Физика твердого тела

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Возбуждение терагерцевого излучения в p-n-гетероструктурах на основе a-Si:H/c-Si

DOI: 10.21883/FTT.2023.05.55503.27

Переводная версия: 10.21883/PSS.2023.05.56054.27

нет

Андрианов А.В. ¹, Алешин А.Н. ¹, Аболмасов С.Н.^1,2, Теруков Е.И. ^1,3,2, Захарьин А.О.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²НТЦ тонкопленочных технологий в энергетике, Санкт-Петербург, Россия R&D Center of Thin Film Technologies in Energetics under the Ioffe Institute LLC, St. Petersburg, Russia

R&D Center of Thin Film Technologies in Energetics under the Ioffe Institute LLC, St. Petersburg, Russia

³Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия St. Petersburg State Electrotechnical University “LETI", St. Petersburg, Russia

St. Petersburg State Electrotechnical University “LETI", St. Petersburg, Russia

Email: alex.andrianov@mail.ioffe.ru, aleshin@transport.ioffe.ru, s.abolmasov@hevelsolar.com, Eug.terukov@mail.ioffe.ru, alex.zaharin@mail.ioffe.ru

Поступила в редакцию: 2 марта 2023 г.

В окончательной редакции: 2 марта 2023 г.

Принята к печати: 13 марта 2023 г.

Выставление онлайн: 30 апреля 2023 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Приведены результаты исследования генерации терагерцового (THZ) излучения в p-n-гетероструктурах на основе a-Si:H/c-Si при их фотовозбуждении излучением фемтосекудного титан-сапфирового лазера с длиной воны 800 nm. Свойства наблюдаемого ТГц-излучения позволяют объяснить его возбуждением в структурах быстрого фототока неравновесных носителей заряда, созданных фемтосекундным межзонным фотовозбуждением в области потенциального барьера. Быстрый фототок в свою очередь излучает ТГц-электромагнитную волну. Волновые формы и амплитудные спектры наблюдаемого ТГц-излучения отражают динамику фотовозбужденных носителей заряда в структурах. По интенсивности ТГц-излучение, наблюдаемое в исследованных p-n-гетероструктурах на основе a-Si:H/c-Si, сопоставимо с ТГц-излучением, генерируемым в кристаллах n-InAs, широко применяемых как эмиттеры в системах ТГц-спектроскопии во временной области. Поэтому a-Si:H/c-Si p-n-гетероструктуры могут найти применение в качестве ТГц-эмиттеров для решения задач ТГц-спектроскопии. Ключевые слова: фемтосекундное лазерное фотовозбуждение, гетероструктуры, быстрый фототок, терагерцовое электромагнитное излучение.

Yun-Shik Lee. Principles of Terahertz Science and Technology. Springer Science + Business Media, LLC (2009). 340 p
J. Neu, C.A. Schmuttenmaer. J. Appl. Phys. 124, 231101 (2018)
Terahertz Spectroscopy and Imaging / Eds K.-E. Peiponen, J.A. Zeitler, M. Kuwata-Gonokami. Springer-Verlag, Berlin, Heidelberg (2013). 641 p
А.В. Андрианов, А.Н. Алешин, Л.Б. Матюшкин. Письма в ЖЭТФ 109, 30 (2019)
Terahertz Optoelectronics / Ed. K. Sakai. Springer-Verlag, Berlin (2005). 387 p
V.L. Malevich, P.A. Ziaziukia, R. Norkus, V. Pacebutas, I. Nevinskas, A. Krotkus. Sensors 21, 4067 (2021)
A.E. Yachmenev, D.V. Lavrukhin, I.A. Glinsky, N.V. Zenchenko, Y.G. Goncharov, I.E. Spektor, R.A. Khabibullin, T. Otsuki, D.S. Ponomarev. Opt. Eng. 59, 061608 (2019)
C. Song, P. Wang, Y. Qian, G. Zhou, R. Notzel. Opt. Express 28, 25751 (2020)
G. Ramakrishnan, G.K.P. Ramanandan, A.J.L. Adam, M. Xu, N. Rumar, R.W.A. Hendrikx, P.C.M. Planken. Opt. Express 21, 16784 (2013)
L. Xu, X.-C. Zhang, D.H. Auston, B. Jalali. Appl. Phys. Lett. 59, 3357 (1991)
E. Terukov, A. Kosarev,A. Abramov, E. Malchukova. From 11% Thin Film to 23% Heterojunction Technology (HJT) PV Cell: Research, Development and Implementation Related 1600x1000 mm² PV Modulesin Industrial Production. IntechOpen, Solar Panels and Photovoltaic Materials (2018). Ch. 5
A.S. Abramov, D.A. Andronikov, S.N. Abolmasov, E.I. Terukov. Silicon Heterojunction Technology: A Key to High Efficiency Solar Cells at Low Cost. In: High-Efficient Low-Cost Photovoltaics / Eds V. Petrova-Koch, R. Hezel, A. Goetzberger. Springer Nature Switzerland AG (2020). Ch. 7. P. 113-132
A.V. Andrianov, A.N. Aleshin, V.N. Truhin, A.V. Bobylev. J. Phys. D 44, 265101 (2011)
А.В. Андрианов, А.Н. Алешин, С.Н. Аболмасов, Е.И. Теруков, Е.В. Берегулин. Письма в ЖЭТФ 116, 825 (2022)
J.F. Ward, J.K. Guha. Appl. Phys. Lett. 30, 276 (1977)
S.L. Chuang, S. Smitt-Rink, B.I. Greene, P.N. Saeta, A.F.J. Levi. Phys. Rev. Lett. 68, 102 (1992)
Y. Kadoya, T. Matsui, A. Takazato, J. Kitagawa. Joint Proc. of 32^nd Int. Conf. Infrared and Millimeter Waves and the 15^th Int. Conf. on Terahertz Electronics (02-09 September 2007) Cardiff, UK. P. 987-988

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель