Трибоэлектрическая генерация при трении проводящего зонда о поверхность GaAs
Российский научный фонд, 22-22-20084
Санкт-Петербургский научный фонд , № 24/2022
Алексеев П.А.1, Шаров В.А.1, Малых Д.А.1, Дунаевский М.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: prokhor@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 12 мая 2023 г.
В окончательной редакции: 31 августа 2023 г.
Принята к печати: 30 октября 2023 г.
Выставление онлайн: 6 декабря 2023 г.
Исследована генерация трибоэлектрического тока при трении проводящего зонда о поверхность GaAs со слоем естественного оксида. Показано, что трибоэлектрический ток в GaAs на два порядка превышает ток в Si и полярность тока определяется разностью работ выхода между зондом и поверхностью GaAs. Увеличение трибоэлектрического тока в GaAs по сравнению с Si обусловлено высокой плотностью поверхностных состояний и туннелированием электронов из зонда на них при трении. Ключевые слова: GaAs, трибоэлектричество, поверхностные состояния.
- R. Yang, R. Xu, W. Dou, M. Benner, Q. Zhang, J. Liu. Nano Energy 83, 105849 (2021). DOI: 10.1016/j.nanoen.2021.105849
- S. Lin, R. Shen, T. Yao, Y. Lu, S. Feng, Z. Hao, H. Zheng, Y. Yan, E. Li. Adv. Sci. 6, 24, 1901925 (2019). DOI: 10.1002/advs.201901925
- M. Wang, J. Yang, S. Liu, Y. Meng, Y. Qin, X. Li. Adv. Mater. Technol. 8, 3, 2200677 (2023). DOI: 10.1002/admt.202200677
- V.A. Sharov, P.A. Alekseev, B.R. Borodin, M.S. Dunaevskiy, R.R. Reznik, G.E. Cirlin. ACS Appl. Energy Mater. 2, 6, 4395 (2019). DOI: 10.1021/acsaem.9b00576
- Z. Zhang, D. Jiang, J. Zhao, G. Liu, T. Bu, C. Zhang, Z.L. Wang. Adv. Energy Mater. 10, 9, 1903713 (2020). DOI: 10.1002/aenm.201903713
- J. Liu, M. Miao, K. Jiang, F. Khan, A. Goswami, R. McGee, Z. Li, L. Nguyen, Z. Hu, J. Lee. Nano Energy 48, 320 (2018). DOI: 10.1016/j.nanoen.2018.03.068
- K.P. Olson, C.A. Mizzi, L.D. Marks. Nano Lett. 22, 10, 3914 (2022). DOI: 10.1021/acs.nanolett.2c00107
- P.A. Alekseev, M.S. Dunaevskiy, G.E. Cirlin, R.R. Reznik, A.N. Smirnov, D.A. Kirilenko, V.Y. Davydov, V.L. Berkovits. Nanotechnology 29, 31, 314003 (2018). DOI: 10.1088/1361-6528/aac480
- H. Hasegawa, H. Ohno. J. Vacuum Sci. Technology B 4, 4, 1130 (1986). DOI: 10.1116/1.583556
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.