Формирование и исследование структур металл--диэлектрик--полупроводник на основе пленок оксида гафния
Российский научный фонд, 23-49-10014
Афанасьев М.С.
1, Белорусов Д.А.
1, Киселев Д.А.
1, Лузанов В.А.
1, Чучева Г.В.
11Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Фрязино, Россия
Email: gvc@ms.ire.rssi.ru, dm.kiselev@gmail.com
Поступила в редакцию: 18 декабря 2022 г.
В окончательной редакции: 18 декабря 2022 г.
Принята к печати: 24 января 2023 г.
Выставление онлайн: 28 марта 2023 г.
Пленки оксида гафния (HfO2) синтезированы на кремниевую подложку методом магнетронного распыления мишени аналогичного состава. Представлены результаты исследований структурного состава пленок HfO2 и электрофизических свойств структур металл-диэлектрик-полупроводник (Ni-HfO_2-n-Si). Ключевые слова: структуры металл-диэлектрик-полупроводник, сегнетоэлектрические пленки оксида гафния, пьезоэлектрический отклик, микроструктура, электрофизические свойства.
- C.-H. Lee, S.-H. Hur, Y.-C. Shin, J.-H. Choi, D.-G. Park, K. Kim. Appl. Phys. Lett. 86, 152908 (2005)
- D.A. Abdullaev, R.A. Milovanov, R.L. Volkov, N.I. Borgardt, A.N. Lantsev, K.A. Vorotilov, A.S. Sigov. Russ. Technol. J. 8, 5, 44 (2020)
- T. Mikolajick, S. Slesazeck, H. Mulaosmanovic, M.H. Park, S. Fichtner, P.D. Lomenzo, M. Hoffmann, U. Schroeder. J. Appl. Phys. 129, 100901 (2021)
- R. Guo, Z. Wang, S. Zeng, K. Han, L. Huang, D.G. Schlom, T. Venkatesan, Ariando, J. Chen. Sci. Rep. 5, 12576 (2015)
- E.I. Goldman, D.A. Belorusov, G.V. Chucheva. Ceram. Int. 47, 15, 21248 (2021)
- Е.И. Гольдман, Д.А. Белорусов, Г.В. Чучева. ФТТ 63, 11, 1887 (2021)
- R. Shirota. In: Advances in Non-Volatile Memory and Storage Technology / Ed. Blanka Magyari-Kope, Yoshio Nishi. Woodhead Publishing, Philadelphia (2019). P. 283
- W. Banerjee, A. Kashir, S. Kamba. Small 18, 23, 2107575 (2022)
- A. Dkhissi, A. Esteve, C. Mastail, S. Olivier, G. Mazaleyrat, L. Jeloaica, M. Djafari Rouhani. J. Chem. Theor. Comput. 4, 1915 (2008)
- A.P. Huang, Z.C. Yang, P.K. Chu. In: Advances in Solid State Circuits Technologies / Ed. P.K. Chu. In-Tech, Vukovar. (2010). P. 333
- A. Chouprik, A. Chernikova, A. Markeev, V. Mikheev, D. Negrov, M. Spiridonov, S. Zarubin, A. Zenkevich, Microelectron. Eng. 178, 250 (2017)
- Е.И. Гольдман, А.Г. Ждан, Г.В. Чучева. ПТЭ 6, 110 (1997).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.