Физика твердого тела

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Модуляция диэлектрической проницаемости фоторефрактивного полупроводника GaAs при записи голографической решетки

Министерство образования Республики Беларусь, Государственная программа научных исследований №6 «Фотоника и электроника для инноваций» на 2021–2025 гг. , задание 6.1.14

Навныко В.Н.

¹Мозырский государственный педагогический университет им. И.П. Шамякина, Мозырь, Республика Беларусь Mozyr State Pedagogical University named after I.P.Shamyakin, Mozyr, Republic of Belarus

Mozyr State Pedagogical University named after I.P.Shamyakin, Mozyr, Republic of Belarus

Email: valnav@inbox.ru

Поступила в редакцию: 3 декабря 2023 г.

В окончательной редакции: 21 января 2024 г.

Принята к печати: 22 января 2024 г.

Выставление онлайн: 14 февраля 2024 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Проанализированы особенности модуляции диэлектрической проницаемости фоторефрактивного кристалла GaAs при записи фазовой голографической решетки в результате когерентного взаимодействия двух световых волн. В кристаллографической системе координат построена поверхность, отображающая зависимость максимальных значений нормальной составляющей изменения компонент обратного тензора диэлектрической проницаемости кристалла от пространственной ориентации волнового вектора голограммы. При теоретических расчетах принимались во внимание линейный электрооптический, фотоупругий и обратный пьезоэлектрический эффекты. Установлено, что наибольшее значение нормальной составляющей изменения компонент обратного тензора диэлектрической проницаемости кристалла GaAs достигается в случае, если волновой вектор голограммы лежит в одной из плоскостей вида 110 и отстоит на угловом расстоянии 4^o от лежащей в плоскости оси вида <110>. Значение модуляции показателя преломления, близкое к наибольшей величине, может быть достигнуто при ориентации волнового вектора голограммы вдоль направления <110>. Ключевые слова: фоторефрактивный полупроводник, голографическая решетка, диэлектрическая проницаемость, двухволновое взаимодействие.

М.П. Петров, С.И. Степанов, А.В. Хоменко. Фоторефрактивные кристаллы в когерентной оптике. Наука, СПб (1992). 320 с
M.B. Klein. Opt. Lett. 9, 8, 350 (1984)
A. Marrakchi, J.P. Huignard, P. Gunter. Appl. Phys. 24, 131 (1981)
B. Imbert, H. Rajbenbach, S. Mallick, J.P. Herriau, J.P. Huignard. Opt. Lett. 13, 4, 327 (1988)
D.T.H. Liu, L.J. Cheng, A.E. Chiou, P. Yeh. Opt. Commun. 72, 6, 384 (1989)
L.J. Cheng, P. Yeh. Opt. Lett. 13, 1, 50 (1988)
K. Shcherbin, S. Odoulov, R. Litvinov, E. Shandarov, S. Shandarov. J. Opt. Soc. Am. B 13, 10, 2268 (1996)
D. Sharma, D. Mohan, U. Gupta. Appl. Phys. Lett. 98, 211119 (2011)
D. Sharma, U. Gupta, D. Mohan. J. Nonlinear Opt. Phys. Materials 21, 4, 1250053 (2012)
B. Jab onski, M. Wichtowski, A. Zio kowski, E. Weinert-Raczka. Opt Quant. Electron. 49, 182 (2017)
B. Jab onski, Weinert-Raczka. Opt. Laser Technology 134, 106617 (2021)
Z. Zhenzhen, J. Zhongqing, J. Guangrong, W. Qiwu. Opt. Lasers Eng. 106, 82 (2018)
H.J. Eichler, Y. Ding, B. Smandek. Phys. Rev. A 52, 3, 2411 (1995)
Y. Ding, H.J. Eichler. Opt. Commun. 110, 456 (1994)
K. Walsh, T.J. Hall, R.E. Burge. Opt. Lett. 12, 12, 1026 (1987)
B. Sugg, F. Kahmann, R.A. Rupp, Ph. Delaye, G. Roosen. Opt. Commun. 102, 6 (1993)
V.V. Shepelevich, S.F. Nichiporko, A.E. Zagorskiy, N.N. Egorov, Y. Hu, K.H. Ringhofer, E. Shamonina, V.Ya. Gayvoronsky. Ferroelectrics 266, 305 (2002)
С.М. Шандаров, Н.И. Буримов, Ю.Н. Кульчин, Р.В. Ромашко, А.Л. Толстик, В.В. Шепелевич. Квантовая электрон. 38, 11, 1059 (2008)
H. Kogelnik. Bell System Tech. J. 48, 9, 2909 (1969)
S. Mallick, M. Miteva, L. Nikolova. J. Opt. Soc. Am. B 14, 5, 1179 (1997)
В.Н. Навныко, А.В. Макаревич. ФТТ 65, 3, 451 (2023)
С.М. Шандаров, В.В. Шепелевич, Н.Д. Хатьков. Оптика и спектроскопия 70, 5, 1068 (1991)
М.П. Шаскольская. Кристаллография. Высш. шк., М. (1984). 376 с
A. Dargys, J. Kundrotas. Handbook on physical properties of Ge, Si, GaAs, InP. Science and Encyclop. Publishers, Vilnius (1994). 264 p
М.П. Мартьянов, С.М. Шандаров, Р.В. Литвинов. ФТТ 44, 6, 1006 (2002)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель