Вышедшие номера
Сверхпроводящие пленки и туннельные переходы на основе алюминия
Переводная версия: 10.21883/PSS.2022.10.54217.35HH
Российский научный фонд, 21-42-04421
Министерство науки и высшего образования РФ , 075-15-2021-667
Госзадание ФАНО, 0030-2021-0005
Тарасов М.А. 1, Чекушкин А.М. 1, Фоминский М.Ю. 1, Захаров Д.М.2, Ломов А.А.2, Девицкий О.В.3,4, Гунбина А.А. 5, Сохина Е.Т.6,7, Эдельман В.C.7
1Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Москва, Россия
2Физико-технологический институт им. К.А. Валиева РАН, Москва, Россия
3Федеральный исследовательский центр Южный научный центр РАН, Ростов-на-Дону, Россия
4Северо-кавказский федеральный университет, Ставрополь, Россия
5Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
6Национальный исследовательский университет "Высшая школа экономики", Москва, Россия
7Институт физических проблем им. П.Л. Капицы РАН, Москва, Россия
Email: tarasov@hitech.cplire.ru, chekushkin@hitech.cplire.ru, ffke@yandex.ru, aleksandragunbina@mail.ru, vsedelman@yandex.ru
Поступила в редакцию: 29 апреля 2022 г.
В окончательной редакции: 29 апреля 2022 г.
Принята к печати: 12 мая 2022 г.
Выставление онлайн: 13 июля 2022 г.

Описаны особенности проводимости в изготовленных различными методами пленках алюминия в зависимости от наличия примесей, толщины пленки, условий нанесения. Приведены результаты измерения методами рентгеновской дифракции и атомно-силовой микроскопии свойств поверхности и кристаллической структуры изготовленных пленок алюминия, оксида и нитрида алюминия. Изготовлены СИС-, СИН-, НИН-переходы на основе алюминия с использованием как теневого напыления, так и магнетронного распыления. Измерены вольтамперные характеристики. Обсуждаются перспективы улучшения характеристик алюминиевых СИС-переходов, СКВИД-усилителей и СИНИС-детекторов, работающих при температурах порядка 100 mK. Ключевые слова: пленки алюминия, шероховатость пленок, атомарно гладкие пленки, туннельные переходы.
  1. M.A. Tarasov, L.S. Kuzmin, N.S. Kaurova. Instrum. Exp. Tech. 52, 877 (2009)
  2. M. Tarasov, A. Gunbina, M. Fominsky, A. Chekushkin, V. Vdovin, V. Koshelets, E. Sohina, A. Kalaboukhov, V. Edelman.  Electronics 10, 2894 (2021)
  3. M. Tarasov, V. Edelman. JETP Lett. 101, 740 (2015)
  4. D.L. Medlin, K.F. McCarty, R.Q. Hwang. Thin Solid Films 299, 110 (1997)
  5. М.Г. Амбарцумов. Канд. дис. Влияние условий плазмоактивированного атомнослоевого осаждения на микроструктуру, состав и свойства пленок нитрида алюминия. (2020)
  6. I.A. Rodionov, A.S. Baburin, A.R. Gabidullin, S.S. Maklakov, S. Peters, I.A. Ryzhikov, A.A. Andriyash. Sci. Rep. 9, 12232 (2019)
  7. I.A. Rodionov, A.S. Baburin, I.A. Ryzhikov. Single-crystalline metal films. Patent US 2021/00/0071292 A1/
  8. T. Greibe, M. Stenberg, C. Wilson, T. Bauch, V. Shumeiko, P. Delsing. Phys. Rev. Lett. 106, 097001 (2011)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.