Вышедшие номера
Влияние интенсивности возбуждения и температуры на фотолюминесценцию тонких пленок соединения Cu2ZnSnSe4
Государственная программа научных исследований Республики Беларусь, Материаловедение, новые материалы и технологии, задание 1.4.4
Министерства науки и высшего образования Российской Федерации, Спин, 122021000036-3
Живулько В.Д. 1, Мудрый А.В. 1, Луценко Е.В.2, Павловский В.Н.2, Яблонский Г.П.2, Forbes I.3, Якушев М.В.4,5,6
1Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению, Минск, Беларусь
2Институт физики им. Б.И. Степанова Национальной академии наук Беларуси, Минск, Беларусь
3Northumbria Photovoltaic Application Group, Faculty of Engineering and Environment, Northumbria University, Ellison Place, Newcastle upon Tyne NE 18ST, UK
4Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
5Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина, Екатеринбург, Россия
6Институт химии твердого тела Уральского oтделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
Email: zhivulko@physics.by, mudryi@physics.by
Поступила в редакцию: 14 августа 2024 г.
В окончательной редакции: 24 августа 2024 г.
Принята к печати: 25 августа 2024 г.
Выставление онлайн: 28 октября 2024 г.

Представлены результаты исследования фазового состава, структурных характеристик и фотолюминесценции тонких пленок прямозонного соединения Cu2ZnSnSe4 (CZTSe) со структурой кестерита. Рентгеноспектральный локальный микроанализ с энергетической дисперсией показал, что соотношение элементов в соединении CZTSe составляет: [Cu]/[Zn +Sn] ~ 0.75 и [Zn]/[Sn] ~ 1.17. С использованием рентгенодифракционного анализа определены параметры элементарной ячейки тонких пленок соединения CZTSe, составившие: a ~ 5.692 Angstrem и c ~ 11.33 Angstrem. По данным измерения спектров фотолюминесценции и спектров возбуждения фотолюминесценции при температурах в диапазоне 6-300 K определена ширина запрещенной зоны E_g ~ 1.052 eV тонких пленок CZTSe, положение энергетических уровней дефектов структуры в запрещенной зоне и установлены механизмы излучательной рекомбинации неравновесных носителей заряда. Обсуждается природа ростовых дефектов структуры в соединении CZTSe. Ключевые слова: Cu2ZnSnSe4, тонкие пленки, фотолюминесценция, ширина запрещенной зоны, энергетические уровни дефектов.
  1. M.A. Green, E.D. Dunlop, M. Yoshita, N. Kopidakis, K. Bothe, G. Siefer, X. Xao. Prog. Photovolt. Res. Appl. 32, 1, 3 (2024)
  2. P. Jackson, D. Hariskos, R. Wuerz, W. Wischman, M. Powalla. Phys. Status Solidi RRL 8, 3, 219 (2014)
  3. P. Jackson, R. Wuerz, D. Hariskos, E. Lotter, W. Witte, M. Powalla. Phys. Status Solidi RRL 10, 8, 583 (2016)
  4. T. Kato, J.L. Wu, Y. Hirai, H. Sugimoto, V. Bermudez. IEEE J. Photovolt. 9, 1, 325 (2019)
  5. A. Polman, M. Knight, E.C. Garnett, B. Ehrler, W.C. Sinke. Science. V. 352, Is. 6283.-P.aad4424-1-aad4424-10 (2016)
  6. M. Nakamura, K. Yamaguchi, Y. Kimoto, Y. Yasaki, T. Kato, H. Sugimoto. IEEE J. Photovolt., 9, 6, 1863 (2019)
  7. J. Zhou, X. Xu, H. Wu, J. Wang, L. Lou, K. Yin, Y. Gong, J. Shi, Y. Lou, D. Li, H. Xin, Q. Meng. Nature Energy 8, 5, 526 (2023)
  8. T. Gokmen, O. Gunawan, T.K. Todorov, D.B. Mitzi. Appl. Phys. Lett. 103, 10, 103506 (2013)
  9. M. Grossberg, J. Krustok, K. Timmo, A. Altosaar. Thin Solid Films 517, 36, 2489 (2009)
  10. S. Oueslati, G. Brammertz, M. Buffiere, C. Koble, T. Oualid, M. Meuris, J. Poortmans. Sol. Energy Mater. Sol. Cells. 134, 340 (2016)
  11. M.V. Yakushev, J. Marquez-Prieto, I. Forbes, J. Krustok, P.R. Edwards, V.D. Zhivulko, A.V. Mudryi, J. Krustok, R.W. Martin. J. Phys. D 48, 475109 (2015)
  12. J. Marquez-Prieto, M.V. Yakushev, I. Forbes, J. Krustok, P.R. Edwards, V.D. Zhivulko, O.M. Borodavchenko, A.V. Mudryi, M. Dimitrievska, V. Izquerdo-Roca, N.M. Pearsall, R.W. Martin. Sol. Energy Mater. Sol. Cells 152, 42 (2016)
  13. M.V. Yakushev, M.A. Sulimov, J. Marquez-Prieto, I. Forbes, J. Krustok, P.R. Edwards, V.D. Zhivulko, O.M. Borodavchenko, A.V. Mudryi, M. Dimitrievska, V. Izquerdo-Roca. Sol. Energy Mater. Sol. Cells 169, 69 (2017)
  14. F. Luckert, D.I. Hamilton, M.V. Yakushev, N.S. Beattie, G. Zoppi, M. Moynihan, I. Forbes, A.V. Karotki, A.V. Mudryi, G. Grossberg, J. Krustok, R.W. Martin. Appl. Phys. Lett. 99, 6, 062104 (2011)
  15. S. Siebentritt, S. Schorr. Prog. Photovolt. Res. Appl. 20, 5, 512 (2012)
  16. D.M. Bishop, B. McCandless, T. Gershon, M.A. Lloyd, P. Haight, R. Birkmire. J. Appl. Phys. 121, 065704 (2017)
  17. G. Rey, G. Larramona, S. Bourdais, C. Chone, B. Delatouche, A. Jacob, G. Dennler. Sol. Energy Mater. Sol. Cells 179, 142 (2018)
  18. J. Sendler, M. Thevenin, F. Werner, A. Redinger, S. Li, C. Hagglund, C. Platzer-Bjorkman, S. Siebentritt. J. Appl. Phys. 120, 12, 125701 (2016)
  19. F.I. Lai, D.H. Hsieh, J.F. Yang, Y.C. Hsu, S.Y. Kuo. Sol. Energy 251, 240 (2023)
  20. I Mengu, J. Krustok, R. Kaupmees, V. Mikli, M. Kauk-Kuusik, M. Grossberg-Kuusk. Mater. Chemistry. Phys. 301, 127685 (2023)
  21. А.П. Леванюк, В.В. Осипов. Успехи физических наук 133, 3, 427 (1981)
  22. R.W. Martin, P.G. Middleton, K.P. O'Donnell, W. Van der Stricht. Appl. Phys. Lett. 74, 2, 263 (1999)
  23. Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников. Наука, М. (1979). 416 с
  24. I. Dirnstorfer, M. Wagner, D.M. Hofmann, M.D. Lampert, F. Karg, B.K. Meyer. Phys. Stat. Sol. A 168, 163 (1998)
  25. S. Thomas, T. Bertram, C. Kaufman, T. Kodalle, J.A. Marquez Prieto, H. Hempel, L. Choubrac, W. White, D. Hariskos, R. Mainz, R. Carron, J. Keller, P. Reyes-Figueroa, R. Klenk, D. Abou-Ras. Prog. Photovolt: Res. Appl., 30, 1238 (2022)
  26. M.V. Yakushev, I. Forbes, A.V. Mudryi, M. Grossberg, J. Krustok, N.S. Beattie, M. Moynihan, A. Rockett, R.W. Martin. Thin Solid States, 582, 154 (2015)
  27. S. Chen, A. Walsh, Xin-Gao Gong, Su-Huai Wei. Adv. Mater. 25, 1522 (2013)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.