На примере формирования эпитаксиальных слоев карбида кремния на кремнии методом согласованного замещения атомов проведены исследования эволюции структуры при фазовых превращениях в многокомпонентных кристаллах с химическими реакциями. Обнаружено существенное изменение во времени микроструктуры и свойств слоев образующегося SiC. Анализ микроструктуры и свойств слов SiC/Si проведен при помощи метода фотолюминесценции (ФЛ), метода дифракции быстрых электронов (ДБЭ), метода спектроскопической эллипсометрии (СЭ), а эволюция структуры межфазной границы раздела SiC-Si исследована при помощи метода растровой электронной микроскопии (РЭМ). Установлено, что в течение первых пяти минут синтеза происходит изменение реконструкции поверхности SiC, кроме того, упругие деформации сменяются с сжимающих на растягивающие. Обнаружено, что в процессе синтеза SiC на Si(111) в результате реконструкции поверхности SiC может сформироваться как структура (3x3), так и структура (2x1). Ключевые слова: карбид кремния на кремнии, реконструкция поверхности, топохимические реакции, упругие деформации, люминесценция, диффузионная зона, наноструктуры, эволюция микроструктуры, AlN, GaN, AlGaN.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.