Изучены свойства углеродных слоев (C-слоев), сформированных термическим разложением CCl₄ при температурах 600-700^oC на поверхности арсенид-галлиевых структур, изготовленных методом МОС-гидридной эпитаксии на пластинах n⁺-GaAs(100). Морфология поверхности C-слоев исследована с использованием атомно-силовой микроскопии. Структурные и оптические свойства изучены с применением спектроскопии комбинационного рассеяния света и спектроскопии отражения. Обнаружено, что в случае C-слоя, изготовленного при температуре 650-700^oС, изображение атомно-силовой микроскопии демонстрирует наличие вертикальных углеродных наностенок (вертикального графена), расположенных параллельно одному из направлений [110] кристаллической решетки GaAs. Характеристики полос, наблюдаемых в спектрах комбинационного рассеяния света, соответствуют параметрам спектров вертикального графена. Коэффициент отражения таких углеродных слоев существенно уменьшается (диффузное отражение не превышает 25% для слоя, изготовленного при 700^oС) в диапазоне длин волн от 0.19 до 1.8 μm. Наличие значительной "поглощательной" способности делает полученные углеродные слои перспективными в качестве проводящего контакта в приборных фоточувствительных полупроводниковых структурах, что подтверждается предварительными результатами исследований вольтамперных характеристик и спектральных зависимостей фототока. Ключевые слова: термическое разложение четыреххлористого углерода, арсенид галлия, морфология вертикального графена.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.