Вышедшие номера
Home » Физика твердого тела » Год 2023, выпуск 11 » Статья стр. 2028
<<<>>>
Образование и свойства поверхностного фосфида на рении
DOI: 10.61011/FTT.2023.11.56562.212
Рутьков Е.В.1, Афанасьева Е.Ю.1, Галль Н.Р.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: rutkov@ms.ioffe.ru, afanaseva@ms.ioffe.ru, gall@ms.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 26 сентября 2023 г.
В окончательной редакции: 26 сентября 2023 г.
Принята к печати: 2 октября 2023 г.
Выставление онлайн: 1 ноября 2023 г.
PDF версия
Изучена адсорбция молекул PCl3 на (10=10)Re в широкой области температур 300-2000 K. Показано, что при комнатной температуре молекулы PCl3 хемосорбируются на поверхности, видимо, в частично диссоциированной форме. При T~ 800 K начинается термическая десорбция хлора, и при T>1100 K на поверхности остается только фосфор. При адсорбции PCl3 в интервале T=1100-1200 K образуется поверхностное соединение со стехиометрией ReP. Образованное поверхностное соединение начинает распадаться при 1200 K в результате термической десорбции; окончательно атомы P уходят с поверхности рения при T~ 1850 K, что соответствует изменению энергии активации десорбции от 3.3 до 5.1 eV. Ключевые слова: фосфор, рений, адсорбция, поверхностное соединение, термическая десорбция.
  1. Е. Фромм, Е. Гебхард. Газы и углерод в металлах. Металлургия, М. (1980). 706 c
  2. M. Guttmann, D. McLean. In: Interfacial Segregation / Ed. W.C. Johnson, J.M. Blakely. American Society for Metals. Metal Park, Ohio (1979). P. 261
  3. Физическое металловедение / Под ред. Р. Кана. Мир, М. (1968). Т. 2. 484 с
  4. Ф. Коттон, Дж. Уилкинсон. Современная неорганическая химия. Мир, М. (1969). Т. 2. С. 339
  5. C.N.R. Rao, G. Ranga Rao. Surf. Sci. Rep. 13, 7, 223 (1991). https://doi.org/10.1016/0167-5729(91)90014-O
  6. M.W. Roberts, C.S. McKee. Chemistry of the metal-gas interface. Clarendon Press, Oxford (1978). P. 300-331
  7. L.R. Clavenna, L.D. Schmidt. Surf. Sci. 22, 365 (1970). https://doi.org/10.1016/0039-6028(70)90089-0
  8. Н.Р. Галль, Е.В. Рутьков, А.Я. Тонтегоде. Письма в ЖТФ 26, 12, 31 (2000)
  9. Г.К. Боресков. Гетерогенный катализ. Наука, М. (1988). 304 с
  10. N.R. Gall, E.V. Rut'kov, A.Ya. Tontegode. Thin Solid Films 266, 2, 229 (1995). https://doi.org/10.1016/0040-6090(95)06572-5
  11. В.С. Фоменко. Эмиссионные свойства материалов. Справочник. Наук. думка, Киев (1981). 360 с
  12. L.E. Davice, N.C. McDonald, P.W. Palmberg, G.E. Rich, R.E. Weber. Handbook of Auger Electron Spectroscopy. Physical Electronics Ind., Eden Prerie (1976)
  13. Ф. Бехштедт, Р. Эндерлайн. Поверхности и границы раздела полупроводников. Мир, М. (1990). 484 с
  14. N.R. Gall, E.V. Rut'kov, A.Ya. Tontegode, M.M. Usufov. Phys Low Dim. Struct. 3/4, 27 (1999)
  15. N.R. Gall, E.V. Rut'kov, A.Ya. Tontegode, M.M. Usufov. Phys Low Dim. Struct. 9/10, 17 (1998)
  16. Н.Р. Галль, Е.В. Рутьков, А.Я. Тонтегоде, М.М. Усуфов. ФТТ 38, 8, 2541 (1996)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme