Вышедшие номера
Поглощение микроволнового излучения и осцилляции магнитосопротивления в композитных квантовых ямах InAs/GaSb с инвертированным зонным спектром в квантующем магнитном поле (О б з о р)
Михайлова М.П.1, Иванов Э.В. 1, Семенихин П.В.1, Парфеньев Р.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: Mayamikh@mail.ru, Ed@mail.ioffe.ru, Psemenikhin@mail.ioffe.ru, R.Parfeniev@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 24 октября 2023 г.
В окончательной редакции: 22 декабря 2023 г.
Принята к печати: 11 февраля 2024 г.
Выставление онлайн: 13 марта 2024 г.

Обсуждаются магнитотранспортные свойства наногетероструктур на основе композитных квантовых ям InAs/GaSb с полуметаллическим зонным спектром, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений на подложках n-GaSb и n-InAs с различной концентрацией носителей. Экспериментальные результаты получены с помощью бесконтактной методики электронного парамагнитного резонанса при исследовании температурных и угловых зависимостей поглощения микроволнового излучения и осцилляций магнитосопротивления в широком интервале температур (2.7-270 K) и магнитных полей (до 1.4 T). Продемонстрирована возможность применения спектроскопии электронного парамагнитного резонанса для изучения спин-зависимых явлений в магнитном поле в двумерных гетероструктурах с инвертированным зонным спектром. В частности, обсуждаются магнитофононные осцилляции магнитосопротивления, обусловленные резонансным рассеянием 2D-электронов на интерфейсных акустических фононах в квантующем магнитном поле, которые были обнаружены и исследованы в гетероструктурах с квантовыми ямами InAs/GaSb, выращенных на подложке n0-InAs. Ключевые слова: композитная квантовая яма InAs/GaSb, инвертированный зонный спектр, электронный парамагнитный резонанс, поглощение микроволнового излучения, акустические фононы, осцилляции Шубникова-де Гааза, магнитофононные осцилляции магнитосопротивления.