Вышедшие номера
Характеризация широкозонных слоев в лазерных структурах на основе CdHgTe
Ружевич М.С.1, Мынбаев К.Д. 2, Баженов Н.Л. 2, Дорогов М.В. 1, Дворецкий С.А. 3, Михайлов Н.Н. 3, Ремесник В.Г. 3, Ужаков И.Н.3
1Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Email: max.ruzhevich@niuitmo.ru, mynkad@mail.ioffe.ru, bazhnil.ivom@mail.ioffe.ru, mvdorogov@itmo.ru, dvor@isp.nsc.ru, mikhailov@isp.nsc.ru, remesnik@isp.nsc.ru, uzhakov@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 12 декабря 2022 г.
В окончательной редакции: 12 декабря 2022 г.
Принята к печати: 22 декабря 2022 г.
Выставление онлайн: 11 февраля 2023 г.

Приведены результаты исследования оптических и структурных свойств широкозонных (x~0.7) слоев в лазерных гетероструктурах на основе твердых растворов CdxHg1-xTe, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией на подложках (013) GaAs, а также эпитаксиальных пленок, аналогичных этим слоям по химическому составу. Показано, что положение максимума спектра фотолюминесценции и характер его температурного сдвига связаны с разупорядочением состава твердого раствора. Обнаружены мелкие и глубокие акцепторные уровни в запрещенной зоне. Обсуждается возможное влияние разупорядочения и акцепторных уровней в лазерных структурах на энергетический спектр носителей. Ключевые слова: CdHgTe, лазерные структуры, фотолюминесценция, дефекты, структурные свойства. DOI: 10.21883/FTT.2023.03.54738.552
  1. V.V. Rumyantsev, A.A. Dubinov, V.V. Utochkin, M.A. Fadeev, V.Ya. Aleshkin, A.A. Razova, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretsky, V.I. Gavrilenko, S.V. Morozov. Appl. Phys. Lett. 121, 18, 182103 (2022)
  2. V.V. Utochkin, K.E. Kudryavtsev, A.A. Dubinov, M.A. Fadeev, V.V. Rumyantsev, A.A. Razova, E.V. Andronov, V.Ya. Aleshkin, V.I. Gavrilenko, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretsky, F. Teppe, S.V. Morozov. Nanomaterials 12, 15, 2599 (2022)
  3. Л.А. Кушков, В.В. Уточкин, В.Я. Алешкин, А.А. Дубинов, К.Е. Кудрявцев, В.И. Гавриленко, Н.С. Куликов, М.А. Фадеев, В.В. Румянцев, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий, А.А. Разова, С.В. Морозов. ФТП 54, 10, 1163 (2020)
  4. М.А. Фадеев, А.А. Дубинов, В.Я. Алешкин, В.В. Румянцев, В.В. Уточкин, В.И. Гавриленко, Ф. Теп, Х.-В. Хюберс, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий, С.В. Морозов, Квантовая электрон. 49, 6, 556 (2019)
  5. V.Ya. Aleshkin, V.V. Rumyantsev, K.E. Kudryavtsev, A.A. Dubinov, V.V. Utochkin, M.A. Fadeev, G. Alymov, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretsky, F. Teppe, V.I. Gavrilenko, S.V. Morozov. J. Appl. Phys. 129, 13, 133106 (2021)
  6. В.А. Швец, Н.Н. Михайлов, Д.Г. Икусов, И.Н. Ужаков, С.А. Дворецкий. Оптика и спектроскопия 127, 8, 318 (2019)
  7. К.Д. Мынбаев, Н.Л. Баженов, А.М. Смирнов, Н.Н. Михайлов, В.Г. Ремесник, М.В. Якушев. ФТП 54, 12, 1302 (2020)
  8. K.D. Mynbaev, A.M. Smirnov, N.L. Bazhenov, N.N. Mikhailov, V.G. Remesnik, M.V. Yakushev. J. Electron. Mater. 49, 8, 4642 (2020)
  9. F.-Y. Yue, S.-Y. Ma, J. Hong, P.-X. Yang, C.-B. Jing, Y. Chen, J.-H. Chu. Chin. Phys. B 28, 1, 017104 (2019)
  10. К.Д. Мынбаев, С.В. Заблоцкий, А.В. Шиляев, Н.Л. Баженов, М.В. Якушев, Д.В. Марин, В.С. Варавин, С.А. Дворецкий. ФТП 50, 2, 208 (2016)
  11. C.R. Becker, V. Latussek, A. Pfeuer-Jeschke, G. Landwehr, L.W. Molenkamp. Phys. Rev. B 62, 15, 10353 (2000)
  12. К.Д. Мынбаев, Н.Л. Баженов, В.И. Иванов-Омский, Н.Н. Михайлов, М.В. Якушев, А.В. Сорочкин, В.Г. Ремесник, С.А. Дворецкий, В.С. Варавин, Ю.Г. Сидоров. ФТП 45, 7, 900 (2011)
  13. Д.А. Андрющенко, М.С. Ружевич, А.М. Смирнов, Н.Л. Баженов, К.Д. Мынбаев, В.Г. Ремесник. ФТП 55, 11, 1040 (2021)
  14. N. Mikhailov, V. Shvets, D. Ikusov, I. Uzhakov, S. Dvoretsky, K. Mynbaev, P. Dluzewski, J. Morgiel, Z. Swiatek, O. Bonchyk, I. Izhnin. Phys. Status Solidi B 257, 5, 1900598 (2020)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.