB, Russian Academy of Sciences, Krasnoyarsk, Russia

Kirensky Institute of Physics, Federal Research Center KSC SB, Russian Academy of Sciences, Krasnoyarsk, Russia

³Сибирский государственный университет науки и технологий им. М.Ф. Решетнева, Красноярск, Россия Siberian State University of Science and Technology, Krasnoyarsk, Russia

Siberian State University of Science and Technology, Krasnoyarsk, Russia

Email: kalinin48@mail.ru, sitnikov04@mail.ru, vlad_makagonov@mail.ru, vadim.foshin@yandex.ru, volochaev91@mail.ru

Поступила в редакцию: 12 ноября 2024 г.

В окончательной редакции: 13 ноября 2024 г.

Принята к печати: 13 ноября 2024 г.

Выставление онлайн: 17 декабря 2024 г.

PDF версия

Исследованы структура и электрические свойства многослойных тонких пленок {[(Co₄₀Fe₄₀B₂₀)₃₄(SiO_2)₆₆]/[ZnO]}_n с разной толщиной прослоек ZnO. Установлено, что прослойки композита (Co₄₀Fe₄₀B₂₀)₃₄(SiO_2)₆₆ имеют аморфную структуру, а прослойки ZnO - гексагональную кристаллическую с группой симметрии P6_3mc. Температурная зависимость удельного электрического сопротивления многослойных наноструктур {[(Co₄₀Fe₄₀B₂₀)₃₄(SiO_2)₆₆]/[ZnO]}_n в диапазоне температур 80-280 K подчиняется закону 1/4", что интерпретируется как прыжковая проводимость моттовского типа по прослойкам ZnO. При этом зависимость удельного электрического сопротивления референтных пленок оксида цинка в указанном диапазоне температур описывается логарифмическим законом rho(T) propto ln T, что указывает на наличие интерференционных эффектов, а для нанокомпозитов реализуется механизм 1/2", что объясняется в рамках моделей механизма проводимости Эфроса-Шкловского и термически активированного туннелирования. Эффективная плотность электронных состояний многослойных наноструктур {[(Co₄₀Fe₄₀B₂₀)₃₄(SiO_2)₆₆]/[ZnO]}_n нелинейно растет с увеличением толщины прослойки оксида цинка, что связывается с наличием тонкого слоя доокисленного в процессе напыления ZnO на границах раздела композит-ZnO. Ключевые слова: многослойные наноструктуры, электрическое сопротивление, прыжковая проводимость, плотность электронных состояний.

