Вышедшие номера
Эффект Холла и квантовые осцилляции магнитосопротивления в топологическом изоляторе Bi2Se3. Роль объемных и поверхностных носителей
Министерство науки и высшего образования РФ , Спин, 122021000036-3
Институт физики металлов им. М.Н. Михеева (ИФМ УрО РАН), м 24-23
Фоминых Б.М.1, Перевалова А.Н.1, Наумов С.В.1, Чистяков В.В.1, Марченков В.В.1
1Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
Email: bogdan.fominyh@mail.ru
Поступила в редакцию: 12 апреля 2024 г.
В окончательной редакции: 18 апреля 2024 г.
Принята к печати: 18 апреля 2024 г.
Выставление онлайн: 22 мая 2024 г.

При температурах 5 и 10 K и в магнитных полях до 9 T измерены полевые зависимости магнитосопротивления и сопротивления Холла монокристалла топологического изолятора Bi2Se3. Показано, что эффект Холла обусловлен объемными носителями, тогда как осцилляции Шубникова-де Гааза связаны с двумерными носителями. Ключевые слова: монокристалл Bi2Se3, рост кристаллов, поверхность Ферми, фаза Берри, осцилляции Шубникова-де Гааза.