Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Электронные, диэлектрические свойства и перенос заряда в монокристалле TlGaS2 : Nd3+ на постоянном и переменном токе
Переводная версия: 10.21883/PSS.2022.04.53497.251 
Фонд развития науки при Президенте Азербайджанской Республики (EIF), грант № EIF-BGM-3-BRFTF-2+/2017-15/05/1-M-13
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), проект № Az_a2018
Мустафаева С.Н.1,2,3, Асадов М.М.1,2,3, Гусейнова С.С.1,2,3, Джабаров А.И.1,2,3, Лукичев В.Ф.1,2,3
1Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан 
2 Институт катализа и неорганической химии им. М.Ф. Hагиева НАНА, Баку, Азербайджан
3Физико-технологический институт им. К.А. Валиева РАН, Москва, Россия
2 Институт катализа и неорганической химии им. М.Ф. Hагиева НАНА, Баку, Азербайджан
3Физико-технологический институт им. К.А. Валиева РАН, Москва, Россия
Email: solmust@gmail.com
Поступила в редакцию: 3 декабря 2021 г.
В окончательной редакции: 3 декабря 2021 г.
Принята к печати: 8 декабря 2021 г.
Выставление онлайн: 20 января 2022 г.
Рассчитаны зонная структура, плотность состояний и электронные свойства 32 атомной суперъячейки полупроводникового соединения TlGaS2, содержащей неодим. На выращенных новых монокристаллах TlGaS2 : Nd3+ (0.3 mol.% Nd2S3) получены экспериментальные результаты по физическим свойствам. Изучены температурные (93-538 K) и частотные (5·104-3.5·107 Hz) зависимости проводимости на постоянном и переменном токе и частотная дисперсия диэлектрических коэффициентов монокристаллов TlGaS2 : Nd3+. Установлено, что в TlGaS2 : Nd3+ во всей изученной области частот имеют место потери на электропроводность, а перенос заряда носит прыжковый характер. Оценены параметры локализованных состояний, такие как плотность локализованных состояний вблизи уровня Ферми и их разброс, среднее время и расстояние прыжков, а также концентрация глубоких ловушек, ответственных за проводимость на постоянном и переменном токе в TlGaS2 : Nd3+. Ключевые слова: DFT-расчет, суперъячейка TlGaS2, легирование неодимом, энергетическая структура, плотность состояний, диэлектрические свойства, перенос заряда, монокристалл TlGaS2 : Nd3+, постоянный и переменный ток.
- S.N. Mustafaeva, V.A. Ramazanzade, M.M. Asadov. Mater. Chem. Phys. 40, 142 (1995). https://doi:10.1016/0254-0584(94)01463-q
- S.N. Mustafaeva, M.M. Asadov, S.B. Kyazimov, N.Z. Gasanov. Inorgan. Mater. 48, 1110 (2012). DOI: 10.1134/s0020168512090117
- S.N. Mustafaeva, M.M. Asadov, E.M. Kerimova, N.Z. Gasanov. Inorgan. Mater. 49, 1175 (2013). https://doi:10.1134/s0020168513120121
- В.Г. Гуртовой, А.У. Шелег, В.А. Чумак, С.Н. Мустафаева, Э.М. Керимова. Вестн. Гродненского гос. ун-та им. Я. Купалы. Сер. 2. Математика. Физика. Информатика, вычислительная техника и управление 186, 83 (2015).
- В.Г. Гуртовой, А.У. Шелег, С.Н. Мустафаева, Э.М. Керимова. Изв. НАН Беларуси. Сер. физ.-мат. наук 2, 98 (2015)
- С.Н. Мустафаева, К.М. Гусейнова, М.М. Асадов. ФТТ 62, 1022 (2020). [S.N. Mustafaeva, K.M. Guseinovaa, M.M. Asadov. Phys. Solid State 62, 1150 (2020)]. https://doi:10.1134/S1063783420070197
- R.E. Nikolaev, A.M. Chernovol, A.R. Tsygankova. Inorgan. Mater. 51, 88 (2015). https://doi:10.1134/S0020168515020132
- E.F. Westrum, R.G. Burriel, B. John, P.E. Palmer, B.J. Beaudry, W.A. Plautz. J. Chem. Physics 91, 4838 (1989). https://doi:10.1063/1.456722
- H. Yuan, J. Zhang, R. Yu, Q. Su. J. Rare Earths 27, 308 (2009). https://doi:10.1016/s1002-0721(08)60239-2
- C.M. Forster, W.B. White. Mater. Res. Bull. 41, 448 (2006). https://doi:10.1016/j.materresbull.2005.07.035
- S. Cwik, S.M.J. Beer, M. Schmidt, N.C. Gerhardt, T. Arcos, D. Rogalla, J. Web ing, I. Giner, M. Hofmann, G. Grundmeier, A.D. Wieck, A. Devi. Dalton Trans. 48, 2926--2938 (2019). https://doi:10.1039/c8dt04317e
- Д. Софич, С.Г. Доржиева, О.Д. Чимитова, Б.Г. Базаров, Ю.Л. Тушинова, Ж.Г. Базарова, Р.Ю. Шендрика. ФТТ 61, 943 (2019). [D. Sofich, S.G. Dorzhieva, O.D. Chimitova, B.G. Bazarov, Yu.L. Tushinova, Zh.G. Bazarova, R.Yu. Shendrik. Phys. Solid State 61, 844 (2019)]. https://doi:10.1134/S1063783419050342
- С.Н. Мустафаева, С.М. Асадов, Е.М. Керимова. Неорган. материалы 54, 662 (2018). https://doi:10.1134/s0020168518070099 [S.N. Mustafaevaa, S.M. Asadov, E.M. Kerimova. Inorg. Mater. 54, 7, 627 (2018)]. https://doi:10.1134/S0020168518070099
- H. Yuan, M. Ohta, S. Hirai, T. Nishimura, K. Shimakage. J. Rare Earths 22, 759 (2004). https://doi.org/10.1016/S1002-0721(08)60239-2
- M. Ohta, S. Hirai, Z. Ma, T. Nishimura, Y. Uemura, K. Shimakage. J. Alloys Compd. 408--412, 551 (2006). https://doi:10.1016/j.jallcom.2004.12.071
- M. Ohta, H. Yuan, S. Hirai, Y. Uemura, K. Shimakage. J. Alloys Compd. 74, 112 (2004). https://doi:10.1016/j.jallcom.2003.11.081
- S.M. Asadov, S.N. Mustafaeva, V.F. Lukichev. Russ. Microelectron. 48, 263 (2020). https://doi.org/10.1134/S1063739720040022
- M.M. Асадов, С.Н. Мустафаева, С.C. Гусейнова, В.Ф. Лукичев, Д.Б. Тагиев. ФТТ 63, 680 (2021). [M.M. Asadov, S.N. Mustafaeva, S.S. Guseinova, V.F. Lukichev, D.B. Tagiev. Phys. Solid State 63, 797 (2021)]. https://doi.org/10.1134/S1063783421050036
- J.P. Perdew, K. Burke, M. Ernzerhof. Phys. Rev. Lett. 77, 3865 (1996). https://doi.org/10.1103/physrevlett.77.3865
- J. Heyd, G.E. Scuseria, M. Ernzerhof. J. Chem. Phys. 118, 8207 (2003). https://doi.org/10.1063/1.1564060
- J. Hubbard. Proc. Roy. Soc. London A 276, 238 (1963). https://doi.org/10.1098/rspa.1963.0204
- С.M. Асадов, С.Н. Мустафаева. ФТТ 60, 495 (2018). [S.M. Asadov, S.N. Mustafaeva. Phys. Solid State 60, 499 (2018)]. DOI: 10.1134/S1063783418030034
- G.E. Delgado, A.J. Mora, F.V. Perez, J. Gonzalez. Physica B: Condens. Matter 391, 385 (2007). https://doi:10.1016/j.physb.2006.10.030
- N. Sato, M. Odori, M. Skrobian, M. Saito, T. Fujino, N. Masuko. Shigen-to-Sozai 110, 869 (1994). https://doi.org/10.2473/shigentosozai.110.869
- N.F. Mott, E.A. Davis. Electronic Processes in Non-Crystalline Materials. OUP Oxford, 2012. 590 p. ISBN: 9780199645336
- B.I. Shklovskii, A.L. Efros. Electronic Properties of Doped Semiconductors. Springer, Berlin, Heidelberg (1984). 393 p. ISBN: 978-3-662-02403-4
- M. Pollak. Phil. Mag. 23, 519 (1971). https://doi.org/10.1080/14786437108216402
- В.В. Пасынков, В.С. Сорокин. Материалы электронной техники. Высш. шк., М. (1986). 368 с.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