E.P. Domashevskaya, S.A. Ivkov, A.V. Sitnikov, O.V. Stogney, A.T. Kozakov, A.V. Nikolsky, K.A. Barkov, N.S. Builov. J. Alloys Compd. 870, 159398 (2021). DOI: 10.1016/j.jallcom.2021.159398
S.A. Ivkov, K.A. Barkov, E.P. Domashevskaya, E.A. Ganshina, D.L. Goloshchapov, S.V. Ryabtsev, A.V. Sitnikov, P.V. Seredin. Appl. Sci. 13, 5, 2992 (2023). DOI: 10.3390/app13052992
E.N. Sheftel, V.A. Tedzhetov, E.V. Harin, G.Sh. Usmanova. Thin Solid Films 748, 139146 (2022). DOI: 10.1016/j.tsf.2022.139146
Z. Guo, S. Park, H.T. Hahn, S. Wei, M. Moldovan, A.B. Karki, D.P. Young. Appl. Phys. Lett. 90, 053111 (2007). DOI: 10.1063/1.2435897
Е.З. Мейлихов, Б. Раке, Х. Ракото. ЖЭТФ 119, 5, 937 (2001). [E.Z. Meilikhov, B. Raquet, H. Rakoto. J. Exp. Theor. Phys. 92, 5, 816 (2001). DOI: 10.1134/1.1378173\
J.V. Kasiuk, J.A. Fedotova, T.N. Koltunowicz, P. Zukowski, A.M. Saad, J. Przewoznik, Cz. Kapusta, J. Zukrowski, I.A. Svito. J. Alloys Compd. 586 (1), S432 (2014). DOI: 10.1016/j.jallcom.2012.09.058
H. Fujimori, S. Mitani, S. Ohnuma. Mater. Sci. Eng. B 31, 219 (1995). DOI: 10.1016/0921-5107(94)08032-1
H. Meier, M.Y. Kharitonov, K.B. Efetov. Phys. Rev. B 80, 045122 (2009). DOI: 10.1103/PhysRevB.80.045122
A.B. Granovskii, E.A. Gan'shina, A.N. Yurasov, Yu.V. Boriskina, S.G. Yerokhin, A.B. Khanikaev, M. Inoue, A.P. Vinogradov, Yu.P. Sukhorukov. J. Commun. Technol. Electron. 52, 1065 (2007). DOI: 10.1134/S1064226907090185
А.Б. Грановский, И.В. Быков, Е.А. Ганьшина, В.С. Гущин, M. Инуе, Ю.Е. Калинин, А.А. Козлов, А.Н. Юрасов. ЖЭТФ 123, 6, 1256 (2003). [A.B. Granovsky, I.V. Bykov, E.A. Gan'shina, V.S. Gushchin, M. Inoue, Yu.E. Kalinin, A.A. Kozlov, A.N. Yurasov. J. Exp. Theor. Phys. 96, 6, 1104 (2003). DOI: 10.1134/1.1591221]
В.Е. Буравцова, Е.А. Ганьшина, О.С. Иванова, Ю.Е. Калинин, С.А. Киров, С. Пхонгхирун, А.В. Ситников, Изв. РАН. Сер. Физическая 71, 11, 1583 (2007). [V.E. Buravtsova, E.A. Gan'shina, O.S. Ivanova, Yu.E. Kalinin, S.A. Kirov, S. Pkhongkhirun, A.V. Sitnikov. Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. 71, 1539 (2007). DOI: 10.3103/S1062873807110184]
E.A. Gan'shina, V. Buravtsova, A. Novikov, Y. Kalinin, A.V. Sitnikov. Solid State Phenom. 190, 361 (2012). DOI: 10.4028/www.scientific.net/SSP.190.361
А.В. Ситников, И.В. Бабкина, Ю.Е. Калинин, А.Е. Никонов, М.Н. Копытин, К.Э. Никируй, К.Ю. Черноглазов, С.Н. Николаев, А.Л. Васильев, А.В. Емельянов, В.А. Демин, В.В. Рыльков. Наноиндустрия 13, s5-3(102), 687 (2020). DOI: 10.22184/1993-8578.2020.13.5s.687.696
A.I. Iliasov, A.N. Matsukatova, A.V. Emelyanov, P.S. Slepov, K.E. Nikiruy, V.V. Rylkov. Nanoscale Horiz. 9, 2, 238 (2024). DOI: 10.1039/d3nh00421j
S.V. Komogortsev, E.A. Denisova, R.S. Iskhakov, A.D. Balaev, L.A. Chekanova, Yu.E. Kalinin, A.V. Sitnikov. J. Appl. Phys. 113, 17C105 (2013). DOI: 10.1063/1.4794361
С.Н. Николаев, К.Ю. Черноглазов, А.В. Емельянов, А.В. Ситников, А.Н. Талденков, Т.Д. Пацаев, А.Л. Васильев, Е.А. Ганьшина, В.А. Демин, Н.С. Аверкиев, А.Б. Грановский, В.В. Рыльков, Письма в ЖЭТФ, 118, 1, 46 (2023). DOI: 10.31857/S1234567823130104 [S.N. Nikolaev, K.Yu. Chernoglazov, A.V. Emelyanov, A.V. Sitnikov, A.N. Taldenkov, T.D. Patsaev, A.L. Vasiliev, E.A. Gan'shina, V.A. Demin, N.S. Averkiev, A.B. Granovsky, V.V. Rylkov. JETP Lett 118, 1, 58 (2023). DOI: 10.1134/S0021364023601550]
I.S. Beloborodov, A.V. Lopatin, V.M. Vinokur. Phys. Rev. B 72, 125121 (2005). DOI: 10.1103/PhysRevB.72.125121
В.В. Рыльков, А.В. Емельянов, С.Н. Николаев, К.Э. Никируй, А.В. Ситников, Е.А. Фадеев, В.А. Демин, А.Б. Грановский. ЖЭТФ 158, 1, 164 (2020). DOI: 10.31857/S0044451020070159 [V.V. Rylkov, A.V. Emelyanov, S.N. Nikolaev, K.E. Nikiruy, A.V. Sitnikov, E.A. Fadeev, V.A. Demin, A.B. Granovsky. JETP 131, 1, 160 (2020). DOI: 10.1134/S1063776120070109]
