Исследуются структура, свойства и химический состав слоистой структуры, состоящей из пленки SiO₂ толщиной 100 nm, пленки Zn с толщиной, которая варьировалась в пределах от 10 до 50 nm. Все пленки наносились методом электронно-лучевого испарения. Полученные структуры отжигалась на воздухе в диапазоне температур от 300 до 400^oC с шагом 50^oC в течение 30 min. Для измерения вольт-амперных характеристик (ВАХ) этих структур использовались золотые, платиновые и алюминиевые планарные электроды. Установлено, что после напыления на поверхности образца сформировалась зернистая структура с размером зерна 50-100 nm и средней шероховатостью 25 nm. По мере отжига в окислительной среде в образце постепенно формируется фаза ZnO. После отжига при 400^oC шероховатость образца уменьшается до значения 10 nm, а размер зерен в плоскости увеличивается до 100-200 nm. Для пленок, отожженных при температуре 400^oC, получены ВАХ с эффектом гистерезиса. Ключевые слова: пленка оксида кремния, примесь цинка, электронно-луче-вого испарения, отжиг в кислороде, нанокластеры, ZnO.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.