Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Механизм резистивного переключения в мемристорах на основе металлоорганических перовскитов
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Email: NIAlekseyev@yandex.ru
Поступила в редакцию: 29 декабря 2023 г.
В окончательной редакции: 8 февраля 2024 г.
Принята к печати: 11 февраля 2024 г.
Выставление онлайн: 13 марта 2024 г.
Проанализированы механизмы токопереноса в пленке металлорганического перовскита. Показано, что ток определяется преимущественно переносом ионов галогена и галогеновых вакансий, а вольт-амперные характеристики (ВАХ) структуры металл|перовскит|металл должны быть близки к экспоненциальным. Полученные экспериментальные ВАХ до момента резистивного переключения хорошо описываются моделью переноса электронов по границам зерен перовскита. Показана также возможность специфического механизма переключения, связанная с разбиением объема пленки на вихревые ячейки типа ячеек Бенара. Сделана оценка возможного размера таких ячеек и порога их образования. Ключевые слова: электропроводность, диссипативные структуры, физическая модель.
- F. Pan, S. Gao, C. Chen, C. Song, F. Zeng. Mater. Sci. Eng. 83, 1 (2014)
- D. Cooper, C. Baeumer, N. Bernier, A. Marchewka, C. La Torre, R.E. Dunin-Borkowski, S. Menzel, R. Waser, R. Dittmann. Adv. Mater. 29, 23, 1700212 (2017)
- A.N. Mikhaylov, E.G. Gryaznov, A.I. Belov, D.S. Korolev, A.N. Sharapov, D.V. Guseinov, D.I. Tetelbaum, S.V. Tikhov, N.V. Malekhonova, A I. Bobrov, D.A. Pavlov, S.A. Gerasimova, V.B. Kazantsev, N.V. Agudov, A.A. Dubkov, C.M.M. Rosario, N.A. Sobolev, B. Spagnolo. Phys. Status Solidi C 13, 10--12, 870 (2016).
- C. Eames, J.M. Frost, P.R.F. Barnes, B.C. O'Regan, A. Walsh, M. Saiful Islam. Nature Commun. 6, 1, 7497 (2015)
- A. Walsh, D.O. Scanlon, S. Chen, X.G. Gong, S.-H. Wei. Angewandte Chem. 54, 6, 1791 (2015)
- F.A. Kroger. The Chemistry of Imperfect Crystals. 2nd ed. North-Holland, Amsterdam (1974). V. 2
- F. Zheng, L.Z. Tan, S. Liu, A.M. Rappe. Nano Lett. 15, 12, 7794-800 (2015)
- T. Leijtens, S.D. Stranks, G.E. Eperon, R. Lindblad, E.M.J. Johansson, I.J. McPherson, H. Rensmo, J.M. Ball, M.M. Lee, H.J. Snaith. ACS Nano 8, 7, 7147 (2014)
- X. Guan, W. Hu, M.A. Haque, N. Wei, Z. Liu, A. Chen, T. Wu. Adv. Funct. Mater. 28, 3, 1704665 (2018)
- E. Yoo, M. Lyu, J.-H. Yun, C. Kang, Y. Choi, L. Wang. J. Mater. Chem. C 4, 33, 7824 (2016)
- J. Choi, S. Park, J. Lee, K. Hong, D.-H. Kim, C.W. Moon, G.D. Park, J. Suh, J. Hwang, S.Y. Kim, H.S. Jung, N.-G. Park, S. Han, K.T. Nam, H.W. Jang. Adv. Mater. 28, 31, 6562 (2016)
- X. Zhu, J. Lee, W.D. Lu. Adv. Mater. 29, 29, 1700527 (2017)
- J.M. Yang, S.G. Kim, J.Y. Seo, C. Cuhadar. Adv. Electron. Mater. 4, 9, 21800190 (2018)
- C. Gu, J.-S. Lee. ACS Nano 10, 5, 5413 (2016)
- F. Zhou, Y. Liu, X. Shen, M. Wang, F. Yuan, Y. Chai. Adv. Funct. Mater. 28, 15, 1800080 (2018)
- B. Hwang, J.-S. Lee. Adv. Mater. 29, 29, 1701048 (2017)
