Вышедшие номера
Home » Физика твердого тела » Год 2022, выпуск 4 » Статья стр. 428
<<<>>>
Электронные, диэлектрические свойства и перенос заряда в монокристалле TlGaS2 : Nd3+ на постоянном и переменном токе
DOI: 10.21883/FTT.2022.04.52182.251
Переводная версия: 10.21883/PSS.2022.04.53497.251
Фонд развития науки при Президенте Азербайджанской Республики (EIF), грант № EIF-BGM-3-BRFTF-2+/2017-15/05/1-M-13
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), проект № Az_a2018
Мустафаева С.Н.1,2,3, Асадов М.М.1,2,3, Гусейнова С.С.1,2,3, Джабаров А.И.1,2,3, Лукичев В.Ф.1,2,3
1Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
2 Институт катализа и неорганической химии им. М.Ф. Hагиева НАНА, Баку, Азербайджан
3Физико-технологический институт им. К.А. Валиева РАН, Москва, Россия
Email: solmust@gmail.com
Поступила в редакцию: 3 декабря 2021 г.
В окончательной редакции: 3 декабря 2021 г.
Принята к печати: 8 декабря 2021 г.
Выставление онлайн: 20 января 2022 г.
PDF версия
Рассчитаны зонная структура, плотность состояний и электронные свойства 32 атомной суперъячейки полупроводникового соединения TlGaS2, содержащей неодим. На выращенных новых монокристаллах TlGaS2 : Nd3+ (0.3 mol.% Nd2S3) получены экспериментальные результаты по физическим свойствам. Изучены температурные (93-538 K) и частотные (5·104-3.5·107 Hz) зависимости проводимости на постоянном и переменном токе и частотная дисперсия диэлектрических коэффициентов монокристаллов TlGaS2 : Nd3+. Установлено, что в TlGaS2 : Nd3+ во всей изученной области частот имеют место потери на электропроводность, а перенос заряда носит прыжковый характер. Оценены параметры локализованных состояний, такие как плотность локализованных состояний вблизи уровня Ферми и их разброс, среднее время и расстояние прыжков, а также концентрация глубоких ловушек, ответственных за проводимость на постоянном и переменном токе в TlGaS2 : Nd3+. Ключевые слова: DFT-расчет, суперъячейка TlGaS2, легирование неодимом, энергетическая структура, плотность состояний, диэлектрические свойства, перенос заряда, монокристалл TlGaS2 : Nd3+, постоянный и переменный ток.
  1. S.N. Mustafaeva, V.A. Ramazanzade, M.M. Asadov. Mater. Chem. Phys. 40, 142 (1995). https://doi:10.1016/0254-0584(94)01463-q
  2. S.N. Mustafaeva, M.M. Asadov, S.B. Kyazimov, N.Z. Gasanov. Inorgan. Mater. 48, 1110 (2012). DOI: 10.1134/s0020168512090117
  3. S.N. Mustafaeva, M.M. Asadov, E.M. Kerimova, N.Z. Gasanov. Inorgan. Mater. 49, 1175 (2013). https://doi:10.1134/s0020168513120121
  4. В.Г. Гуртовой, А.У. Шелег, В.А. Чумак, С.Н. Мустафаева, Э.М. Керимова. Вестн. Гродненского гос. ун-та им. Я. Купалы. Сер. 2. Математика. Физика. Информатика, вычислительная техника и управление 186, 83 (2015).
  5. В.Г. Гуртовой, А.У. Шелег, С.Н. Мустафаева, Э.М. Керимова. Изв. НАН Беларуси. Сер. физ.-мат. наук 2, 98 (2015)
  6. С.Н. Мустафаева, К.М. Гусейнова, М.М. Асадов. ФТТ 62, 1022 (2020). [S.N. Mustafaeva, K.M. Guseinovaa, M.M. Asadov. Phys. Solid State 62, 1150 (2020)]. https://doi:10.1134/S1063783420070197
  7. R.E. Nikolaev, A.M. Chernovol, A.R. Tsygankova. Inorgan. Mater. 51, 88 (2015). https://doi:10.1134/S0020168515020132
  8. E.F. Westrum, R.G. Burriel, B. John, P.E. Palmer, B.J. Beaudry, W.A. Plautz. J. Chem. Physics 91, 4838 (1989). https://doi:10.1063/1.456722
  9. H. Yuan, J. Zhang, R. Yu, Q. Su. J. Rare Earths 27, 308 (2009). https://doi:10.1016/s1002-0721(08)60239-2
  10. C.M. Forster, W.B. White. Mater. Res. Bull. 41, 448 (2006). https://doi:10.1016/j.materresbull.2005.07.035
  11. S. Cwik, S.M.J. Beer, M. Schmidt, N.C. Gerhardt, T. Arcos, D. Rogalla, J. Web ing, I. Giner, M. Hofmann, G. Grundmeier, A.D. Wieck, A. Devi. Dalton Trans. 48, 2926--2938 (2019). https://doi:10.1039/c8dt04317e
  12. Д. Софич, С.Г. Доржиева, О.Д. Чимитова, Б.Г. Базаров, Ю.Л. Тушинова, Ж.Г. Базарова, Р.Ю. Шендрика. ФТТ 61, 943 (2019). [D. Sofich, S.G. Dorzhieva, O.D. Chimitova, B.G. Bazarov, Yu.L. Tushinova, Zh.G. Bazarova, R.Yu. Shendrik. Phys. Solid State 61, 844 (2019)]. https://doi:10.1134/S1063783419050342
  13. С.Н. Мустафаева, С.М. Асадов, Е.М. Керимова. Неорган. материалы 54, 662 (2018). https://doi:10.1134/s0020168518070099 [S.N. Mustafaevaa, S.M. Asadov, E.M. Kerimova. Inorg. Mater. 54, 7, 627 (2018)]. https://doi:10.1134/S0020168518070099
  14. H. Yuan, M. Ohta, S. Hirai, T. Nishimura, K. Shimakage. J. Rare Earths 22, 759 (2004). https://doi.org/10.1016/S1002-0721(08)60239-2
  15. M. Ohta, S. Hirai, Z. Ma, T. Nishimura, Y. Uemura, K. Shimakage. J. Alloys Compd. 408--412, 551 (2006). https://doi:10.1016/j.jallcom.2004.12.071
  16. M. Ohta, H. Yuan, S. Hirai, Y. Uemura, K. Shimakage. J. Alloys Compd. 74, 112 (2004). https://doi:10.1016/j.jallcom.2003.11.081
  17. S.M. Asadov, S.N. Mustafaeva, V.F. Lukichev. Russ. Microelectron. 48, 263 (2020). https://doi.org/10.1134/S1063739720040022
  18. M.M. Асадов, С.Н. Мустафаева, С.C. Гусейнова, В.Ф. Лукичев, Д.Б. Тагиев. ФТТ 63, 680 (2021). [M.M. Asadov, S.N. Mustafaeva, S.S. Guseinova, V.F. Lukichev, D.B. Tagiev. Phys. Solid State 63, 797 (2021)]. https://doi.org/10.1134/S1063783421050036
  19. J.P. Perdew, K. Burke, M. Ernzerhof. Phys. Rev. Lett. 77, 3865 (1996). https://doi.org/10.1103/physrevlett.77.3865
  20. J. Heyd, G.E. Scuseria, M. Ernzerhof. J. Chem. Phys. 118, 8207 (2003). https://doi.org/10.1063/1.1564060
  21. J. Hubbard. Proc. Roy. Soc. London A 276, 238 (1963). https://doi.org/10.1098/rspa.1963.0204
  22. С.M. Асадов, С.Н. Мустафаева. ФТТ 60, 495 (2018). [S.M. Asadov, S.N. Mustafaeva. Phys. Solid State 60, 499 (2018)]. DOI: 10.1134/S1063783418030034
  23. G.E. Delgado, A.J. Mora, F.V. Perez, J. Gonzalez. Physica B: Condens. Matter 391, 385 (2007). https://doi:10.1016/j.physb.2006.10.030
  24. N. Sato, M. Odori, M. Skrobian, M. Saito, T. Fujino, N. Masuko. Shigen-to-Sozai 110, 869 (1994). https://doi.org/10.2473/shigentosozai.110.869
  25. N.F. Mott, E.A. Davis. Electronic Processes in Non-Crystalline Materials. OUP Oxford, 2012. 590 p. ISBN: 9780199645336
  26. B.I. Shklovskii, A.L. Efros. Electronic Properties of Doped Semiconductors. Springer, Berlin, Heidelberg (1984). 393 p. ISBN: 978-3-662-02403-4
  27. M. Pollak. Phil. Mag. 23, 519 (1971). https://doi.org/10.1080/14786437108216402
  28. В.В. Пасынков, В.С. Сорокин. Материалы электронной техники. Высш. шк., М. (1986). 368 с.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme