Физика твердого тела

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2025
- 1 2 3 4
2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние внешнего поля и температуры на временную эволюцию тока утечки в пленочной структуре BiFeO₃/TiO₂(Nt)Ti

Гаджиев Г.М.¹, Рамазанов Ш.М.¹, Абакарова Н.С.¹, Эфендиева Т.Н.¹

¹Институт физики им. Х.И. Амирханова ДФИЦ РАН, Махачкала, Россия Amirkhanov Institute of Physics, Daghestan Federal Research Center, Russian Academy of Sciences, Makhachkala, Russia

Amirkhanov Institute of Physics, Daghestan Federal Research Center, Russian Academy of Sciences, Makhachkala, Russia

Email: ramazanv@mail.ru

Поступила в редакцию: 13 октября 2023 г.

В окончательной редакции: 15 января 2024 г.

Принята к печати: 18 января 2024 г.

Выставление онлайн: 14 февраля 2024 г.

PDF версия

Изучено поведение токов утечки пленочной структуры BiFeO₃/TiO₂(Nt)Ti (BFOT), полученной методом атомного слоевого осаждения феррита висмута на подложку из предварительно полученных нанотрубок диоксида титана, в зависимости от времени воздействия и величины электрического напряжения в области температур 28-250^oC. В структуре BFOT возникают электрически неоднородные состояния с объемным зарядом, что приводит к гистерезису ВАХ. Гистерезис и неоднородность зависят от времени релаксации. На временной зависимости токов утечки обнаружены особенности в виде тенденции к образованию максимума в интервале температур ~28-200^oC. При температуре T=250^oC максимум на временной зависимости стабилизируется и монотонно растет с увеличением приложенного напряжения. Для данной структуры определено характерное время t=0.5 s для зависимостей I(t) обусловленное захватом и высвобождением носителей с дефектных уровней. Ключевые слова: BiFeO₃, ток утечки, нанотрубки, тонкие пленки.

Д.А. Абдуллаев, Р.А. Милованов, Р.Л. Волков, Н.И. Боргардт, А.Н. Ланцев, К.А. Воротилов, А.С. Сигов. Рос. технол. журн. 8, 5, 44 (2020)
Alexander Cardona Rodri guez, Isabel C. Arango, Maria F. Gomez, Claribel Dominguez, Juan Trastoy, Christian Urban, Soumitra Sulekar, Juan C. Nino, Ivan K. Schuller, Maria E. Gomez, Juan Gabriel Rami rez. Solid State Commun. 288, 38 (2019)
J. Wang, J.B. Neaton, H. Zheng, V. Nagarajan, S.B. Ogale, B. Liu, D. Viehland, V. Vaithyanathan, D.G. Schlom, U.V. Waghmare, N.A. Spaldin, K.M. Rabe, M. Wuttig, R. Ramesh. Science 299, 1719 (2003)
W. Eerenstein, F.D. Morrison, J. Dho, M.G. Blamire, J.F. Scott, N.D. Mathur. Science 307, 1203 (2005)
J. Wang, A. Scholl, H. Zheng, S.B. Ogale, D. Viehland, D.G. Schlom, N.A. Spaldin, K.M. Rabe, M. Wuttig, L. Mohaddes, J. Neaton, U. Waghmare, T. Zhao, R. Ramesh. Science 307, 5713 (2005)
K.Y. Yun, M. Noda, M. Okuyama. Appl. Phys. Lett. 83, 3981 (2003)
Y.N. Venevtsev, G. Zhadanov, S. Solov'ev. Sov. Phys. Crystallogr. 4, 538 (1960)
G. Smolenskii, V. Isupov, A. Agranovskaya, N. Kranik. Sov. Phys. Solid State 2, 2651 (1961)
Zhen Zhao, Amr Abdelsamie, Rui Guo, Shu Shi3, Jianhui Zhao, Weinan Lin, Kaixuan Sun, Jingjuan Wang, Junling Wang, Xiaobing Yan, Jingsheng Chen. Nano Res. 15, 3, 2682 (2022)
G.W. Pabst, L.W. Martin, Y. Chu, R. Ramesh. Appl. Phys. Lett. 90, 072902 (2007)
A.Q. Jiang, C. Wang, K.J. Jin, X.B. Liu, J.F. Scott, C.S. Hwang, T.A. Tang, H.B. Lu, G.Zh. Yang. Adv. Mater. 23, 1277 (2011)
F. Yang, F. Liu, F. Ji, Y. Lin, M. Tang. Mater. Adv. 1, 2117 (2020)
Y. Yang, H. Zhu, D. Chu, K. Liu, Y. Zhang, M. Pei, Sh. Feng, L. Jin, C. Wang, J. Liu, R. Li, Si Wang. J. Phys. D 53, 115301 (2020)
F. Orudzhev, Sh. Ramazanov, D. Sobola, A. Isaev, Ch. Wang, A. Magomedova, M. Kadiev K. Kaviyarasu. Nanomaterials 10, 2183 (2020)
S. Ramazanov, F. Orudzhev, G. Gajiev, V. Holcman, R. Matos, H. da Fonseca Filho, S. Talu, D. Selimov. Appl. Surf. Sci. 647, 158863 (2024)
H. Yan, F. Inam, G. Viola, H. Ning, H. Zhang, Q. Jiang, T. Zeng, Zh. Gao, M.J. Reece. J. Adv. Dielectr. 1, 107118 (2011)
П.Т. Орешкин. Физика полупроводников и диэлектриков. Высш. шк., М. (1977). 448 с
С. Зи. Физика полупроводниковых приборов. Мир, М. (1984). Т. 1. 456 с
Л.П. Павлов. Методы измерения параметров полупроводниковых материалов. Высш. шк., М. (1987). 239 с
J. Kolte, P.H. Salame, A.S. Daryapurkar, P. Gopalan. AIP Advances 5, 097164 (2015)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель