Вышедшие номера
Тонкие пленки диэлектрических иридатов стронция --- материалы для сверхпроводящей криоэлектроники и спинтроники
Переводная версия: 10.21883/PSS.2022.10.54224.32HH
Кислинский Ю.В.1, Константинян К.И.1, Москаль И.Е.1,2, Петржик А.М.1, Шадрин А.В.1,3, Овсянников Г.А.1
1Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Москва, Россия
2МИРЭА - Российский технологический университет, Москва, Россия
3Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет), Долгопрудный, Московская обл., Россия
Email: yulii@hitech.cplire.ru
Поступила в редакцию: 29 апреля 2022 г.
В окончательной редакции: 29 апреля 2022 г.
Принята к печати: 12 мая 2022 г.
Выставление онлайн: 13 июля 2022 г.

Исследованы структурные и электрофизические свойства эпитаксиальных тонких пленок иридата стронция Sr2IrO4, которые были получены методом лазерной абляции. Приводятся данные о влиянии режимов напыления на электрофизические свойства пленок. Обсуждаются модели электронного транспорта. Ключевые слова: иридат стронция, зонная проводимость, прыжковая проводимость.
  1. Y.K. Kim, N.H. Sung, J. Denlinger, B.J. Kim. Nature Phys. 12, 37 (2015)
  2. B.J. Kim, H. Ohsumi, T. Komesu, S. Sakai, T. Morita, H. Takagi, T. Arima. Science 323, 1329 (2009)
  3. Chengliang Lu, Andy Quindeau, Hakan Deniz, Daniele Preziosi, Dietrich Hesse, Marin Alexe. Appl. Phys. Lett. 105, 082407 (2014)
  4. J. Nichols, J. Terzic, E.G. Bittle, O.B. Korneta, L.E. De Long, J.W. Brill, G. Cao, S.S.A. Sea Appl. Phys. Lett. 102, 141908 (2013)
  5. C. Rayan Serrao, Jian Liu, J.T. Heron, G. Singh-Bhalla, A. Yadav, S. J. Suresha, R.J. Paull, D. Yi, J.-H. Chu, M. Trassin, A. Vishwanath, E. Arenholz, C. Frontera, J. Zelezny, T. Jungwirth, X. Marti, R. Ramesh. Phys. Rev. B. 87, 085121 (2013)
  6. А.М. Петржик, G. Cristiani, Г. Логвенов, А.Е. Пестун, Н.В. Андреев, Ю.В. Кислинский, Г.А. Овсянников. Письма в ЖТФ 43, 12 (2017)
  7. N.G. Bebenin, R.I. Zainullina, N.S. Chusheva, V.V. Ustinov, Ya.M. Mukovskii. Phys. Rev. B 69, 104434 (2004)
  8. Boris I. Shklovski, Alex L. Efros. Electronic properties of doped semiconductors. Springer Series in Solid-State Sciences. Book series SSSOL V. 45 (1984)
  9. A. Gutierrez-Llorente, L. Iglesias, B. Rodri guez-Gonzalez, F. Rivadulla. APL Materials 6, 091101 (2018)
  10. Kazunori Nishio, Harold Y. Hwang, Yasuyki Hikita. APL Materials 4, 036102 (2016)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.