Нанесение дополнительного слоя наночастиц является широко распространённым методом улучшения оптических и электрических характеристик полупроводниковых солнечных элементов (СЭ). В настоящей работе исследовались пленки нанокристаллов (NC) неорганических перовскитов галогенида свинца CsPbI₃ и CsPbBr₃, нанесенные на поверхность СЭ на основе кристаллического кремния (c-Si). Показано, что оптические свойства таких пленок NC хорошо согласуются с оптическими свойствами c-Si. Установлено, что коэффициент поглощения СЭ со слоями NC неорганических перовскитов значительно выше в видимой области спектра, что увеличивает генерацию фототока в СЭ в диапазоне 370-900 nm. Отмечено значительное влияние шероховатости поверхности на фотоэлектрические свойства СЭ. Пленки CsPbI₃ NC имеют текстурированную поверхность и демонстрируют больший фототок, по сравнению с плёнками CsPbBr₃ NC, являющимися более шероховатыми. Наблюдаемые повышенные фотоэлектрические свойства структур СЭ со слоем NC CsPbI₃ по сравнению с пленками NC CsPbBr₃ обусловлены меньшей степенью их шероховатости. Ключевые слова: нанокристаллы перовскитов, кремниевые солнечные элементы, спектры отражения, фотолюминесценция, электропроводность.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.