Вышедшие номера
Намагниченность поликристаллического иттербия в области низкотемпературного структурного перехода
Шитов А.Е.1, Бурков А.Т. 1, Волков М.П. 1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: a.shitov@mail.ioffe.ru, a.burkov@mail.ioffe.ru, m.volkov@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 19 ноября 2023 г.
В окончательной редакции: 29 ноября 2023 г.
Принята к печати: 7 декабря 2023 г.
Выставление онлайн: 30 декабря 2023 г.

Температурные и магнитополевые зависимости магнитного момента M(T,H) поликристаллического иттербия исследованы в области фазового превращения из низкотемпературной плотноупакованной гексагональной структуры в высокотемпературную гранецентрированную кубическую. Зависимости M(T) имеют парамагнитный характер для обеих фаз и описываются законом Кюри-Вейсса во всей области температур, кроме T≤10 K. В области температур структурного превращения 150 K<T<400 K на зависимости M(T) наблюдается гистерезис, вид которого зависит от величины приложенного магнитного поля. Гистерезисная зависимость M(T) может рассматриваться как следствие переохлаждения высокотемпературной фазы иттербия при понижении температуры и, соответственно, перегрева низкотемпературной фазы при повышении температуры. При медленном охлаждении небольшая доля высокотемпературной фазы сохраняется вплоть до низких температур T~10 K. Зависимости магнитного момента от магнитного поля M(H), измеренные при одной и той же температуре, для разных ветвей магнитного гистерезиса, линейны вплоть до H=140 kOe. В малых полях наблюдается небольшая добавка ферромагнитного типа, связанная, вероятно, с наличием магнитной примеси или с локализованными вблизи структурных дефектов ионами Ключевые слова: намагниченность, парамагнетизм, низкие температуры, структурное превращение, иттербий.
  1. F.X. Kayser. Phys. Rev. Lett. 25, 10, 662 (1970)
  2. C.M. Hurd, J.E.A. Alderson. AIP Conf. Proc. 10, 1330 (1973)
  3. А.Т. Бурков, М.В. Ведерников, В.Г. Двуниткин, Т.В. Никифорова. Высокочистые вещества 5, 50 (1990)
  4. E. Bucher, P.H. Schmidt, A. Jayaraman, K. Andres, J.P. Maita, K. Nassau, P.D. Dernier. Phys. Rev. B 2, 3911 (1970)
  5. G.A. Lenkov, A.E. Shitov, A.T. Burkov, M.P. Volkov. Semiconductors 53, 1853 (2019)
  6. J.M. Lock. Proc. Phys. Soc. (London) В 70, 476 (1957)
  7. M. Ribault, A. Benoit, J. Flouquet, G. Chouteau. J. Phys. F 8, L145 (1978)
  8. M. Ribault, A. Benoit, J. Flouquet, G. Chouteau. J. de Physique Colloque 40, С 5, 391 (1979)
  9. R.M. Moon, H.R. Child, W.C. Koehler, L.J. Raubenheimer. J. App. Phys. 38, 3, 1383 (1967)
  10. V.M. Kuz'menko, A.N. Vladychkin. Low Temperature Phys. 29, 928 (2003)
  11. E.P. Skipetrov, N.A. Chernova, E.I. Slyn'ko, Yu.K. Vygranenko Phys. Rev. B 59, 12928 (1999)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.