Вышедшие номера
Формирование и исследование структур металл--диэлектрик--полупроводник на основе пленок оксида гафния
Переводная версия: 10.21883/PSS.2023.04.55995.8
Российский научный фонд, 23-49-10014
Афанасьев М.С. 1, Белорусов Д.А. 1, Киселев Д.А. 1, Лузанов В.А.1, Чучева Г.В. 1
1Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Фрязино, Россия
Email: gvc@ms.ire.rssi.ru, dm.kiselev@gmail.com
Поступила в редакцию: 18 декабря 2022 г.
В окончательной редакции: 18 декабря 2022 г.
Принята к печати: 24 января 2023 г.
Выставление онлайн: 28 марта 2023 г.

Пленки оксида гафния (HfO2) синтезированы на кремниевую подложку методом магнетронного распыления мишени аналогичного состава. Представлены результаты исследований структурного состава пленок HfO2 и электрофизических свойств структур металл-диэлектрик-полупроводник (Ni-HfO_2-n-Si). Ключевые слова: структуры металл-диэлектрик-полупроводник, сегнетоэлектрические пленки оксида гафния, пьезоэлектрический отклик, микроструктура, электрофизические свойства.
  1. C.-H. Lee, S.-H. Hur, Y.-C. Shin, J.-H. Choi, D.-G. Park, K. Kim. Appl. Phys. Lett. 86, 152908 (2005)
  2. D.A. Abdullaev, R.A. Milovanov, R.L. Volkov, N.I. Borgardt, A.N. Lantsev, K.A. Vorotilov, A.S. Sigov. Russ. Technol. J. 8, 5, 44 (2020)
  3. T. Mikolajick, S. Slesazeck, H. Mulaosmanovic, M.H. Park, S. Fichtner, P.D. Lomenzo, M. Hoffmann, U. Schroeder. J. Appl. Phys. 129, 100901 (2021)
  4. R. Guo, Z. Wang, S. Zeng, K. Han, L. Huang, D.G. Schlom, T. Venkatesan, Ariando, J. Chen. Sci. Rep. 5, 12576 (2015)
  5. E.I. Goldman, D.A. Belorusov, G.V. Chucheva. Ceram. Int. 47, 15, 21248 (2021)
  6. Е.И. Гольдман, Д.А. Белорусов, Г.В. Чучева. ФТТ 63, 11, 1887 (2021)
  7. R. Shirota. In: Advances in Non-Volatile Memory and Storage Technology / Ed. Blanka Magyari-Kope, Yoshio Nishi. Woodhead Publishing, Philadelphia (2019). P. 283
  8. W. Banerjee, A. Kashir, S. Kamba. Small 18, 23, 2107575 (2022)
  9. A. Dkhissi, A. Esteve, C. Mastail, S. Olivier, G. Mazaleyrat, L. Jeloaica, M. Djafari Rouhani. J. Chem. Theor. Comput. 4, 1915 (2008)
  10. A.P. Huang, Z.C. Yang, P.K. Chu. In: Advances in Solid State Circuits Technologies / Ed. P.K. Chu. In-Tech, Vukovar. (2010). P. 333
  11. A. Chouprik, A. Chernikova, A. Markeev, V. Mikheev, D. Negrov, M. Spiridonov, S. Zarubin, A. Zenkevich, Microelectron. Eng. 178, 250 (2017)
  12. Е.И. Гольдман, А.Г. Ждан, Г.В. Чучева. ПТЭ 6, 110 (1997).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.