Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Эффекты резистивного переключения в пленках на основе нанокристаллов неорганических перовскитов CsPbBr3(I3), сопряженного полимера P3HT и [60]PCBM
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Email: strontiumx94@gmail.com
Поступила в редакцию: 20 февраля 2024 г.
В окончательной редакции: 29 февраля 2024 г.
Принята к печати: 1 марта 2024 г.
Выставление онлайн: 22 апреля 2024 г.
Разработка надежных оптико-электронных мемристоров имеет решающее значение для успешного развития нейроморфных систем, однако существующие устройства страдают от неконтролируемой динамики миграции ионов, приводящей к непредсказуемым параметрам резистивного переключения. В настоящей работе были получены структуры с использованием нанокристаллов неорганических перовскитов - квантовых точек CsPbBr3(I3), пленок сопряженного полимера поли(3-гексилтиофена) (P3HT) и производного фуллерена [60]PCBM. Были исследованы морфология и оптоэлектронные свойства полученных сaндвич-структур. Установлено, что при 300 K полученные образцы демонстрируют эффект памяти, заключающийся в переключении из высоко- в низкорезистивное состояние при подаче напряжения. Обсуждается природа наблюдаемого в таких структурах эффекта памяти, связанного с захватом носителей заряда ловушками, а также перспективы использования подобных материалов в нейроморфных интерфейсах и для изготовления ячеек памяти - мемристоров. Ключевые слова: неорганические перовскиты, механизмы транспорта, резистивное переключение, мемристоры, проводящие полимеры.
- Q. Li, T. Li, Y. Zhang, Y. Yu, Z. Chen, L. Jin, Y. Li, Y. Yang, H. Zhao, J. Li, J. Yao. Org. Electron. 77, 105461 (2020)
- Z. Hao, H. Wang, S. Jiang, J. Qian, X. Xu, Y. Li, M. Pei, B. Zhang, J. Guo, H. Zhao, J. Chen, Y. Tong, J. Wang, X. Wang, Y. Shi, Y. Li. Adv. Sci. 9, 2103494 (2022)
- T.Y. Wang, J.L. Meng, Z.Y. He, L. Chen, H. Zhu, Q.Q. Sun, S.J. Ding, P. Zhou, D.W. Zhang. Adv. Sci. 7, 1903480 (2020)
- S. Liu, J. Zeng, Q. Chen, G. Liu. Front. Phys. 19, 23501 (2024)
- Y.N. Zhong, T. Wang, X. Gao, J.L. Xu, S.D. Wang. Adv. Funct. Mater. 28, 1800854 (2018)
- N.A. Tulina, I.Y. Borisenko, V.V. Sirotkin. Phys. Lett. A 372, 6681 (2008)
- Z. Ma, J. Ge, W. Chen, X. Cao, S. Diao, Z. Liu, S. Pan. ACS Appl. Mater. Interfaces 14, 21207 (2022)
- V. Mikheev, A. Chouprik, Y. Lebedinskii, S. Zarubin, A.M. Markeev, A.V. Zenkevich, D. Negrov, Nanotechnology 31, 215205 (2020)
- Z. Shen, C. Zhao, Y. Qi, I.Z. Mitrovic, L. Yang, J. Wen, Y. Huang, P. Li, C. Zhao. Micromachines 11, 341 (2020)
- A.N. Aleshin, I.P. Shcherbakov, O.P. Chikalova-Luzina, L.B. Matyushkin, M.K. Ovezov, A.M. Ershova, I.N. Trapeznikova, V.N. Petrov. Synthetic Met. 260, 116291 (2020)
- A.N. Aleshin. Nanobiotechnology Rep. 17, 873 (2022)
- G.V. Nenashev, A.N. Aleshin, I.P. Shcherbakov, V.N. Petrov. Solid State Commun. 348--349, 114768 (2022)
- T.K. Su, W.K. Cheng, C.Y. Chen, W.C. Wang, Y.T. Chuang, G.H. Tan, H.C. Lin, C.H. Hou, C.M. Liu, Y.C. Chang, J.J. Shyue, K.C. Wu, H.W. Lin. ACS Nano 16, 12979 (2022)
- R.A. John, Y. Demirag, Y. Shynkarenko, Y. Berezovska, N. Ohannessian, M. Payvand, P. Zeng, M.I. Bodnarchuk, F. Krumeich, G. Kara, I. Shorubalko, M.V. Nair, G.A. Cooke, T. Lippert, G. Indiveri, M.V. Kovalenko. Nature Commun. 13, 2074 (2022)
- Н.И. Алексеев, А.Н. Алешин. ФТТ 66, 377 (2024)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
