Физика твердого тела

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2025
- 1 2
2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Исследование пленок оксида кремния, имплантированных цинком

DOI: 10.21883/FTT.2023.04.55311.17

Переводная версия: 10.21883/PSS.2023.04.56013.17

Привезенцев В.В.¹, Сергеев А.П.¹, Фирсов А.А.¹, Куликаускас В.С.², Якимов Е.Е.³, Кириленко Е.П.⁴, Горячев А.В.⁴

¹Научно-исследовательский институт системных исследований РАН, Москва, Россия Federal State Institution "Federal Scientific Center Scientific Research Institute of System Analisys of the Russian Academy of Sciences", Moscow, Russia

Federal State Institution "Federal Scientific Center Scientific Research Institute of System Analisys of the Russian Academy of Sciences", Moscow, Russia

²Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Д.В. Скобельцына Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия Lomonosov Moscow State University, Skobeltsyn Institute of Nuclear Physics, Moscow, Russia

Lomonosov Moscow State University, Skobeltsyn Institute of Nuclear Physics, Moscow, Russia

³Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия Institute of Microelectronics Technology and High Purity Materials, Russian Academy of Sciences, Chernogolovka, Russia

Institute of Microelectronics Technology and High Purity Materials, Russian Academy of Sciences, Chernogolovka, Russia

⁴Институт нанотехнологии микроэлектроники Российской академии наук, Москва, Россия Institute of Nanotechnologies of Microelectronics, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Institute of Nanotechnologies of Microelectronics, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Email: v.privezentsev@mail.ru

Поступила в редакцию: 12 февраля 2023 г.

В окончательной редакции: 1 марта 2023 г.

Принята к печати: 1 марта 2023 г.

Выставление онлайн: 28 марта 2023 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Представлены результаты исследования состава, структуры и свойств пленки аморфного SiO_x, полученной методом электронно-лучевого испарения и имплантированной ионами Zn с энергией 40 keV и дозой 3·10¹⁶ cm^-2. Пленка отжигалась на воздухе при температурах от 400 до 800^oС с шагом 100^oС в течение 40 min на каждом этапе. Обнаружено, что после имплантации на поверхности и в приповерхностном слое оксида кремния образуются металлические нанокластеры Zn размером около 10 nm. В процессе отжигов имплантированный слой просветляется, так как металлический Zn постепенно окисляется до прозрачных фаз его оксида ZnO и силицида Zn₂SiO₄. После отжига при 700^oС на поверхности и в приповерхностном слое пленки SiO₂ выявлены нанокластеры ZnO и кратеры на поверхности. Ключевые слова: пленка оксида кремния, электронно-лучевое испарение, имплантация Zn, термическое оксидирование, нанокластеры, ZnO.

M.I. Baraton. Synthesis. Functionalization, and Surface Treatment of Nanoparticles. Am. Sci., Los-Angeles (2002)
T.C. Chang, K.C. Chang, T.M. Tsai, T.J. Chu, S.M. Sze. Mater. Today 19, 5, 254 (2016)
C. Flytzanis, F. Haqche, M.C. Klein, D. Ricard, Ph. Roussignol. In: Prog. Opt. / Ed. E. Wolf. Amsterdam, North Holland 29, 321 (1999)
C.W. Litton, T.C. Collins, D.S. Reynolds. Zinc Oxide Materials for Electronic and Optoelectronic Device Application. Wiley, Chichester (2011)
S. Chu, M. Olmedo, Zh. Yang, J. Kong, J. Liu. Appl. Phys. Lett. 93, 181106 (2008)
G.P. Smestad, M. Gratzel. J. Chem. Ed. 75, 752 (1998)
C. Li, Y. Yang, X.W. Sun, W. Lei, X. Zhang, B. Wang, J. Wang, B. Tay, J. Ye, G. Lo. Nanotechnology 18, 135604 (2007)
B.B. Straumal, A.A. Mazilkin, S.G. Protasova, E. Goering, G. Schutz, P.B. Straumal, B. Baretzky. Phys. Rev. B 79, 205206 (2009)
A. Sirelkhatim, S. Mahmud, A. Seeni, N.H.M. Kaus, L.C. Ann, S.K. ohd Bakhori, H. Hasan, D. Mohamad. Nano-Micro Lett. 7, 219 (2015)
S. Inbasekaran, R. Senthil, G. Ramamurthy, T.P. Sastry. Intern. J. Innov. Res. Sci. Eng. Technol. 3, 8601 (2014)
A. Mehonic, A.L. Shluger, D. Gao, I. Valov, E. Miranda, D. Ielmini, A. Bricalli, E. Ambrosi, C. Li, J.J. Yang, Q. Xia, A.J. Kenyon. Adv. Mater. 30, 43, 1801187 (2018)
H. Yanqiu, L. Meidong, L. Zhen, Z. Yike, L. Shaobo. Mater. Sci. Eng. B 97, 2, 111 (2003)
A. Garcia-Sotelo, M. Avila-Meza, M.A. Melendez-Lira, J.L. Fernandez-Munoz, O. Zelaya-Angel. Mater. Res. 22, 4, e201901059 (2019)
T. Torchynska, B. El Filali, G. Polupan, L. Shcherbyna. MRS Adv. 2, 1 (2019)
D.H. Kwon, KM. Kim, J.H. Jang, J.M. Jeon, M.H. Lee, G.H. Kim, X.S. Li, G.S. Park, B. Lee, S. Han, M. Kim, C.S. Hwang. Nature Nanotechnology 5, 148 (2010)
G. Bersuker, D.C. Gilmer, D. Veksler, P. Kirsch, L. Vandelli, A. Padovani, L. Larcher, K. McKenna, A. Shluger, V. Iglesias, M. Porti, M. Nafri a. J. Appl. Phys. 110, 124518 (2011)
K. Xiong, J. Robertson, S.J. Clark. Phys. Status Solidi B 243, 2071 (2006)
M.V. Ganduglia-Pirovano, A. Hofmann. J. Sauer. Surf. Sci. Rep. 62, 219 (2007)
D.Z. Gao, A.-M. El-Sayed, A.L. Shluger. Nanotechnology 27, 50, 505207 (2016)
N. Ilyas, C. Li, J. Wang, X. Jiang, H. Fu, F. Liu, D. Gu, Y. Jiang, W. Li. J. Phys. Chem. Lett. 13, 3, 884 (2022)
E.V. Okulich, V.I. Okulich, D.I. Tetelbaum, A.N. Mikhaylov. Mater. Lett. 310, 131494 (2022)
E.V. Okulich, V.I. Okulich, D.I. Tetelbaum. Tech. Phys. Lett. 46, 1, 19 (2020)
K.C. Chang, T.M. Tsai, T.C. Chang, H.H. Wu, J.H. Chen, Y.E. Syu, G.W. Chang, T.J. Chu, G.R. Liu, Y.T. Su, M.C. Chen, J.H. Pan, J.Y. Chen, C.W. Tung, H.C. Huang, Y.H. Tai, D.S. Gan, S.M. Sze. IEEE Eelecron. Dev. Lett. 34, 3, 399 (2013)
K.C. Chang, T.M. Tsai, T.C. Chang, H.H. Wu, K.H. Chen, J.H. Chen, T.F. Young, T.J. Chu, J.Y. Chen, C.H. Pan, J.Y. Chen, C.W. Tung, H.C. Huang, Y.H. Tai, D.S. Gan, S.M. Sze. IEEE Electron. Dev. Lett. 34, 4, 511 (2013)
R. Zhang, T.M. Tsai, T.C. Chang, K.C. Chang, K.H. Chen, J.C. Lou, T.F. Young, J.H. Chen, S.Y. Huang, M.C. Chen, C.C Shih, H.L. Chen, J.H. Pan, C.W. Tung, Y.E. Syu, S.M. Sze. J. Appl. Phys. 114, 234501 (2013)
J.S. Huang, W.C. Yen, S.M. Lin, C.Y. Lee, J. Wu, Z.M. Wang, T.S. Chin, Y.L. Chueh. J. Mater. Chem. C 2, 4401 (2014)
V.I. Petrov. Adv. Phys. Sci. 166, 8, 859 (1996)
Surface Analysis by Auger and X-ray Photoelectron Spectroscopy / Eds D. Briggs, M.P. Sikh. Wiley, N.Y. (1983)
Yu.B. Monakhova, S.P. Mushtakova. J. Anal. Chem. 67, 12, 1044 (2012)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель