Примесные уровни электронов в 2D-структурах, сформированные магнитными краевыми состояниями
Махмудиан М.М.1,2, Чаплик А.В.1,2
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
Email: mahmood@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 26 сентября 2023 г.
В окончательной редакции: 26 сентября 2023 г.
Принята к печати: 1 ноября 2023 г.
Выставление онлайн: 6 декабря 2023 г.
Теоретически исследованы связанные состояния на примесном центре, возникающие в двумерном электронном газе в сильном поперечном магнитном поле с учетом влияния границ образца. В краевых состояниях сохраняется одна компонента импульса электрона, т. е. движение становится эффективно одномерным. На примере полосы конечной ширины получено уравнение, которое определяет энергию примесного состояния и является обобщением известного результата для мелкой потенциальной ямы в одномерной системе на случай произвольного закона дисперсии. Численно найдены энергии примесных уровней, относящихся к нулевой магнитной подзоне. Ключевые слова: двумерный электронный газ, квантующее магнитное поле, краевые состояния, примесные уровни.
- Ю.А. Бычков. ЖЭТФ 39, 689 (1960)
- B.I. Halperin. Phys. Rev. B 25, 2185 (1982)
- A.H. Macdonald, P. Streda. Phys. Rev. B 29, 1616 (1984)
- D.A. Abanin, P.A. Lee, L.S. Levitov. Phys. Rev. Lett. 96, 176803 (2006).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.