Электризация поверхности кварцевых стекол электронными пучками
Российский научный фонд, 23-22-00083
Татаринцев А.А.
1, Зыкова Е.Ю.
1, Иешкин А.Е.
1, Орликовская Н.Г.
1, Рау Э.И.
11Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
Email: tatarintsev@physics.msu.ru, zykova@phys.msu.ru, ieshkin@physics.msu.ru, orlikovskayang@gmail.com
Поступила в редакцию: 5 мая 2023 г.
В окончательной редакции: 5 мая 2023 г.
Принята к печати: 10 мая 2023 г.
Выставление онлайн: 11 августа 2023 г.
Для установления влияния допорогового дефектообразования на накопление заряда в кварцевых стеклах проведено комплексное исследование процесса их электризации электронными пучками. Ранее было показано, что процесс радиационной электризации кварцевых стекол состоит из двух стадий. Кратковременная стадия зарядки может быть объяснена накоплением заряда на исходные ловушечные центры, а долговременная составляющая может быть вызвана генерацией глубоких ловушечных центров, способных к захвату электронов. В исследуемых образцах кварца центрами захвата могут являться трехкоординированные атомы кремния (E'-центры). Наличие двух стадий процесса зарядки подтверждено двумя разными методами определения поверхностного потенциала. Несмотря на рост потенциала поверхности в процессе облучения и вызванное им уменьшение энергии падающих электронов, наблюдается увеличение интенсивности катодолюминесцентного сигнала. Такой рост интенсивности может быть вызван ростом числа люминесцирующих дефектов в кварце - двухкоординированного атома кремния или немостикового атома кислорода, а также накоплением заряда на конкурирующих безызлучательных ловушечных центрах. Ключевые слова: радиационная электризация диэлектриков, кварцевые стекла, зарядка при электронном облучении, радиационное дефектообразование, кинетика зарядки диэлектриков. DOI: 10.21883/FTT.2023.08.56145.79
- M.I. Ojovan, B.E. Burakov, W.E. Lee. J. Nucl. Mater. 501, 162 (2018)
- Л.С. Новиков. Радиационные воздействия на материалы космических аппаратов. Университет. книга, М. (2010). 192 c
- J. Cazaux. J. Appl. Phys. 89, 8265 (2001)
- A. Melchinger, S. Hofmann. J. Appl. Phys. 78, 6224 (1995)
- N. Cornet, D. Goeuriot, C. Guerret-Piecourt, D. Juve, D. Treheux, M. Touzin, H.-J. Fitting. J. Appl. Phys. 103, 064110 (2008)
- Э.И. Рау, А.А. Татаринцев. ФТТ 63, 4, 483 (2021). [E.I. Rau, A.A. Tatarintsev. Phys. Solid State 63, 4, 574 (2021)]
- E.I. Rau, A.A. Tatarintsev. J. Appl. Phys. 132, 184102 (2022). doi.org/10.1063/5.0104628
- J.P. Vigouroux, J.P. Duraud, A. Le Moel, C. Le Gressus, D.L. Griscom. J. Appl. Phys. 57, 12, 5139 (1985). DOI: 10.1063/1.335247
- K.H. Oh, C.K. Ong, B.T.G. Tan, G. Le Gressus. J. Appl. Phys. 74, 11, 6859 (1993). DOI: 10.1063/1.355087
- H. Gong, C.K. Ong. J. Appl. Phys. 75, 11, 449 (1994). DOI: 10.1063/1.355873
- K.H. Oh, C. Le Gressus, H. Gong, C.K. Ong, B.T.G. Tan, X.Z. Ding. J. Appl. Phys. 74, 2, 1250 (1993). DOI: 10.1063/1.354928
- B. Askri, K. Raouadi, R. Renoud, B. Yangui. J. Electrostat. 67, 695 (2009). DOI: 10.1016/j.elstat.2009.03.006
- S. Fakhfakh, O. Jbara, S. Rondot, A. Hadjadj, J.M. Patat, Z. Fakhfakh. J. Appl. Phys. 108, 093705 (2010). DOI: 10.1063/1.3499692
- S. Fakhfakh, O. Jbara, M. Belhaj, Z. Fakhfakh, A. Kallel, E.I. Rau. Eur. Phys. J. Appl. Phys. 21, 137 (2003). DOI: 10.1051/epjap
- H.-J. Fitting, T. Barfels, A. von Czarnowski, A.N. Trukhin. Mater. Sci. Eng. B 71, 109 (2000)
- D. Drouin, A.R. Couture, D. Joly, X. Tastet, V. Aimez, R. Gauvin. Scanning 29, 92 (2007)
- E.I. Rau, A.A. Tatarintsev, V.V. Khvostov, V.E. Yurasova. Vacuum 129, 142 (2016)
- H.J. Fitting. J. Electr. Spectr. Rel. Phemom. 136, 3, 265 (2004). DOI: 10.1016/j.elspec.2004.04.003
- С.В. Зайцев, Е.Ю. Зыкова, Э.И. Рау, А.А. Татаринцев, В.А. Киселевский. ПТЭ 6 (2023)
- L. Skuja. J. Non-Cryst. Solids 239, 16 (1998)
- H.-J. Fitting, T. Barfels, A.N. Trukhin, B. Schmidt. J. Non-Cryst. Solids 279, 51 (2001)
- L. Skuja, N. Ollier, K. Kajihara. Rad. Measurements 135, 106373 (2020)
- B. Balland. "Defects in silica films" in "Instabilities in silicone devices"/ Ed. G. Barbottin, A. Vapaille. North-Holland. (1986). P. 101--153
- К.Н. Орехова, А.Н. Трофимов, М.В. Заморянская, В. Стренк. Оптика и спектроскопия 120, 6, 956 (2016)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
