Вышедшие номера
Модификация функциональных характеристик спиновых светоизлучающих диодов InGaAs/GaAs/Al2O3/CoPt
Russian science foundation, 21-79-20186
Малышева Е.И.1, Дёмина П.Б.1, Ведь М.В.1, Дорохин М.В.1, Здоровейщев А.В.1, Кудрин А.В.1, Байдусь Н.В.1, Трушин В.Н.1
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: Malysheva@phys.unn.ru, demina@phys.unn.ru, ved@nifti.unn.ru, dorokhin@nifti.unn.ru, zdorovei@gmail.com, alex2983@yandex.ru, bnv@nifti.unn.ru, trushin@phys.unn.ru
Поступила в редакцию: 22 ноября 2023 г.
В окончательной редакции: 13 декабря 2023 г.
Принята к печати: 14 декабря 2023 г.
Выставление онлайн: 14 февраля 2024 г.

Сформированы и исследованы спиновые светоизлучающие диоды на основе гетероструктур InGaAs/GaAs и ферромагнитных контактов, представляющих собой сплав CoPtx, где состав варьировался в пределах (1≤ x≤ 2.5). Показано, что варьирование состава ферромагнитного контакта обеспечивает управление видом магнитополевой зависимости степени циркулярной поляризации электролюминесцентного излучения. Исследования показали, что управление осуществляется за счет модуляции магнитных характеристик пленок при варьировании состава. Полученный результат показывает возможность контроля с помощью магнитного поля переключения намагниченности контактов спинового светоизлучающего диода, что представляется полезным с практической точки зрения. Ключевые слова: магнитные тонкие пленки, спиновая инжекция, спиновые светодиоды, полупроводники AIIIBV.