Физика твердого тела

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2025
- 1 2 3
2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Ab initio расчет структуры и частотные зависимости диэлектрических свойств новых полупроводников TlIn_1-xTm_xS₂ (x=0.001 и 0.005)

Мустафаева С.Н.¹, Асадов С.М.^2,3, Гусейнова С.С^1,4

¹Институт физики МНОA, Баку, Азербайджан Institute of Physics of the IOA, Baku, Azerbaijan

²Институт катализа и неорганической химии им. М.Ф. Hагиева МНОA, Баку, Азербайджан Nagiev Institute of Catalysis and Inorganic Chemistry of Azerbaijan National Academy of Sciences, Baku, Azerbaijan

Nagiev Institute of Catalysis and Inorganic Chemistry of Azerbaijan National Academy of Sciences, Baku, Azerbaijan

³Научно-исследовательский институт "Геотехнологические проблемы нефти, газа и химия" АГУНП, Баку, Азербайджан Nagiyev Institute of Catalysis and Inorganic Chemistry, Azerbaijan National Academy of Sciences, Baku, Azerbaijan

Nagiyev Institute of Catalysis and Inorganic Chemistry, Azerbaijan National Academy of Sciences, Baku, Azerbaijan

⁴Университет Хазар, Баку, Азербайджан Khazar University, Baku, Azerbaijan

Email: solmust@gmail.com

Поступила в редакцию: 3 февраля 2024 г.

В окончательной редакции: 3 февраля 2024 г.

Принята к печати: 4 февраля 2024 г.

Выставление онлайн: 22 апреля 2024 г.

PDF версия

Проведены исследования моноклинной структуры TlIn_1-xTm_xS₂ в рамках теории функционала плотности (DFT). Рассмотрены случаи замещения атомов индия тулием. Параметры элементарной ячейки определялись в оптимизированных суперъячейках TlInS₂ с учетом приближения локальной плотности. На основе расчетов моноклинной структуры с пространственной группой C/2c (координационное число Z=16, N 15) теоретически определены параметры решетки для слоистого кристалла TlIn_1-xTm_xS₂ и сопоставлены с экспериментальными результатами. В кварцевых ампулах были синтезированы новые полупроводниковые поликристаллы составов TlIn_1-xTm_xS₂ (x=0, 0.001 и 0.005), из которых методом направленной кристаллизации выращены соответствующие монокристаллы. Анализ рентгеновских дифрактограмм показывает, что все составы TlIn_1-xTm_xS₂ имеют устойчивую моноклинную сингонию с пр. гр. C/2c. Вычисленные параметры элементарной ячейки образцов TlIn_1-xTm_xS₂ подтверждают это. В монокристаллах изучены диэлектрические свойства в переменных электрических полях частотой f=5· 10^4-3.5·10⁷ Hz при комнатной температуре. Установлены релаксационный характер диэлектрической проницаемости, природа диэлектрических потерь, а также прыжковый механизм переноса заряда в образцах TlIn_1-xTm_xS₂. С использованием модели Мотта рассчитаны параметры локализованных состояний в кристаллах образцов TlIn_1-xTm_xS₂. Показано, что по сравнению с нелегированным TlInS₂ проводимость на переменном токе, плотность локализованных состояний вблизи уровня Ферми, среднее расстояние и время прыжков носителей заряда в TlIn_1-xTm_xS₂ увеличиваются. Ключевые слова: моноклинная структура, DFT LDA, монокристалл TlInS₂, влияние легирования, примесь тулия, параметры элементарной ячейки, диэлектрическая проницаемость, прыжковая проводимость, частотная дисперсия, диэлектрические потери.

С.Н. Мустафаева, М.М. Асадов. ФТТ 61, 11, 2030 (2019). [S.N. Mustafaeva, M.M. Asadov. Phys. Solid State 51, 11, 1999 (2004). https://doi.org/10.1134/S1063783419110246]
О.Б. Плющ, А.Ю. Шелег. Кристаллография 44, 5, 873 (1999). [O.B. Plyushch, A.U. Sheleg. Crystal. Reports 44, 5, 813 (1999)]
T. Babuka, O.O. Gomonnaic, K.E. Glukhov, L.Yu. Kharkhalis, M. Sznajder, D.R.T. Zahn. Acta Phys. Pol. A 136, 4, 640 (2019). https://doi.org/10.12693/APhysPolA.136
W. Henkel, H.D. Hochheimer, C. Carlone, A. Werner, S. Ves, H.G. von Schnering. Phys. Rev. B 26, 6, 3211 (1982). https://doi.org/10.1103/PhysRevB.26.3211
H. Hahn, B. Wellman. Sci. Nature 54, 2, 42 (1967). https://doi.org/10.1007/bf00680166
K.-J. Range, G. Engert, W.A. Muller, A. Weiss. Z. Naturforsch B. 29, 181 (1974). https://doi.org/10.1515/znb-1974-3-410
T.J. Isaacs, J.D. Feichtner. J. Solid State Chem. 14, 3, 260 (1975). https://doi.org/10.1016/0022-4596(75)90030-4
Project 2D Materials Encyclopedia. TlInS₂. mp-632539. https://next-gen.materialsproject.org/materials/mp-632539/
С.Н. Мустафаева, М.М. Асадов, А.А. Исмайлов. ФТТ 51, 11, 2140 (2009). [S.N. Mustafaeva, M.M. Asadov. Phys. Solid State 51, 11, 2269 (2009). https://doi.org/10.1134/S1063783409110122]
А.А. Шелег, В.В. Шевцова, В.Г. Гуртовой, С.Н. Мустафаева, Э.М. Керимова. Поверхность 11, 39 (2013). [A.U. Sheleg, V.V. Shautsova, V.G. Hurtavy, S.N. Mustafaeva. J. Surf. Invest.: X-Ray, Synchrotron and Neutron Techniques. 7, 6, 1052 (2013)]. https://doi.org/10.1134/s1027451013060190]
С.Н. Мустафаева, М.М. Асадов, С.С. Гусейнова, Н.З. Гасанов, В.Ф. Лукичев. ФТТ 64, 6, 628 (2022). [S.N. Mustafaeva, M.M. Asadov, S.S. Huseynova, N.Z. Gasanov, V.F. Lukichev. Phys. Solid State 64, 6, 617 (2022)]. https://doi.org/ 10.21883/PSS.2022.06.53823.299]
S. Kashida, Y. Kobayashi. J. Phys. Condens. Matter 11, 4, 1027 (1999). https://doi.org/10.1088/0953-8984/11/4/010
O.V. Korolik, S.A. Kaabi, K. Gulbinas, A.V. Mazanik, N.A. Drozdov, V. Grivickas. J. Lumin. 187, 507 (2017). https://doi.org/10.1016/j.jlumin.2017.03.065
V. Grivickas, P. Scajev, V. Bikbajevas, O.V. Korolik, A.V. Mazanik. Phys. Chem. Chem. Phys. 21, 2102 (2019). https://doi.org/ 10.1039/c8cp06209a
M. Isik, N.M. Gasanly, F. Korkmaz. Phys. B: Condens. Matter 421, 50 (2013). https://doi.org/10.1016/j.physb.2013.03.046
A.F. Qasrawi, N.M. Gasanly. J. Mater. Sci. 41, 3569 (2006). https://doi.org/10.1007/s10853-005-5618-0
K.R. Allakhverdiev, N.D. Akhmed-zade, T.G. Mamedov, T.S. Mamedov, Mir-Gasan Yu. Seidov. Low Temp. Phys. 26, 1, 56 (2000). https://doi.org/10.1063/1.593863
M.M. El-Nahass, M.M. Sallam, A.H.S. Abd Al-Wahab. Curr. Appl. Phys. 9, 2, 311 (2009). https://doi.org/10.1016/j.cap.2008.02.011
С.Н. Мустафаева, М.М. Асадов, С.С. Гусейнова, Н.З. Гасанов, В.Ф. Лукичев. ФТТ 64, 6, 628 (2022). [S.N. Mustafaeva, M.M. Asadov, S.S. Huseynova, N.Z. Hasanov, V.F. Lukichev. Phys. Solid State 64, 6, 617 (2022). https://doi.org/10.21883/PSS.2022.06.53823.299]
N.F. Mott, E.A. Davis. Electronic Processes in Non-Crystalline Materials. OUP, Oxford, (2012). 590 p. ISBN: 9780199645336

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель