Вышедшие номера
Структура, диэлектрические и сегнетоэлектрические свойства тонких пленок мультиферроика Ba2NdFeNb4O15
Павленко А.В.1,2, Ильина Т.С.1,3, Киселев Д.А.3, Стрюков Д.В.1, Очкуров М.В.2
1Федеральный исследовательский центр Южный научный центр РАН, Ростов-на-Дону, Россия
2Научно-исследовательский институт физики Южного федерального университета, Ростов-на-Дону, Россия
3Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", Москва, Россия
Email: Antvpr@mail.ru
Поступила в редакцию: 9 февраля 2022 г.
В окончательной редакции: 9 февраля 2022 г.
Принята к печати: 16 февраля 2022 г.
Выставление онлайн: 29 марта 2022 г.

С использованием рентгендифракционного анализа, диэлектрической спектроскопии, методов анализа сегнетоэлектрических свойств и сканирующей зондовой микроскопии исследованы фазовый состав, наноструктура и свойства тонких пленок мультиферроика Ba2NdFeNb4O15. Для роста пленок на поверхности монокристаллической подложки Pt/MgO(001) использовался одностадийный метод ВЧ-катодного распыления в атмосфере кислорода. Установлено, что полученные пленки Ba2NdFeNb4O15 являются однофазными, беспримесными и с-ориентированными, что позволило изучить их диэлектрические свойства вдоль полярного направления. В пленках имели место деформации растяжения элементарной ячейки 1.35% вдоль полярной оси), что привело к реализации в пленке Ba2NdFeNb4O15 сегнетоэлектрической фазы при комнатной температуре. Обсуждаются причины выявленных закономерностей и перспективы использования данного материала в виде наноразмерных тонких пленок. Ключевые слова: мультиферроик, диэлектрические характеристики, сегнетоэлектрик, тетрагональная вольфрамовая бронза.
  1. Ю.С. Кузьминов. Сегнетоэлектрические кристаллы для управления лазерным излучением. Наука, M. (1982). 400 с
  2. T. Hajlaoui, C. Harnagea, A. Pignolet. Mater. Lett. 198, 136 (2017)
  3. R. Bodeux, D. Michau, M. Josse, M. Maglione. Solid State Sci. 38, 112 (2014)
  4. M. Josse, O. Bidault, F. Roulland, E. Castel, A. Simon, D. Michau, R. Von der Muhll, O. Nguyen, M. Maglione. Solid State Sci. 11, 6, 1118 (2009)
  5. H. Wu, A. Tatarenko, M.I. Bichurin, Y. Wang. Nano Energy 83, 105777 (2021)
  6. M. Albino, P. Veber, S. Pechev, C. Labrugere, M. Velazquez, M. Maglione, M. Josse. Cryst. Growth Des. 14, 2, 500 (2014)
  7. E. Castel, P. Veber, M. Albino, M. Vela'zquez, S. Pechev, D. Denux, J.P. Chaminade, M. Maglione, M. Josse. J. Cryst. Growth 340, 156 (2012)
  8. Физика сегнетоэлектриков. Современный взгляд / Под ред. К.М. Рабе, Ч.Г. Ана, Ж.-М. Трискона. Пер. с англ. БИНОМ. Лаборатория знаний, М. (2011). 440 с
  9. В.М. Мухортов, Ю.И. Юзюк. Гетероструктуры на основе наноразмерных сегнетоэлектрических пленок: получение, свойства и применение. ЮНЦ РАН, Ростов н/Д. (2008). 224 с
  10. А.В. Павленко, Д.В. Стрюков, Л.И. Ивлева, А.П. Ковтун, К.М. Жидель, П.А. Лыков. ФТТ 63, 2, 250 (2021)
  11. А.В. Павленко, И.Н. Захарченко, Ю.А. Кудрявцев, Л.И. Киселева, С.Х. Алихаджиев. Неорган. материалы 56, 11, 1252 (2020)
  12. В.М. Мухортов, Ю.И. Головко, А.В. Павленко, Д.В. Стрюков, С.В. Бирюков, А.П. Ковтун, С.П. Зинченко. ФТТ 60, 9, 1741, (2018)
  13. D.V. Stryukov, A.V. Pavlenko, L.I. Kiseleva, G.N. Tolmachev. In: PHENMA 2021: Physics and Mechanics of New Materials and Their Applications. Springer Proceedings in Materials/ Eds I.A. Parinov, S.-H. Chang, Y.-H. Kim, N.-A. Noda. Springer, Cham. (2021) P. 53
  14. T. Hajlaoui, C. Harnagea, D. Michau, M. Josse, A. Pignolet. J. Alloys Comp. 711, 480 (2017)
  15. T. Hajlaoui, C. Chabanier, C. Harnagea, A. Pignolet. Scripta Mater. 136, 1 (2017)
  16. R.C. Munoz, G. Vidal, M. Mulsow, J.G. Lisoni, C. Arenas, A. Concha, R. Esparza. Phys. Rev. B 62, 7, 4686 (2000)
  17. А.В. Павленко, Д.А. Киселев, Я.Ю. Матяш. ФТТ 63, 6, 776 (2021)
  18. А.Г. Канарейкин, Е.Ю. Каптелов, С.В. Сенкевич, И.П. Пронин, А.Ю. Сергиенко, О.Н. Сергеева. ФТТ 58, 11, 2242 (2016)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.