Методом электронно-лучевого испарения получены тонкие пленки Co на наклонных подложках Si(001). Установлено, что при углах падения испаряемого материала на подложку более 80^o (скользящее напыление) на поверхности подложки формируются массивы отдельно стоящих наноколонн Co с сечением ~25 nm и аспектным отношением (длина/поперечный размер) не менее 15. При этом ось легкого намагничивания пленки ориентируется вдоль оси наноколонн, что приводит к появлению компоненты вектора намагничивания, нормальной к поверхности пленки. При включении вращения подложки формируется массив наноспиралей. При быстром вращении подложки (30 rpm) ось легкого намагничивания приближается к нормали к поверхности пленки. При низкой скорости вращения подложки (0.6 rpm) формируется массив наноспиралей, придающий пленке выраженные хиральные свойства. Ключевые слова: наноструктурирование, тонкие пленки, напыление под углом, хиральные структуры.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.