Физика твердого тела

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Эволюция структуры при превращении Si в SiC методом самосогласованного замещения атомов

Российский научный фонд, 23-91- 01001

Кукушкин С.А.

¹, Воробьев М.Г.

¹, Осипов А.В.

¹, Гращенко А.С.

¹, Убыйвовк Е.В. ^1,2

¹Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия Institute for Problems in Mechanical Engineering of the Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

Institute for Problems in Mechanical Engineering of the Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

²Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия St. Petersburg State University, St. Petersburg, Russia

Email: sergey.a.kukushkin@gmail.com, vmaximg@bk.ru, asgrashchenko@bk.ru, ubyivovk@gmail.com

Поступила в редакцию: 14 мая 2024 г.

В окончательной редакции: 14 мая 2024 г.

Принята к печати: 15 мая 2024 г.

Выставление онлайн: 6 июля 2024 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

На примере формирования эпитаксиальных слоев карбида кремния на кремнии методом согласованного замещения атомов проведены исследования эволюции структуры при фазовых превращениях в многокомпонентных кристаллах с химическими реакциями. Обнаружено существенное изменение во времени микроструктуры и свойств слоев образующегося SiC. Анализ микроструктуры и свойств слов SiC/Si проведен при помощи метода фотолюминесценции (ФЛ), метода дифракции быстрых электронов (ДБЭ), метода спектроскопической эллипсометрии (СЭ), а эволюция структуры межфазной границы раздела SiC-Si исследована при помощи метода растровой электронной микроскопии (РЭМ). Установлено, что в течение первых пяти минут синтеза происходит изменение реконструкции поверхности SiC, кроме того, упругие деформации сменяются с сжимающих на растягивающие. Обнаружено, что в процессе синтеза SiC на Si(111) в результате реконструкции поверхности SiC может сформироваться как структура (3x3), так и структура (2x1). Ключевые слова: карбид кремния на кремнии, реконструкция поверхности, топохимические реакции, упругие деформации, люминесценция, диффузионная зона, наноструктуры, эволюция микроструктуры, AlN, GaN, AlGaN.

S.A. Kukushkin, A.V. Osipov. J. Phys. D 47, 313001 (2014). DOI: 10.1088/0022-3727/47/31/313001
С.А. Кукушкин, А.В. Осипов, Н.А. Феоктистов. ФТТ 56, 8, 1457 (2014). DOI: 10.1134/S1063783414080137
S.A. Kukushkin, A. V. Osipov. Inorganic Materials 57, 13, 1319 (2021). DOI: 10.1134/S0020168521130021
С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. ЖОХ 92, 4, 547 (2022). DOI: 10.31857/S0044460X22040023 [S.A. Kukushkin, A.V. Osipov. Russ. J. Gen. Chem. 92, 4, 547 (2022). DOI: 10.1134/S1070363222040028]
С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. Конденсированные среды и межфазные границы 24, 4, 407 (2022). DOI: 10.17308/kcmf.2022.24/10549
A. Severino, C. Locke, R. Anzalone, M. Camarda, N. Piluso, A. La Magna, S. Saddow, G. Abbondanza, G. D'Arrigo, F. La Via. ECS Trans. 35, 6, 99 (2011). DOI: 10.1149/1.3570851
G. Ferro. Crit. Rev. Solid State Mater. Sci. 40, 1, 56 (2015). DOI: 10.1080/10408436.2014.940440
S. Nishino, J.A. Powell, H.A. Will. Appl. Phys. Lett. 42, 5, 460 (1983). DOI: 10.1063/1.93970
J. Pezoldt, Th. Kups, Th. Stauden, B. Schroter. Mater. Sci. Eng. B 165, 28 (2009). DOI: 10.1016/j.mseb.2009.03.015
F. Iacopi, G. Walker, L. Wang, L. Malesys, Sh. Ma, B.V. Cunning, A. Iacopi. Appl. Phys. Lett. 102, 011908 (2013). DOI: 10.1063/1.4774087
С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. Журн. неорган. химии (2024). В печати
С.А. Кукушкин, А.В. Осипов, Е.В. Осипова. Письма в ЖТФ 48, 20, 43 (2022). DOI: 10.21883/PJTF.2022.20.53696.19310 [S.A. Kukushkin, A. V. Osipov, E.V. Osipova. Tech. Phys. Lett. 48, 10, 78 (2022). DOI: 10.21883/TPL.2022.10.54806.19310)].
S.A. Kukushkin, L.K. Markov, A.S. Pavlyuchenko, I.P. Smirnova, A.V. Osipov, A.S. Grashchenko, A.E. Nikolaev, A.V. Sakharov, A.F. Tsatsulnikov, G.V. Sviatets. Coatings 8, 7, 1142 (2023). DOI: 10.3390/coatings13071142
С.А. Кукушкин, А.В. Осипов, Е.В. Осипова, В.М. Стожаров. ФТТ 64, 3, (2022). DOI: 10.21883/FTT.2022.03.52093.2322 [S.A. Kukushkin, A.V. Osipov, E.V. Osipova, V.M. Stozharov. Phys. Solid State 64, 3, 327 (2022)]. DOI: 10.21883/PSS.2022.03.53187.232)]
Ю.А. Еремеев, М.Г. Воробьев, А.С. Гращенко, А.В. Семенча, А.В. Осипов, С.А. Кукушкин. ФТТ 65, 1, 71 (2023). DOI: 10.21883/FTT.2023.01.53925.480 [I.A. Eremeev, M.G. Vorobev, A.S. Grashchenko, A.V. Semencha, A.V. Osipov, S.A. Kukushkin. Phys. Solid State 65, 1, 68 (2023). DOI: 10.21883/PSS.2023.01.54976.480)]
Л.К. Марков, С.А. Кукушкин, И.П. Смирнова, А.С. Павлюченко, А.С. Гращенко, А.В. Осипов, Г.В. Святец, А.Е. Николаев, А.В. Сахаров, В.В. Лундин, А.Ф. Цацульников. Письма в ЖТФ 47, 18, 3 (2021). DOI: 10.21883/PJTF.2021.18.51462.18877
И.П. Калинкин, С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. ФТП 52, 6, 656 (2018). DOI: 10.21883/FTP.2018.06.45932.875 [I.P. Kalinkin, S.A. Kukushkin, A.V. Osipov. Semiconductors 52, 802 (2018). DOI: 10.1134/S1063782618060118]
A. Fissel. Phys. Rep. 379, 147 (2003). DOI: 10.1016/S0370-1573(02)00632-4
В.В. Балашев, В.В. Коробцов, Т.А. Писаренко, Е.А. Чусовитин, К.Н. Галкин. ФТТ 52, 2, 370 (2010)
А.Ю. Аристов. УФН 171, 8, 801 (2001). DOI: 10.3367/UFNr.0171.200108a.0801
V. Cimalla, Th. Stauden, G. Ecke, F. Scharmann, G. Eichhorn, J. Pezoldt, S. Sloboshanin, J. A. Schaefer. Appl. Phys. Lett. 73, 3542 (1998). DOI: 10.1063/1.122801
J. Schardt, J. Bernhardt, U. Starke, K. Heinz. Phys. Rev. B 62, 10335 (2000). DOI: 10.1103/PhysRevB.62.10335
G.V. Benemanskaya, P.A. Dementev, S.А. Kukushkin, M.N. Lapushkin, A.V. Osipov, B. Senkovskiy, S.N. Timoshnev. Mater. Phys. Mech. 22, 183 (2015)
R. Kaplan. Surf. Sci. 215, 1-2, 111 (1989). DOI: 10.1016/0039-6028(89)90704-8
S.A. Kukushkin, A. V. Osipov. Materials 15, 4653 (2022). DOI: 10.3390/ma15134653
S.A. Kukushkin, A.V. Osipov, I.P. Soshnikov. Rev. Adv. Mater. Sci. 52, 29 (2017)
М.Е. Компан, И.Г. Аксянов, И.В. Кулькова, С.А. Кукушкин, А.В. Осипов, Н.А. Феоктистов. ФТТ 51, 12, 2326 (2009)
H.W. Shim, K.C. Kim, Y.H. Seo, K.S. Nahm, E.-K. Suh, H.J. Lee, Y.G. Hwang. Appl. Phys. Lett. 70, 13, 31 1757 (1997). DOI: 10.1063/1.118648

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель