Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние ориентации игольчатых включений NiSb на температурную зависимость сопротивления в монокристаллах Cd0.95Ni0.05Sb
Переводная версия: 10.21883/PSS.2023.03.55578.548 
Российский научный фонд, https://rscf.ru/en/project/21-12-00254/, 21-12-00254
Министерство образования и науки Российской Федерации, Государственное задание, 0851–2020–0035
Министерство образования и науки Российской Федераци, Приоритет-2030, 075-15-2021-1213
Захвалинский В.С.
1, Пилюк Е.А.
1,2, Кочура А.В.
3,2, Моргун Л.А.
2, Давыдов А.Б.
2, Зо Хтет Аунг3, Родионов В.В.
3, Аронзон Б.А.
2
1Белгородский государственный национальный исследовательский университет, Белгород, Россия 
2Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
3Юго-Западный государственный университет (ЮЗГУ), Курск, Россия
2Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
3Юго-Западный государственный университет (ЮЗГУ), Курск, Россия
Email: v_zaxval@mail.ru, pilyuk@yandex.ru, akochura@mail.ru, morgunla@lebedev.ru, davydovab@lebedev.ru, zawh0898@gmail.com, vovarodionov2009@yandex.ru, aronzon@mail.ru
Поступила в редакцию: 6 декабря 2022 г.
В окончательной редакции: 6 декабря 2022 г.
Принята к печати: 10 декабря 2022 г.
Выставление онлайн: 11 февраля 2023 г.
Композитный кристалл Cd0.95Ni0.05Sb, состоящий из CdSb и включений NiSb, был получен модифицированным методом Бриджмена. Методами сканирующей электронной микроскопии, рентгенофазового анализа, энергодисперсионной рентгеновской спектроскопии, исследований спектров комбинационного рассеяния света показано, что основная матрица CdSb представляет собой монокристалл (орторомбическая структура Pbca), содержащий микрокристаллические игольчатые включения второй фазы NiSb (гексагональная структура типа NiAs P63/mmc). Обнаружено, что анизотропия монокристаллических игл NiSb в образцах кристаллического композита Cd0.95Ni0.05Sb (иглы вдоль и поперек направления тока) существенно влияет на сопротивление и магнетосопротивление кристалла. Граница раздела игольчатое включение-матрица может переходить в сверхпроводящее состояние, что оказывает влияние на проводимость композита в целом. Ключевые слова: антимонид кадмия, антимонид никеля, композит, анизотропное сопротивление, сверхпроводимость на границе раздела фаз. DOI: 10.21883/FTT.2023.03.54736.548
- D.M. Bercha, I.V. Slipukhina, M. Sznajder, K.Z. Rushchanskii. Phys. Rev. B 70, 23, 235206 (2001)
- B. Zhou, С. Sun, X. Wang, Z. Bu, W. Li, Y. Pei. ACS Appl. Mater. Interfaces 11, 30, 27098 (2019)
- R. Biswas, S. Mukherjee, R.C. Mallik, S. Vitta, T. Dasgupta. Mater. Today Energy 12, 107 (2019)
- M.K. Jana, K. Biswas. ACS Energy Lett. 3, 6, 1315 (2018)
- S. Wang, J. Yang, L. Wu, P. Wei, J. Yang, W. Zhang, Y. Grin. Chem.Mater. 27, 3, 1071 (2015)
- Д.М. Берча, О.Б. Митин, И.М. Раренко, Л.Ю. Хархалис, А.И. Берча. ФТП 28, 7, 1249 (1994)
- E.K. Arushanov. Prog. Cryst. Growth Charact. 13, 1, 1 (1986)
- R. Laiho, A.V. Lashkul, K.G. Lisunov, E. Lahderanta, I. Ojala, V.S. Zakhvalinskii. Semicond. Sci. Technol. 21, 3, 228 (2006)
- R. Laiho, A.V. Lashkul, K.G. Lisunov, E. Lahderanta, M.A. Shakhov, V.S. Zakhvalinskii. Semicond. Sci. Technol. 23, 12, 125001 (2008)
- J.L. Harris, P.M. Shand, L.V. Shapoval, A. Van Waardhuizen, L.H. Strauss. J. Magn. Magn. Mater. 321, 8, 1072 (2009)
- R.G. Dzhamamedov, T.R. Arslanov, A.Yu. Mollaev, A.V. Kochura. J. Alloys. Compounds 699, 1104 (2017)
- R. Laiho, A.V. Lashkul, E. Lahderanta, K.G. Lisunov, I. Ojala, V.S. Zakhvalinskii. J. Magn. Magn. Mater. 300, 1, e8 (2006)
- T.R. Arslanov, R.G. Dgamamedov, V.S. Zakhvalinskii, A.V. Kochura, V.V. Rodionov, R. Ahuja. Appl. Phys. Lett. 115, 25, 252101 (2019)
- O. Ivanov, V. Zakhvalinskii, E. Pilyuk, A. Kochura, A. Kuzmenko, A. Ril. Chin. J. Phys. 72, 223 (2021)
- V.F. Gantmakher, V.M. Teplinskii, V.N. Zverev, O.I. Barkalov. Physica B 194--196, 1-2, 1083 (1994)
- K.-J. Range, J. Pfauntsch, U. Klement. Acta Cryst. Sect. C 44, 12, 2196 (1988)
- X.-N. Luo, C. Dong, S.-K. Liu, Z.-P. Zhang, A.-L. Li, L.-H. Yang, X.-C. Li. Chin. Phys. B 24, 6, 067201 (2015)
- D.M. Trich\^es, S.M. Souza, J.C. de Lima, T.A. Grandi, C.E.M. Campos, A. Polian, J.P. Itie, F. Baudelet, J.C. Chervin. J. Appl. Phys. 106, 1, 013509 (2009)
- H. Matsunami, Y. Nishihara, T. Tanaka. J. Phys. Soc. Jpn 27, 6, 1507 (1969)
- V.F. Degtyareva, O. Degtyareva, H.-K. Mao, R.J. Hemley. Phys. Rev. B 73, 21, 214108 (2006)
- В.Ф. Гантмахер, В.Н. Зверев, В.М. Теплинский, О.И. Баркалов. Письма в ЖЭТФ 56, 6, 311 (1992)
- B.I. Shklovskii, A.L. Efros. Electronic Properties of Doped Semiconductor. Springer, Berlin (1984)
- K.D. Hale. J. Mater. Sci. 11, 11, 2105 (1976)
- T. Chen, D. Rogowski, R.M. White. J. Appl. Phys. 49, 3, 1425 (1978)
- G. Shipunov, B.R. Piening, C. Wuttke, T.A. Romanova, A.V. Sadakov, O.A. Sobolevskiy, E.Yu. Guzovsky, A.S. Usoltsev, V.M. Pudalov, D.V. Efremov, S. Subakti, D. Wolf. J. Phys. Chem. Lett. 12, 28, 6730 (2021)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
