Вышедшие номера
Выявление и исследование 60o-поворотных доменов в α-Ga2O3 методом просвечивающей электронной микроскопии
The Russian Foundation for Basic Research (RFBR) , 19-29-12041mk
Мясоедов А.В.1, Павлов И.С.2, Печников А.И.1,3, Николаев В.И.1,3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова ФНИЦ "Кристаллография и фотоника" РАН, Москва, Россия
3ООО "Совершенные кристаллы", Санкт-Петербург, Россия
Email: amyasoedov88@gmail.com, ispav88@gmail.com
Поступила в редакцию: 23 августа 2022 г.
В окончательной редакции: 23 августа 2022 г.
Принята к печати: 6 сентября 2022 г.
Выставление онлайн: 12 ноября 2022 г.

Установлены условия обнаружения и распознавания 60o-поворотных доменов в пленках α-Ga2O3/α-Al2O3 (0001). Изображения доменов получены методом просвечивающей электронной микроскопии высокого разрешения. Структурные характеристики выявленных доменов установлены путем приготовления образцов в поперечном и планарном сечениях, правильного выбора дифракционных условий и соответствующего режима регистрации изображений. В результате анализа экспериментальных данных определены размеры, пространственное расположение, объемная доля и площадь, занимаемая включениями доменов. Ключевые слова: дефекты структуры, поворотные домены, просвечивающая электронная микроскопия, оксид галлия.
  1. E. Ahmadi, Y. Oshima. J. Appl. Phys. 126, 160901 (2019). doi: 10.1063/1.5123213
  2. T. Onuma, S. Saito, K. Sasaki, T. Masui, T. Yamaguchi, T. Honda, M. Higashiwaki. Jpn. J. Appl. Phys. 54, 11, 112601 (2015). doi: 10.7567/JJAP.54.112601
  3. S.J. Pearton, J. Yang, P.H. Cary, F. Ren, J. Kim, M.J. Tadjer, M.A. Mastro. Appl. Phys. Rev. 5, 1 (2018). doi: 10.1063/1.5006941
  4. J.P. Remeika, M. Marezio. Appl. Phys. Lett. 8, 4, 87 (1966). doi: 10.1063/1.1754500
  5. Y. Oshima, K. Kawara, T. Shinohe, T. Hitora, M. Kasu, S. Fujita. APL Mater. 7, 2 (2019). doi: 10.1063/1.5051058
  6. A.I. Pechnikov, S.I. Stepanov, A.V. Chikiryaka, M.P. Scheglov, M.A. Odnobludov, V.I. Nikolaev. Semiconductors 53, 6, 780 (2019). doi: 10.1134/S1063782619060150
  7. M. Oda, T. Tokuda, H. Kambara, T. Tanikawa, T. Sasaki, T. Hitora. Appl. Phys. Express 9, 021101 (2016). doi: 10.7567/APEX.9.021101
  8. M. Marezuo, J.P. Remeika. J. Chem. Phys. 46, 5, 1862 (1967). doi: 10.1063/1.1840945
  9. K. Kaneko, H. Kawanowa, H. Ito, S. Fujita. Jpn. J. Appl. Phys. 51, 020201 (2012). doi: 10.1143/JJAP.51.020201
  10. Y. Li, X. Xiu, W. Xu, L. Zhang, H. Zhao, Z. Xie, T. Tao, P. Chen, B. Liu, R. Zhang, Y. Zheng. Superlat. Microstruct. 152, 4, 106845 (2021). doi: 10.1016/j.spmi.2021.106845
  11. T. Oshima, T. Okuno, S. Fujita. Jpn. J. Appl. Phys. 46, 11, 7217 (2007). doi: 10.1143/JJAP.46.7217
  12. V. Gottschalch, K. Mergenthaler, G. Wagner, J. Bauer, H. Paetzelt, C. Sturm, U. Teschner. Phys. Status Solidi 206, 2, 243 (2009). doi: 10.1002/pssa.200824436
  13. H. Nishinaka, H. Komai, D. Tahara, Y. Arata, M. Yoshimoto. Jpn. J. Appl. Phys. 57, 11, 1 (2018). doi: 10.7567/JJAP.57.115601
  14. I. Cora, F. Mezzadri, F. Boschi, M. Bosi, M. v Caploviv cova, G. Calestani, I. Dodony, B. Pecz, R. Fornari. Cryst. Eng.Commun. 19, 11, 1509 (2017). doi: 10.1039/c7ce00123a
  15. I. Cora, Z. Fogarassy, R. Fornari, M. Bosi, A. Rev cenik, B. Pecz. Acta Mater. 183, 1, 216 (2020). doi: 10.1016/j.actamat.2019.11.019
  16. D. Shinohara, S. Fujita. Jpn. J. Appl. Phys. 47, 9, 7311 (2008). doi: 10.1143/JJAP.47.7311
  17. Y. Oshima, E.G. Vi llora, K. Shimamura. Appl. Phys. Express 8, 5, 4 (2015). doi: 10.7567/APEX.8.055501
  18. International tables for crystallography. V.A. / Ed. Th. Hahn. Dordrecht, Reidel (1983). P. 182-189

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.