Вышедшие номера
Электрические и оптические характеристики пленок нанокристаллов перовскитов галогенида свинца CsPbI3 и CsPbBr3, нанесенных на c-Si солнечные элементы для фотовольтаических приложений
Буджемила Л.1, Алешин А.Н.2, Малышкин В.Г.2, Алешин П.А.2, Щербаков И.П.2, Петров В.Н.2, Теруков Е.И.2
1Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: lariessai21@gmail.com, aleshin@transport.ioffe.ru, mal@gromco.com, aleshinp@gmail.com, sherbakov.mhd@mail.ioffe.ru, e.terukov@hevelsolar.com
Поступила в редакцию: 4 июля 2022 г.
В окончательной редакции: 4 июля 2022 г.
Принята к печати: 6 июля 2022 г.
Выставление онлайн: 23 августа 2022 г.

Нанесение дополнительного слоя наночастиц является широко распространённым методом улучшения оптических и электрических характеристик полупроводниковых солнечных элементов (СЭ). В настоящей работе исследовались пленки нанокристаллов (NC) неорганических перовскитов галогенида свинца CsPbI3 и CsPbBr3, нанесенные на поверхность СЭ на основе кристаллического кремния (c-Si). Показано, что оптические свойства таких пленок NC хорошо согласуются с оптическими свойствами c-Si. Установлено, что коэффициент поглощения СЭ со слоями NC неорганических перовскитов значительно выше в видимой области спектра, что увеличивает генерацию фототока в СЭ в диапазоне 370-900 nm. Отмечено значительное влияние шероховатости поверхности на фотоэлектрические свойства СЭ. Пленки CsPbI3 NC имеют текстурированную поверхность и демонстрируют больший фототок, по сравнению с плёнками CsPbBr3 NC, являющимися более шероховатыми. Наблюдаемые повышенные фотоэлектрические свойства структур СЭ со слоем NC CsPbI3 по сравнению с пленками NC CsPbBr3 обусловлены меньшей степенью их шероховатости. Ключевые слова: нанокристаллы перовскитов, кремниевые солнечные элементы, спектры отражения, фотолюминесценция, электропроводность.