Вышедшие номера
Особенности низкотемпературной проводимости пленок металлоорганических перовскитов при введении в них частиц оксида графена
Овезов М.К.1, Алешин П.А.1, Алешин А.Н.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: strontiumx94@gmail.com, aleshinp@gmail.com, aleshin@transport.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 28 марта 2022 г.
В окончательной редакции: 28 марта 2022 г.
Принята к печати: 29 марта 2022 г.
Выставление онлайн: 29 апреля 2022 г.

Исследовано влияние введения частиц оксида графена (GO) на низкотемпературную проводимость композитных пленок на основе металлоорганических перовскитов CH3NH3PbBr3 с частицами GO с концентрацией 0-5 wt.%. Установлено, что введение частиц GO в пленки ITO/CH3NH3PbBr3 : GO/ITO/glass проявляется в уменьшении энергии активации температурной зависимости кондактанса. Обнаружено резкое увеличение на 5-6 порядков сопротивления пленок при температурах ниже 150 K. Предположено, что в исследованных системах CH3NH3PbBr3 : GO при T>150 K преобладает прыжковый механизм транспорта, связанный с захватом и накоплением носителей заряда в частицах GO, а рост сопротивления при T<150 K, возможно, обусловлен структурным фазовым переходом характерным для металлоорганических перовскитов в этой области температур. Ключевые слова: металлоорганические перовскиты, оксид графена, электропроводность, низкотемпературный транспорт.
  1. L. Schmidt-Mende, V. Dyakonov, S. Olthof, F. Unlu, K. Moritz Trong L\^e, S. Mathur, A.D. Karabanov, D.C. Lupascu, L.M. Herz, A. Hinderhofer, F. Schreiber, A. Chernikov, D.A. Egger, O. Shargaieva, C. Cocchi, E. Unger, M. Saliba, M.M. Byranvand, M. Kroll, F. Nehm, K. Leo, A. Redinger, J. Hocker, T. Kirchartz, J. Warby, E. Gutierrez-Partida, D. Neher, M. Stolterfoht, U. Wurfel, M. Unmussig, J. Herterich, C. Baretzky, J. Mohanraj, M. Thelakkat, C. Maheu, W. Jaegermann, T. Mayer, J. Rieger, T. Fauster, D. Niesner, F. Yang, S. Albrecht, T. Riedl, A. Fakharuddin, M. Vasilopoulou, Y. Vaynzof, D. Moia, J. Maier, M. Franckevicius, V. Gulbinas, R.A. Kerner, L. Zhao, B.P. Rand, N. Gluck, T. Bein, F. Matteocci, L.A. Castriotta, A. Di Carlo, M. Scheffler, C. Draxl. APL Mater. 9, 109202 (2021).
  2. A. Younis, C.-Ho Lin, X. Guan, S. Shahrokhi, C.-Yu Huang, Y. Wang, T. He, S. Singh, L. Hu, J.R. D. Retamal, Jr-H. He, T. Wu. Adv. Mater. 33, 2005000 (2021)
  3. A.K. Chilvery, A.K. Batra, B. Yang, K. Xiao, P. Guggilla, M.D. Aggarwal, R. Surabhi, R.B. Lal, J.R. Currie, B.G. Penn. J. Photon. Energy 5, 057402 (2015)
  4. C.C. Stoumpos, C.D. Malliakas, M.G. Kanatzidis. Inorg. Chem. 52, 9019 (2013)
  5. A. Pisoni, J. Jacimovic, O.S. Barisic, M. Spina, R. Gaal, L. Forro, E. Horvath. J. Phys. Chem. Lett. 5, 2488 (2014)
  6. А.М. Ершова, М.К. Овезов, И.П. Щербаков, А.Н. Алешин. ФТТ 61, 243 (2019)
  7. H.S. Jung, N.-G. Park. Small 11, 10 (2015)
  8. X. Wu, H. Yu, J. Cao. AIP Advances 10, 085202 (2020)
  9. H. He, J. Klinowski, M. Forster, A. Lerf. Chem. Phys. Lett. 287, 53 (1998)
  10. А.В. Архипов, Г.В. Ненашев, А.Н. Алешин. ФТТ 63, 559 (2021)
  11. S.M. Sze. Physics of semiconductor devices. 2nd ed. John Wiley \& Sons (1981)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.