Проведено экспериментальное исследование структуры и фазового состава методами рентгеновской, рамановской и ультрамягкой рентгеновской эмиссионной спектроскопии, а также исследование электрических свойств пленок W_xSi_1-x, использующихся в качестве чувствительных элементов сверхпроводниковых однофотонных детекторов (SNSPD), в зависимости от толщины в диапазоне от 7 до 80 nm, по результатам которого обнаружено, что фаза W₃Si предположительно формируется в пленках толщиной 20 и 40 nm с удельным сопротивлением 8.4·10^-5 и 6.0·10^-5 Ω ·cm соответственно, содержащих фазы WSi₂, W₅Si₃ и SiO₂, а также WO_x и небольшую долю β-W. Пленки толщиной 7 nm имеют наибольшее удельное сопротивление 18.0·10^-5 Ω ·cm и содержат нанокристаллы, WSi₂, SiO₂, а также β-W и фазу аморфного кремния. В пленках толщиной 80 nm (удельное сопротивление также 18.0·10^-5 Ω ·cm) преимущественно содержится WSi₂, а также W₅Si₃ и SiO₂ и, предположительно, фаза W₃Si. Ключевые слова: сверхпроводниковый однофотонный детектор, фазовый состав, рентгеноаморфная структура, сверхпроводящие пленки WSi, спектроскопия.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.