Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Исследование характеристик ТМР-сенсора на основе магнитных туннельных переходов с одноосной кристаллической анизотропией в свободном слое
The Ministry of Science and Higher Education of the Russian Federation Federation , No. 075–11-2022-046).
1Новые спинтронные технологии, Российский квантовый центр, Инновационный центр Сколково, Московск. обл., Москва, Россия 
2Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, Москва, Россия
2Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, Москва, Россия
Email: m.shkanakina@nst.tech
Поступила в редакцию: 18 апреля 2024 г.
В окончательной редакции: 18 апреля 2024 г.
Принята к печати: 8 мая 2024 г.
Выставление онлайн: 18 июня 2024 г.
Представлен подход к проектированию туннельного магниторезистивного сенсора на основе магнитных туннельных переходов со свободным слоем с плоскостной кристаллической анизотропией, направленной ортогонально намагниченности слоя поляризатора. Выполнено подробное исследование влияния формы магнитного туннельного перехода, туннельного магнетосопротивления и поля кристаллической анизотропии на чувствительность и передаточную характеристику ТМР-сенсора. Ключевые слова: магнитный туннельный переход, магнитный туннельный переход со свободным слоем с плоскостной кристаллической анизотропией, направленной ортогонально намагниченности слоя поляризатора, спинтроника, проектирование сенсора, ТМР-сенсор, туннельный магниторезистивный сенсор, передаточная характеристика сенсора, чувствительность сенсора.
- M.J. Caruso, L.S. Withanawasam. Sensors Expo Proc. 477, 39 (1999)
- P. Ripka, M. Janosek. IEEE Sensors J. 10, 6, 1108 (2010)
- C. Reig, S. Cardoso, S.C. Smart. Sensors, Meas. Instrum. 6, 1, 1 (2013)
- M.D. Cubells-Beltran, C. Reig, J. Madrenas, A. de Marcellis, J. Santos, S. Cardoso, P. Freitas. Sensors 16, 6, 939 (2016)
- C. Ye, Y. Wang, Y. Tao. IEEE Transact. Instrum. Meas. 68, 7, 2594 (2018)
- A.V. Silva, D.C. Leitao, J. Valadeiro, J. Amaral, P. Freitas, S. Cardoso. Eur. Phys. J. Appl. Phys. 72, 1, 10601 (2015)
- D.W. Guo, F.A. Cardoso, R. Ferreira, E. Paz, S. Cardoso, P.P. Freitas. J. Appl. Phys. 115, 17 (2014)
- S.S. Parkin, C. Kaiser, A. Panchula, P.M. Rice, B. Hughes, M. Samant. Nature Mater. 3, 12, 862 (2004)
- S. Yuasa, T. Nagahama, A. Fukushima, Y. Suzuki. Nature Mater. 3, 12, 868 (2004)
- J.S. Moodera, L.R. Kinder, T.M. Wong. Phys. Rev. Lett. 74, 16, 3273 (1995)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
