Вышедшие номера
Структура и рекомбинационные свойства двойниковых границ в kappa-фазе оксида галлия
Российский научный фонд, 23-23-00202
Вывенко О.Ф. 1, Бондаренко А.С.1, Убыйвовк Е.В.1, Шапенков С.В.1,2, Печников А.И.2, Николаев В.И.2, Степанов С.И.2
1Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: vyvenko@gmail.com, seva.shapenkov@yandex.ru
Поступила в редакцию: 18 мая 2023 г.
В окончательной редакции: 7 сентября 2023 г.
Принята к печати: 30 октября 2023 г.
Выставление онлайн: 6 декабря 2023 г.

Последние исследования структуры метастабильной гексагональной ε-фазы оксида галлия установили, что она состоит из ориентированных нанодоменов орторомбической kappa-фазы. В данной работе продемонстрировано, что при получении kappa-фазы оксида галлия эпитаксиальным ростом на нитриде галлия образуются гексагонально-призматические микрокристаллы, состоящие из поворотных доменов со встроенными протяженными антифазными границами. Обнаружено, что доменные и антифазные границы характеризуются пониженной интенсивностью люминесценции. Ключевые слова: оксид галлия, kappa-Ga2O3, домены, рекомбинация, ПЭМ.