Ю.Е. Калинин, А.Н. Ремизов, А.В. Ситников. ФТТ 46, 11, 2076 (2004). [Yu.E. Kalinin, A.N. Remizov, A.V. Sitnikov. Phys. Solid State 46, 11, 2146 (2004). DOI: 10.1134/1.1825563]
Ю.Е. Калинин, A.M. Кудрин, M.H. Пискарева, A.B. Ситников, А.К. Звездин. Персп. Материалы 3, 41 (2007)
А.В. Ситников, В.А. Макагонов, Ю.Е. Калинин, С.Б. Кущев, В.А. Фошин. ЖТФ 93, 11, 1663 (2023). DOI: 10.61011/JTF.2023.11.56499.137-23 [A.V. Sitnikov, V.A. Makagonov, Y.E. Kalinin, S.B. Kushchev, V.A. Foshin. Tech. Phys. 69, 6, 1813 (2024). DOI: 10.1134/S1063784224060458]
С.А. Гриднев, Ю.Е. Калинин, А.В. Ситников, О.В. Стогней. Нелинейные явления в нано- и микрогетерогенных системах. БИНОМ. Лаборатория знаний, М. (2012). 352 с
О.В. Геращенко, В.А. Уклеев, Е.А. Дядькина, А.В. Ситников, Ю.Е. Калинин. ФТТ 59, 1, 157 (2017). DOI: 10.21883/FTT.2017.01.43967.200 [O.V. Gerashchenko, V.A. Ukleev, E.A. Dyad'kina, A.V. Sitnikov, Yu.E. Kalinin. Phys. Solid State 59, 1, 164 (2017). DOI: 10.1134/S1063783417010073]
Y.E. Kalinin, A.V. Sitnikov, V.A. Makagonov, V.A. Foshin, M.N. Volochaev, I.M. Pripechenkov, N.N. Perova, E.A. Ganshina, V.V. Rylkov, A.B. Granovsky. J. Magn. Magn. Mater. 604, 172287 (2024). DOI: 10.1016/j.jmmm.2024.172287
О.В. Дунец, Ю.Е. Калинин, М.А. Каширин, А.В. Ситников. ЖТФ 83, 9, 114 (2013). [O.V. Dunets, Y.E. Kalinin, M.A. Kashirin, A.V. Sitnikov. Tech. Phys. 58, 9, 1352 (2013). DOI: 10.1134/S1063784213090132]
M.N. Martyshov, A.V. Emelyanov, V.A. Demin, K.E. Nikiruy, A.A. Minnekhanov, S.N. Nikolaev, A.N. Taldenkov, A.V. Ovcharov, M.Yu. Presnyakov, A.V. Sitnikov, A.L. Vasiliev, P.A. Forsh, A.B. Granovsky, P.K. Kashkarov, M.V. Kovalchuk, V.V. Rylkov. Phys. Rev. Appl. 14, 3, 034016 (2020). DOI: 10.1103/PhysRevApplied.14.034016
V.V. Rylkov, V.A. Demin, A.V. Emelyanov, A.V. Sitnikov, Yu.E. Kalinin, V.V. Tugushev, A.B. Granovsky. Phys. Rev. B 95, 144402 (2017). DOI: 10.1016/B978-0-12-813594-5.00013-8
V.V. Rylkov, V.A. Demin, A.V. Emelyanov, A.V. Sitnikov, Yu.E. Kalinin, V.V. Tugushev, A.B. Granovsky. In: V. Domracheva, M. Capoli, E. Rentschler (Eds.), Novel Magnetic Nanostructures: Unique Properties and Applications, Elsevier, Amsterdam (2018), pp. 426-463. DOI: 10.1016/B978-0-12-813594-5.00013-8
A. Ashour, M.A. Kaid, N.Z. El-Sayed, A.A. Ibrahim. Appl. Surf. Sci. 252, 22, 7844 (2006). DOI: 10.1016/j.apsusc.2005.09.048
В.Ф. Гантмахер. Электроны в неупорядоченных средах. Физматлит, М. (2006). 232 с
Н. Мотт, Э. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах: в 2 т. Мир, М. (1982). 658 с
Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников. Наука, М. (1979). 416 с
P. Sheng, B. Abeles, Y. Arie. Phys. Rev. Lett. 31, 1, 44 (1973). DOI: 10.1103/PhysRevLett.31.44
O. Madelung, U. Rossler, M. Schulz. Landolt-Bornstein: Numerical Data and Functional Relationships in Science and Technology --- New Series (LANDOLT 3, vol. 41D). Non-Tetrahedrally Bonded Binary Compounds II. Springer-Verlag, Berlin Heidelberg (2000). XVIII, 535 p. DOI: 10.1007/b71139
В.С. Захвалинский, R. Laiho, К.Г. Лисунов, Е. Lahderanta, П.А. Петренко, Ю.П. Степанов, В.Н. Стамов, М.Л. Шубников, А.В. Хохулин. ФТТ 49, 5, 870 (2007). [V.S. Zakhvalinskiv i, R. Laiho, K.G. Lisunov, E. Lahderanta, P.A. Petrenko, Yu.P. Stepanov, V.N. Stamov, M.L. Shubnikov, A.V. Khokhulin. Phys. Solid State 49, 5, 918 (2007). DOI: 10.1134/S1063783407050198]
B. Abeles, P. Sheng, M.D. Coutts, Y. Arie. Adv. Phys. 24, 3, 407 (1975). DOI: 10.1080/00018737500101431
Т.А. Полянская, Ю.В. Шмарцев. ФТП 23, 1, 3 (1989)
Г.В. Самсонов, А.Л. Борисова, Т.Г. Жидкова. Физико-химические свойства окислов. М.: Металлургия, (1978). 472 с.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель