Выявление и исследование 60o-поворотных доменов в α-Ga2O3 методом просвечивающей электронной микроскопии
The Russian Foundation for Basic Research (RFBR) , 19-29-12041mk
Мясоедов А.В.1, Павлов И.С.2, Печников А.И.1,3, Николаев В.И.1,3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова ФНИЦ "Кристаллография и фотоника" РАН, Москва, Россия
3ООО "Совершенные кристаллы", Санкт-Петербург, Россия
Email: amyasoedov88@gmail.com, ispav88@gmail.com
Поступила в редакцию: 23 августа 2022 г.
В окончательной редакции: 23 августа 2022 г.
Принята к печати: 6 сентября 2022 г.
Выставление онлайн: 12 ноября 2022 г.
Установлены условия обнаружения и распознавания 60o-поворотных доменов в пленках α-Ga2O3/α-Al2O3 (0001). Изображения доменов получены методом просвечивающей электронной микроскопии высокого разрешения. Структурные характеристики выявленных доменов установлены путем приготовления образцов в поперечном и планарном сечениях, правильного выбора дифракционных условий и соответствующего режима регистрации изображений. В результате анализа экспериментальных данных определены размеры, пространственное расположение, объемная доля и площадь, занимаемая включениями доменов. Ключевые слова: дефекты структуры, поворотные домены, просвечивающая электронная микроскопия, оксид галлия.
- E. Ahmadi, Y. Oshima. J. Appl. Phys. 126, 160901 (2019). doi: 10.1063/1.5123213
- T. Onuma, S. Saito, K. Sasaki, T. Masui, T. Yamaguchi, T. Honda, M. Higashiwaki. Jpn. J. Appl. Phys. 54, 11, 112601 (2015). doi: 10.7567/JJAP.54.112601
- S.J. Pearton, J. Yang, P.H. Cary, F. Ren, J. Kim, M.J. Tadjer, M.A. Mastro. Appl. Phys. Rev. 5, 1 (2018). doi: 10.1063/1.5006941
- J.P. Remeika, M. Marezio. Appl. Phys. Lett. 8, 4, 87 (1966). doi: 10.1063/1.1754500
- Y. Oshima, K. Kawara, T. Shinohe, T. Hitora, M. Kasu, S. Fujita. APL Mater. 7, 2 (2019). doi: 10.1063/1.5051058
- A.I. Pechnikov, S.I. Stepanov, A.V. Chikiryaka, M.P. Scheglov, M.A. Odnobludov, V.I. Nikolaev. Semiconductors 53, 6, 780 (2019). doi: 10.1134/S1063782619060150
- M. Oda, T. Tokuda, H. Kambara, T. Tanikawa, T. Sasaki, T. Hitora. Appl. Phys. Express 9, 021101 (2016). doi: 10.7567/APEX.9.021101
- M. Marezuo, J.P. Remeika. J. Chem. Phys. 46, 5, 1862 (1967). doi: 10.1063/1.1840945
- K. Kaneko, H. Kawanowa, H. Ito, S. Fujita. Jpn. J. Appl. Phys. 51, 020201 (2012). doi: 10.1143/JJAP.51.020201
- Y. Li, X. Xiu, W. Xu, L. Zhang, H. Zhao, Z. Xie, T. Tao, P. Chen, B. Liu, R. Zhang, Y. Zheng. Superlat. Microstruct. 152, 4, 106845 (2021). doi: 10.1016/j.spmi.2021.106845
- T. Oshima, T. Okuno, S. Fujita. Jpn. J. Appl. Phys. 46, 11, 7217 (2007). doi: 10.1143/JJAP.46.7217
- V. Gottschalch, K. Mergenthaler, G. Wagner, J. Bauer, H. Paetzelt, C. Sturm, U. Teschner. Phys. Status Solidi 206, 2, 243 (2009). doi: 10.1002/pssa.200824436
- H. Nishinaka, H. Komai, D. Tahara, Y. Arata, M. Yoshimoto. Jpn. J. Appl. Phys. 57, 11, 1 (2018). doi: 10.7567/JJAP.57.115601
- I. Cora, F. Mezzadri, F. Boschi, M. Bosi, M. v Caploviv cova, G. Calestani, I. Dodony, B. Pecz, R. Fornari. Cryst. Eng. Commun. 19, 11, 1509 (2017). doi: 10.1039/c7ce00123a
- I. Cora, Z. Fogarassy, R. Fornari, M. Bosi, A. Rev cenik, B. Pecz. Acta Mater. 183, 1, 216 (2020). doi: 10.1016/j.actamat.2019.11.019
- D. Shinohara, S. Fujita. Jpn. J. Appl. Phys. 47, 9, 7311 (2008). doi: 10.1143/JJAP.47.7311
- Y. Oshima, E.G. Vi llora, K. Shimamura. Appl. Phys. Express 8, 5, 4 (2015). doi: 10.7567/APEX.8.055501
- International tables for crystallography. V.A. / Ed. Th. Hahn. Dordrecht, Reidel (1983). P. 182-189
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.