Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Фотоэлектрические свойства структур с множественными квантовыми ямами GeSiSn|Ge и релаксированными слоями GeSiSn
Минобрнауки России, госзадание, FWGW-2024-0001
Тимофеев В.А.
1, Скворцов И.В.
1, Машанов В.И.
1, Блошкин А.А.
1, Кириенко В.В.
1, Лошкарев И.Д.
1, Залялов Т.М.
1,2, Перевалов Т.В.
1, Исламов Д.Р.
1,2
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия 
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
Email: vyacheslav.t@isp.nsc.ru, i.skvortsov@isp.nsc.ru, mash@isp.nsc.ru, bloshkin@isp.nsc.ru, victor@isp.nsc.ru, idl@isp.nsc.ru, damir@isp.nsc.ru, timson@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 4 октября 2024 г.
В окончательной редакции: 13 октября 2024 г.
Принята к печати: 13 октября 2024 г.
Выставление онлайн: 17 декабря 2024 г.
Изучены фотоэлектрические свойства p-i-n-фотодиодов, включающих множественные квантовые ямы (МКЯ) GeSiSn|Ge и релаксированные слои GeSiSn на подложке Ge(1 0 0). На основе измерений вольт-амперных характеристик показано, что наименьшая плотность темнового тока p-i-n-фотодиодов при обратном смещении 1 V достигает значения 0.7 mA/cm2. Длинноволновая граница чувствительности как для диодов с МКЯ, так и с релаксированными слоями составляет около 2 μm (~ 0.6 eV). Ключевые слова: молекулярно-лучевая эпитаксия, множественные квантовые ямы, кривая дифракционного отражения, фотодиод, фототок, темновой ток, граница чувствительности.
- R. Soref. In: 2016 IEEE Photonics Society Summer Topical Meeting Series (SUM), 100. Newport Beach, California, USA (2016)
- R. Soref. Phil. Trans. R. Soc. A 372, 2012, 20130113 (2014)
- R.A. Soref, C.H. Perry. J. Appl. Phys. 69, 1, 539 (1991)
- M. Bauer, C. Ritter, P.A. Crozier, J. Ren, J. Menendez, G. Wolf, J. Kouvetakis. Appl. Phys. Lett. 83, 11, 2163 (2003)
- P. Moontragoon, Z. Ikonic, P. Harrison. Semicond. Sci. Technol. 22, 7, 742 (2007)
- R. Ragan, K.S. Min, H.A. Atwater. Mater. Sci. Eng. B 87, 3, 204 (2001)
- T. Tsukamoto, N. Hirose, A. Kasamatsu, T. Mimura, T. Matsui, Y. Suda. Appl. Phys. Lett. 106, 5, 052103 (2015)
- S. Wirths, D. Buca, S. Mantl. Prog. Cryst. Growth Charact. Mater. 62, 1, 1 (2016)
- I.A. Fischer, T. Wendav, L. Augel, S. Jitpakdeebodin, F. Oliveira, A.Benedetti, S. Stefanov, S. Chiussi, G. Capellini, K. Busch, J. Schulze. Opt. Express. 23, 19, 25048 (2015)
- C.J. Clausen, I.A. Fischer, D. Weisshaupt, F. Baerwolf, B. Tillack, G. Colston, M. Myronov, M. Oehme, J. Schulze. Semicond. Sci. Technol. 33, 12, 124017 (2018)
- С. Зи. Физика полупроводниковых приборов, т. 1. Мир, М. (1984). [S.M. Sze. Physics of Semiconductor Devices. Wiley-Interscience (1969).]
- V. Timofeev, I. Skvortsov, V. Mashanov, A. Nikiforov, D. Kolyada, D. Firsov, O. Komkov, S. Samadov, A. Sidorin, O. Orlov. J. Vac. Sci. Technol. B 42, 3, 030601 (2024)
- S. Zaima, O. Nakatsuka, N. Taoka, M. Kurosawa, W. Takeuchi, M. Sakashita. Sci. Technol. Adv. Mater. 16, 4, 043502 (2015)
- P. Geng, W. Li, X. Zhang, X. Zhang, Y. Deng, H. Kou. J. Phys. D: Appl. Phys. 50, 40, 40LT02 (2017).
- C.G. Van de Walle. Phys. Rev. B 39, 3, 1871 (1989)
- M. El Kurdi, S. Sauvage, G. Fishman, P. Boucaud. Phys. Rev. B 73, 19, 195327 (2006)
- P. Moontragoon, P. Pengpit, T. Burinprakhon, S. Maensiri, N. Vukmirovic, Z. Ikonic, P. Harrison. J. Non-Cryst. Solids. 358, 17, 2096 (2012)
- A. Attiaoui, O. Moutanabbir. J. Appl. Phys. 116, 6, 063712 (2014)
- Z. Chen, Z. Ikonic, D. Indjin, R.W. Kelsall. J. Appl. Phys. 129, 12, 123102 (2021).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
