Вышедшие номера
Формирование доменной структуры в аморфизированных лазером областях микропроводов PrDyFeCoB
Дворецкая Е.В. 1, Моргунов Р.Б. 1,2
1Федеральный исследовательский центр проблем химической физики и медицинской химии РАН, Черноголовка, Россия
2Тамбовский государственный технический университет, Тамбов, Россия
Email: dvoretskaya95@yandex.ru
Поступила в редакцию: 18 июля 2024 г.
В окончательной редакции: 8 октября 2024 г.
Принята к печати: 9 ноября 2024 г.
Выставление онлайн: 17 декабря 2024 г.

Локальное облучение поликристаллического микропровода PrDyFeCoB создает на его поверхности тонкий слой аморфного-кристаллического материала глубиной 2-3 μm. Этот магнитомягкий материал с коэрцитивной силой 10 Oe разбивается на домены, с намагниченностью, направленной в плоскости поверхностного слоя. Движение доменной границы с ростом магнитного поля и поглощение доменов обратной намагниченности является главным механизмом в поверхностном слое. В локально аморфизированных областях зависимость скорости доменной стенки от магнитного поля соответствует режиму ползучести доменных стенок. В полностью аморфных микропроводах скорость движения доменов на два порядка величины выше и демонстрирует переход от режима ползучести к режиму скольжению. Ключевые слова: микроструктуры, магнитная доменная структура, лазерная аморфизация, микромагниты, аддитивные технологии.
  1. C.-H. Lambert, S. Mangin, B.S.D.C.S. Varaprasad, Y.K. Takahashi, M. Hehn, M. Cinchetti, G. Malinowski, K. Hono, Y. Fainman, M. Aeschlimann, E.E. Fullerton. Sci. 345, 6202, 1337 (2014)
  2. J. Igarashi, Q. Remy, S. Iihama, G. Malinowski, M. Hehn, J. Gorchon, J. Hohlfeld, S. Fukami, H. Ohno, S. Mangin. Nano Lett. 20, 12, 8654 (2020)
  3. O. Koplak, К. Kravchuk, А. Useinov, A. Talantsev, M. Hehn, P. Vallobra, S. Mangin, R. Morgunov. Appl. Surf. Sci. 493, 470 (2019)
  4. S. Iihama, Y. Xu, M. Deb, G. Malinowski, M. Hehn, J. Gorchon, E.E. Fullerton, S. Mangin. Adv. Mater. 30, 51, 1804004 (2018)
  5. O.В. Коплак, Е.В. Дворецкая, Д.В. Королев, Р.А. Валеев, В.П. Пискорский, М.В. Гапанович, Ю.С. Погорелец, Р.Б. Моргунов. ФТТ 63, 10, 1522 (2021). [O.V. Koplak, E.V. Dvoretskaya, D.V. Korolev, R.A. Valeev, V.P. Piskorskii, M.V. Gapanovich, Yu.S. Pogorelets, R.B. Morgunov. Phys. Solid State 63, 11, 1675 (2021).]
  6. O.В. Коплак, Е.В. Дворецкая, Д.В. Королев, Р.А. Валеев, В.П. Пискорский, А.С. Денисова, Р.Б. Моргунов. ФТТ 62, 8, 1187 (2020). [O.V. Koplak, E.V. Dvoretskaya, D.V. Korolev, R.A. Valeev, V.P. Piskorskii, A.S. Denisova, R.B. Morgunov. Phys. Solid State 62, 8, 1333 (2020).]
  7. О.В. Коплак, Е.В. Дворецкая, В.Л. Сидоров, Н.Н. Дремова, И.В. Шашков, Д.В. Королев, Р.А. Валеев, В.П. Пискорский, Р.Б. Моргунов. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования 3, 94 (2021). [O.V. Koplak, E.V. Dvoretskaya, V.L. Sidorov, N.N. Dremova, I.V. Shashkov, D.V. Korolev, R.A. Valeev, V.P. Piskorski, R.B. Morgunov. J. Surf. Invest.: X-Ray, Synchrotron Neutron Tech. 15, 2, 292 (2021).]
  8. O.В. Коплак, В.Л. Сидоров, Е.В. Дворецкая, И.В. Шашков, Р.А. Валеев, Д.В. Королев, В.П. Пискорский, Р.Б. Моргунов. ФТТ 63, 2, 242 (2021). [O.V. Koplak, V.L. Sidorov, E.V. Dvoretskaya, I.V. Shashkov, R.A. Valeev, D.V. Korolev, R.B. Morgunov. Phys. Solid State 63, 2, 266 (2021).]
  9. V.I. Nikitenko, V.S. Gornakov, L.M. Dedukh, A.F. Khapikov, L.H. Bennett, R.D. McMichael, L.J. Swartzendruber, A.J. Shapiro, M.J. Donahue, V.N. Matveev, V.I. Levashov. J. Appl. Phys. 79, 8, 6073 (1996)
  10. В.С. Горнаков, Л.М. Дедух, В.И. Никитенко, В.Т. Сыногач. ЖЭТФ 90, 6, 2090 (1986). [V.S. Gornakov, L.M. Dedukh, V.I. Nikitenko, V.T. Synogach. JETP 63, 6, 1225 (1986).]
  11. S. DuttaGupta, S. Fukami, C. Zhang, H. Sato, M. Yamanouchi, F. Matsukura, H. Ohno. Nature Phys. 12, 4, 333 (2016)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.