Особенности микроструктуры наноразмерных преципитатов AsSb в LT-GaAsSb
Российский научный фонд, Проведение фундаментальных научных исследований и поисковых научных исследований малыми отдельными научными группами, 22-22-20105
Санкт-Петербургский научный фонд, Проведение фундаментальных научных исследований и поисковых научных исследований малыми отдельными научными группами, 25/2022
Снигирев Л.А.
1, Мясоедов А.В.
1, Берт Н.А.
1, Преображенский В.В.
2, Путято М.А.
2, Семягин Б.Р.
2, Чалдышев В.В.
11Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Email: leonidsnigirev17@gmail.com, amyasoedov88@gmail.com, nikolay.bert@mail.ioffe.ru, chald.gvg@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 24 ноября 2023 г.
В окончательной редакции: 24 ноября 2023 г.
Принята к печати: 24 ноября 2023 г.
Выставление онлайн: 6 декабря 2023 г.
Методом просвечивающей электронной микроскопии исследовано структурное состояние преципитатов AsSb, формирующихся в результате отжига эпитаксиального слоя нестехиометрического GaAs0.97Sb0.03, выращенного методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложке GaAs (001) при температуре 150oC. Обнаружены новые ориентационные соотношения между преципитатами AsSb с ромбоэдрической решеткой и матрицей LT-GaAsSb, подвергнутой изотермическому отжигу при температурах ниже 800oС в течение 15 min: 1012p||111m и <2201>||<110>m. Эти ориентационные соотношения отличаются от известных для преципитатов As (0003)p||111m; <1210>p||<110>m и реализуются для частиц размером менее ~10 nm. Для частиц размером менее ~7 nm результаты электронной микроскопии позволяют предположить переход к кубической фазе Pm3m. Ключевые слова: нестехиометрический GaAsSb, преципитация, просвечивающая электронная микроскопия, ориентационные соотношения.
- M.R. Melloch, J.M. Woodall, E.S. Harmon, N. Otsuka, F.H. Pollak, D.D. Nolte, R.M. Feenstra, M.A. Lutz. Annu. Rev. Mater. Sci. 25, 1, 547 (1995). doi: 10.1146/annurev.ms.25.080195.002555
- L.G. Lavrent'eva, M.D. Vilisova, V.V. Preobrazhenskii, V.V. Chaldyshev. Russ. Phys. J. 45, 8, 735 (2002). doi: 10.1023/A:1021965211576/METRICS
- X. Liu, A. Prasad, J. Nishio, E.R. Weber, Z. Liliental-Weber, W. Walukiewicz. Appl. Phys. Lett. 67, 2, 279 (1995). doi: 10.1063/1.114782
- M.R. Melloch, N. Otsuka, J.M. Woodall, A.C. Warren, J.L. Freeouf. Appl. Phys. Lett. 57, 15, 1531 (1990). doi: 10.1063/1.103343
- Н.А. Берт, А.И. Вейнгер, М.Д. Вилисова, С.И. Голощапов, И.В. Ивонин, С.В. Козырев, А.Е. Куницын, Л.Г. Лаврентьева, Д.И. Лубышев, В.В. Преображенский, Б.Р. Семягин, В.В. Третьяков, В.В. Чалдышев. ФТТ 35, 10, 2609 (1993)
- I.S. Gregory, C. Baker, W.R. Tribe, M.J. Evans, H.E. Beere, E.H. Linfield, A.G. Davies, M. Missous. Appl. Phys. Lett. 83, 20, 4199 (2003). doi: 10.1063/1.1628389
- A.A. Pastor, U.V. Prokhorova, P.Y. Serdobintsev, V.V. Chaldyshev, M.A. Yagovkina. Semiconductors 47, 8, 1137 (2013). doi: 10.1134/S1063782613080150/METRICS
- H. Tanoto, J.H. Teng, Q.Y. Wu, M. Sun, Z.N. Chen, S.A. Maier, B. Wang, C.C. Chum, G.Y. Si, A.J. Danner, S.J. Chua. Nat. Photonics 6, 2, 121 (2012). doi: 10.1038/nphoton.2011.322
- R. Jiang, S. Cheng, Q. Li, Q. Wang, Y. Xin. Laser Phys. 31, 3, 036203, (2021). doi: 10.1088/1555-6611/ABD935
- M. Currie. In: Photodetectors: Materials, Devices and Applications. Woodhead Publishing (2016). P. 121-155. doi: 10.1016/B978-1-78242-445-1.00005-1
- C. Tannoury, M. Billet, C. Coinon, J.F. Lampin, E. Peytavit. Electron. Lett. 56, 17, 897 (2020). doi: 10.1049/EL.2020.1116
- A. Claverie, Z. Liliental-Weber. Phil. Mag. A Phys. Condens. Matter, Struct. Defects Mech. Prop. 65, 4, 981 (1992). doi: 10.1080/01418619208205601
- N.A. Bert, V.V. Chaldyshev, A.A. Suvorova, V.V. Preobrazhenskii, M.A. Putyato, B.R. Semyagin, P. Werner. Appl. Phys. Lett. 74, 11, 1588 (1999). doi: 10.1063/1.123625
- J. Sigmund, C. Sydlo, H.L. Hartnagel, N. Benker, H. Fuess, F. Rutz, T. Kleine-Ostmann, M. Koch. Appl. Phys. Lett. 87, 25, 1 (2005). doi: 10.1063/1.2149977
- J. Sigmund, D. Pavlidis, H.L. Hartnagel, N. Benker, H. Fuess. J. Vac. Sci. Technol. B 24, 3, 1556 (2006). doi: 10.1116/1.2190677
- N.A. Bert, V.V. Chaldyshev, N.A. Cherkashin, V.N. Nevedomskiy, V.V. Preobrazhenskii, M.A. Putyato, B.R. Semyagin, V.I. Ushanov, M.A. Yagovkina. J. Appl. Phys. 125, 14 (2019). doi: 10.1063/1.5048076
- N. Bert, V. Ushanov, L. Snigirev, D. Kirilenko, V. Ulin, M. Yagovkina, V. Preobrazhenskii, M. Putyato, B. Semyagin, I. Kasatkin, V. Chaldyshev. Mater. 15, 21, 7597 (2022). doi: 10.3390/MA15217597
- Handbook of Mineralogy / Eds John W. Anthony, Richard A. Bideaux, Kenneth W. Bladh. Mineralogical Society of America, Chantilly, VA 20151-1110, USA
- D.P. Shoemaker, T.C. Chasapis, D. Do, M.C. Francisco, D. Young Chung, S.D. Mahanti, A. Llobet, M.G. Kanatzidis. Phys. Rev. B 87, 94201 (2013). doi: 10.1103/PhysRevB.87.094201
- V.V. Chaldyshev, N.A. Bert, A.E. Romanov, A.A. Suvorova, A.L. Kolesnikova, V.V. Preobrazhenskii, M.A. Putyato, B.R. Semyagin, P. Werner, N.D. Zakharov, A. Claverie. Appl. Phys. Lett. 80, 3, 377 (2002). doi: 10.1063/1.1426691
- V.V. Chaldyshev, A.L. Kolesnikova, N.A. Bert, A.E. Romanov. J. Appl. Phys. 97, 2 (2005). doi: 10.1063/1.1833581/930326
- V.I. Ushanov, V.V. Chaldyshev, N.A. Bert, V.N. Nevedomsky, N.D. Il'inskaya, N.M. Lebedeva, V.V. Preobrazhenskii, M.A. Putyato, B.R. Semyagin. Semiconductors 49, 12, 1587 (2015). doi: 10.1134/S1063782615120234/METRICS
- Л.А. Снигирев, В.И. Ушанов, А.А. Иванов, Н.А. Берт, Д.А. Кириленко, М.А. Яговкина, В.В. Преображенский, М.А. Путято, Б.Р. Семягин, И.А. Касаткин, В.В. Чалдышев. ФТП 57, 1, 71 (2023). doi: 10.21883/ftp.2023.01.54933.4545
- V.M. Silkin, S.V. Eremeev, V.I. Ushanov, V.V. Chaldyshev. Nanomater. 13, 8, 1355 (2023). doi: 10.3390/NANO13081355
- D.J. Eaglesham, L.N. Pfeiffer, K.W. West, D.R. Dykaar. Appl. Phys. Lett. 58, 1, 65 (1991). doi: 10.1063/1.104446
- Z. Liliental-Weber, W. Swider, K.M. Yu, J. Kortright, F.W. Smith, A.R. Calawa. Appl. Phys. Lett. 58, 19, 2153 (1991). doi: 10.1063/1.104990
- Л.А.Снигирев, Н.А. Берт, В.В. Преображенский, М.А. Путято, Б.Р. Семягин, В.В. Чалдышев. ФТП 57, 6, 507 (2023)
- D. Akhtar, V.D. Vankar, T.C. Goel, K.L. Chopra. J. Mater. Sci. 14, 4, 988 (1979). doi: 10.1007/BF00550732/METRICS
- X.S. Wang, S.S. Kushvaha, Z. Yan, W. Xiao. Appl. Phys. Lett. 88, 23, 233105 (2006). doi: 10.1063/1.2208374
- T. Gupta, K. Elibol, S. Hummel, M. Stoger-Pollach, C. Mangler, G. Habler, J.C. Meyer, D. Eder, B.C. Bayer. npj 2D Mater. Appl. 5, 1, 1 (2021). doi: 10.1038/s41699-021-00230-3
- A.L. Coleman, M.G. Gorman, R. Briggs, R.S. McWilliams, D. McGonegle, C.A. Bolme, A.E. Gleason, D.E. Fratanduono, R.F. Smith, E. Galtier, H.J. Lee, B. Nagler, E. Granados, G.W. Collins, J.H. Eggert, J.S. Wark, M.I. McMahon. Phys. Rev. Lett. 122, 25 (2019). doi: 10.1103/PhysRevLett.122.255704
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
