Вышедшие номера
Механизм резистивного переключения в мемристорах на основе металлоорганических перовскитов
Алексеев Н.И.1,2, Алешин А.Н.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Email: NIAlekseyev@yandex.ru
Поступила в редакцию: 29 декабря 2023 г.
В окончательной редакции: 8 февраля 2024 г.
Принята к печати: 11 февраля 2024 г.
Выставление онлайн: 13 марта 2024 г.

Проанализированы механизмы токопереноса в пленке металлорганического перовскита. Показано, что ток определяется преимущественно переносом ионов галогена и галогеновых вакансий, а вольт-амперные характеристики (ВАХ) структуры металл|перовскит|металл должны быть близки к экспоненциальным. Полученные экспериментальные ВАХ до момента резистивного переключения хорошо описываются моделью переноса электронов по границам зерен перовскита. Показана также возможность специфического механизма переключения, связанная с разбиением объема пленки на вихревые ячейки типа ячеек Бенара. Сделана оценка возможного размера таких ячеек и порога их образования. Ключевые слова: электропроводность, диссипативные структуры, физическая модель.