Формирование доменной структуры в аморфизированных лазером областях микропроводов PrDyFeCoB
Дворецкая Е.В.
1, Моргунов Р.Б.
1,21Федеральный исследовательский центр проблем химической физики и медицинской химии РАН, Черноголовка, Россия
2Тамбовский государственный технический университет, Тамбов, Россия
Email: dvoretskaya95@yandex.ru
Поступила в редакцию: 18 июля 2024 г.
В окончательной редакции: 8 октября 2024 г.
Принята к печати: 9 ноября 2024 г.
Выставление онлайн: 17 декабря 2024 г.
Локальное облучение поликристаллического микропровода PrDyFeCoB создает на его поверхности тонкий слой аморфного-кристаллического материала глубиной 2-3 μm. Этот магнитомягкий материал с коэрцитивной силой 10 Oe разбивается на домены, с намагниченностью, направленной в плоскости поверхностного слоя. Движение доменной границы с ростом магнитного поля и поглощение доменов обратной намагниченности является главным механизмом в поверхностном слое. В локально аморфизированных областях зависимость скорости доменной стенки от магнитного поля соответствует режиму ползучести доменных стенок. В полностью аморфных микропроводах скорость движения доменов на два порядка величины выше и демонстрирует переход от режима ползучести к режиму скольжению. Ключевые слова: микроструктуры, магнитная доменная структура, лазерная аморфизация, микромагниты, аддитивные технологии.
- C.-H. Lambert, S. Mangin, B.S.D.C.S. Varaprasad, Y.K. Takahashi, M. Hehn, M. Cinchetti, G. Malinowski, K. Hono, Y. Fainman, M. Aeschlimann, E.E. Fullerton. Sci. 345, 6202, 1337 (2014)
- J. Igarashi, Q. Remy, S. Iihama, G. Malinowski, M. Hehn, J. Gorchon, J. Hohlfeld, S. Fukami, H. Ohno, S. Mangin. Nano Lett. 20, 12, 8654 (2020)
- O. Koplak, К. Kravchuk, А. Useinov, A. Talantsev, M. Hehn, P. Vallobra, S. Mangin, R. Morgunov. Appl. Surf. Sci. 493, 470 (2019)
- S. Iihama, Y. Xu, M. Deb, G. Malinowski, M. Hehn, J. Gorchon, E.E. Fullerton, S. Mangin. Adv. Mater. 30, 51, 1804004 (2018)
- O.В. Коплак, Е.В. Дворецкая, Д.В. Королев, Р.А. Валеев, В.П. Пискорский, М.В. Гапанович, Ю.С. Погорелец, Р.Б. Моргунов. ФТТ 63, 10, 1522 (2021). [O.V. Koplak, E.V. Dvoretskaya, D.V. Korolev, R.A. Valeev, V.P. Piskorskii, M.V. Gapanovich, Yu.S. Pogorelets, R.B. Morgunov. Phys. Solid State 63, 11, 1675 (2021).]
- O.В. Коплак, Е.В. Дворецкая, Д.В. Королев, Р.А. Валеев, В.П. Пискорский, А.С. Денисова, Р.Б. Моргунов. ФТТ 62, 8, 1187 (2020). [O.V. Koplak, E.V. Dvoretskaya, D.V. Korolev, R.A. Valeev, V.P. Piskorskii, A.S. Denisova, R.B. Morgunov. Phys. Solid State 62, 8, 1333 (2020).]
- О.В. Коплак, Е.В. Дворецкая, В.Л. Сидоров, Н.Н. Дремова, И.В. Шашков, Д.В. Королев, Р.А. Валеев, В.П. Пискорский, Р.Б. Моргунов. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования 3, 94 (2021). [O.V. Koplak, E.V. Dvoretskaya, V.L. Sidorov, N.N. Dremova, I.V. Shashkov, D.V. Korolev, R.A. Valeev, V.P. Piskorski, R.B. Morgunov. J. Surf. Invest.: X-Ray, Synchrotron Neutron Tech. 15, 2, 292 (2021).]
- O.В. Коплак, В.Л. Сидоров, Е.В. Дворецкая, И.В. Шашков, Р.А. Валеев, Д.В. Королев, В.П. Пискорский, Р.Б. Моргунов. ФТТ 63, 2, 242 (2021). [O.V. Koplak, V.L. Sidorov, E.V. Dvoretskaya, I.V. Shashkov, R.A. Valeev, D.V. Korolev, R.B. Morgunov. Phys. Solid State 63, 2, 266 (2021).]
- V.I. Nikitenko, V.S. Gornakov, L.M. Dedukh, A.F. Khapikov, L.H. Bennett, R.D. McMichael, L.J. Swartzendruber, A.J. Shapiro, M.J. Donahue, V.N. Matveev, V.I. Levashov. J. Appl. Phys. 79, 8, 6073 (1996)
- В.С. Горнаков, Л.М. Дедух, В.И. Никитенко, В.Т. Сыногач. ЖЭТФ 90, 6, 2090 (1986). [V.S. Gornakov, L.M. Dedukh, V.I. Nikitenko, V.T. Synogach. JETP 63, 6, 1225 (1986).]
- S. DuttaGupta, S. Fukami, C. Zhang, H. Sato, M. Yamanouchi, F. Matsukura, H. Ohno. Nature Phys. 12, 4, 333 (2016)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.