Вышедшие номера
Монокристаллы (Na1/2Bi1/2)(Mg1/3Nb2/3)O3: синтез, структура, свойства
Сырников П.П.1, Залесский В.Г.1, Зайцева Н.В.1, Халипов А.В.1, Федосеев А.И.1, Лушников С.Г.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: nsh@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 7 сентября 2024 г.
В окончательной редакции: 8 сентября 2024 г.
Принята к печати: 9 сентября 2024 г.
Выставление онлайн: 28 октября 2024 г.

Методом спонтанной кристаллизации впервые выращены монокристаллы (Na1/2Bi1/2)(Mg1/3Nb2/3)O3 (NBMN) - перовскита с разупорядочением в А и В подрешетках. Определены пространственная группа кристалла NBMN (Pm3m, a=3.954±0.001 Angstrem) и величина показателя преломления (n=2.31±0.02, λ=0.633 μm) при комнатной температуре. На температурных зависимостях диэлектрического отклика в NBMN обнаружены аномалии: частотно-зависимые максимумы диэлектрических потерь в области температур 110 K, характерные для перехода в релаксорное сегнетоэлектрическое состояние и частотно независимая аномалия в окрестности 300 K. Показано существование термоактивированного поведения проводимости с энергией активации 0.66 eV при температуре выше 590 K. Измерение диэлектрического гистерезиса методом PUND выявило существование переключаемой поляризации при 77 K. Анализ диэлектрических свойств позволяет отнести кристалл NBMN к семейству релаксорных сегнетоэлектриков со структурой перовскита. Ключевые слова: Сегнетоэлектрики, динамика кристаллической решетки, поляризация, диэлектрические свойства.
  1. Г.А. Смоленский, В.А. Боков, В.А. Исупов, Н.Н. Крайник, Р.Е. Пасынков, М.С. Шур. Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики. Наука, Л. (1971). 476 с
  2. L.E. Cross, Ferroelectrics 151, 305 (1994)
  3. Г.А. Смоленский, В.А. Исупов, А.И. Аграновская, Н.Н. Крайник. ФТТ 2, 2982 (1960)
  4. A.A. Bokov, Z.G. Ye. J. Mater. Sci. 41, 31 (2006)
  5. R.A. Cowley, S. Gvasaliya, S.G. Lushnikov, B. Roessli, G.M. Rotaru. Adv. Phys. 60, 229 (2011)
  6. J.F. Scott. Annu. Rev. Mater. Res. 41, 229 (2011)
  7. H. Palneedi, M. Peddigari, G.-T. Hwang, D.-Y. Jeong, J. Ryu. Adv. Funct. Mater. 28, 1803665 (2018)
  8. X. Gao, J. Yang, J. Wu, X. Xin, Z. Li, X. Yuan, X. Shen, S. Dong. Adv. Matter. Technol. 5, 1900716 (2019)
  9. S. Nomura, K. Uchino, R.E. Newnham. 23, 187 (1980)
  10. T. Takenaka, K. Maruyama, K. Sakata. Jpn. J. Appl. Phys. 30, 2236 (1991)
  11. S.B. Vakhrushev, V.A. Isupov, O.E. Kvyatkovsky, N.M. Okuneva, I.P. Pronin, G.A. Smolensky, P.P. Syrnikov. Ferroelectrics 63, 153 (1985)
  12. G.O. Jones, P.A. Thomas. Acta Cryst. B 58, 168 (2002)
  13. J. Petzelt, S. Kamba, J. Fabry, D. Noujni, V. Porokhonskyy, A. Pashkin, I. Franke, K. Roleder, J. Suchanicz, R. Klein, G.E. Kugel. J. Phys.: Cond. Matter 16, 2719 (2004)
  14. V. Dorcet, G. Trolliard, P. Boullay. Chem. Mater. 20, 5061 (2008)
  15. C.-S. Tu, I.G. Siny, V.H. Schmidt. Phys. Rev. 49, 11550 (1994)
  16. S. Gorfman, P.A. Thomas. J. Appl. Cryst. 43, 1409 (2010)
  17. В.Г. Залесский, А.Д. Полушина, Е.Д. Обозова, А.В. Дмитриев, П.П. Сырников, С.Г. Лушников. Письма ЖЭТФ 105, 175 (2017)
  18. X. Wang, H.L.W. Chan, C.L. Choy. J. Am. Ceram. Soc. 86, 1809 (2003)
  19. H. Nagata, N. Koizumi, T. Takenaka. Key Eng. Mater. 169--170, 37 (1999)
  20. D. Lin, D. Xizo, J. Zhu, P. Yu, H. Yan, L. Li, W. Zhang. Cryst. Res. Technol. 39, 30 (2004)
  21. S.E. Park, S.J. Chung, I.T. Kim, K.S. Hong. J. Am. Ceram. Soc. 77, 2641 (1994)
  22. X. Wang, S. Or, X. Tang, H. Chan, P. Choy, P. Liu. Solid State Commun. 134, 659 (2005)
  23. H. Yan, D. Xiao, P. Yu, J. Zhu, D. Lin, G. Li. Mater. Des. 26, 474 (2005)
  24. Y. Yamada, T. Akutsu, H. Asada, K. Nozawa, S. Hachiga, T. Kurosaki, O. Ikagawa, H. Fujiki, K. Hozumi, T. Kawamura, T. Amakawa, K. Hirota, T. Ikeda. Jpn. J. Appl. Phys. 34, 5462 (1995)
  25. S.R. McLaughlin. PhD thesis. Queen's University Kingston, Ontario, Canada (2008). 139 p
  26. D. O'Neill, R.M. Bowman, J.M. Gregg. Appl. Phys. Lett. 77, 1520 (2000)
  27. K.M. Rabe, C.H. Ahn, J.-M. Triscone. Physics of Ferroelectrics. A Modern Perspective. Springer-Verlag, Berlin Heidelberg (2007). 388 p
  28. K. Okazaki. Ceramic Engineering for Dielectric. Gakkensha, Tokyo (1969). 532 p

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.