Вышедшие номера
Влияние границ зерен на электросопротивление манганитов La1-xKxMnO3
Гамзатов А.Г.1, Батдалов А.Б.1, Ханов Л.Н.1, Манкевич А.С.2, Корсаков И.Е.2, Кауль А.Р.2
1Институт физики им. Х.И. Амирханова Дагестанского научного центра РАН, Махачкала, Россия
2Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
Email: gamzatov_adler@mail.ru
Поступила в редакцию: 12 июля 2011 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2012 г.

Приводятся результаты исследования электросопротивления и магнитосопротивления манганитов La1-xKxMnO3 (x=0.05-0.175). Описано поведение электросопротивления rho(T) в пара- и ферромагнитной фазах. Для описания rho(T) вблизи температуры фазового перехода привлекаются представления теории перколяции. На зависимости rho(T) обнаружены два максимума, появление которых связывается с керамической природой исследованных образцов. Наблюдаемый рост магнитосопротивления с понижением температуры обусловлен межгранульным спин-поляризованным туннелированием носителей заряда. Работа выполнена при финансовой поддержке гранта РФФИ (09-08-96533, 11-02-01124-а) и программы ОФН РАН "Сильнокоррелированные электроны в твердых телах и структурах".