Вышедшие номера
Home » Физика твердого тела » Год 2022, выпуск 2 » Статья стр. 228
<<<>>>
Изменение структуры и люминесцентных свойств пленок ZnSe и ZnCdSe при облучении электронным пучком
DOI: 10.21883/FTT.2022.02.51934.219
Переводная версия: 10.21883/PSS.2022.02.52971.219
Кравец В.A.1, Дементьева Е.В.1, Ситникова А.А.1, Седова И.В.1, Заморянская М.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: vladislav2033@yandex.ru
Поступила в редакцию: 7 октября 2021 г.
В окончательной редакции: 7 октября 2021 г.
Принята к печати: 10 октября 2021 г.
Выставление онлайн: 16 ноября 2021 г.
PDF версия
Исследовались слои ZnSe и ZnCdxSe (x ~ 0.32-0.35), выращенные на подложках GaAs (001) методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Изучалось влияние электронного пучка на изменения кристаллической структуры изучаемых образцов и люминесцентные свойства. Исследования проводились методами катодолюминесценции, просвечивающей электронной микроскопии и методом рентгеноспектрального микроанализа. Установлено, что в результате облучения образцов в просвечивающем электронном микроскопе происходит отжиг дефектов упаковки, сопровождаемый образованием преципитатов ZnO c гексагональной кристаллической структурой. Облучение образцов в катодолюминесцентной установке приводит к уменьшению интенсивности катодолюминесценции исследуемых слоев ZnSe и ZnCdxSe из-за радиационно-стимулированных процессов деградации. Ключевые слова: точечные дефекты, облучение электронным пучком, катодолюминесценция, структурные изменения.
  1. Ю.Ю. Логинов, Пол Д. Браун, Кен Дьюроуз. Закономерности образования структурных дефектов в полупроводниках А2В6. Логос, М. (2003). 304 с
  2. S. Gundel, D. Albert, J. Nurnberger, W. Faschinger. Phys. Rev. B 60, R16271 (1999)
  3. S.V. Sorokin, I.V. Sedova, S.V. Gronin, G.V. Klimko, K.G. Belyaev, S.V. Ivanov, A. Alyamani, E.V. Lutsenko, A.G. Vainilovich, G.P. Yablonskii. Electron. Lett. 48, 2, 118 (2012)
  4. A.G. Vainilovich, E.V. Lutsenko, V.N. Pavlovskii, G.P. Yablonskii, A. Alyamani, M. Aljohenii, A. Aljerwii, S.V. Gronin, S.V. Sorokin, I.V. Sedova, S.V. Ivanov. Phys. Status Solidi B 253, 8, 1498(2016)
  5. M.M. Zverev, S.V. Sorokin, N.A. Gamov, E.V. Zhdanova, V.B. Studionov, I.V. Sedova, S.V. Gronin, S.V. Ivanov. Phys. Status Solidi C 13, 7-9, 661 (2016)
  6. М.М. Зверев, Н.А. Гамов, Е.В. Жданова, Д.В. Перегудов, В.Б. Студенов, С.В. Иванов, И.В. Седова, С.В. Сорокин, С.В. Гронин, П.С. Копьев. Письма в ЖТФ 33, 24, 1 (2007)
  7. M.M. Zverev, N.A. Gamov, E.V. Zdanova, V.N. Studionov, D.V. Peregoudov, S.V. Sorokin, I.V. Sedova, S.V. Gronin, P.S. Kop'ev, I.M. Olikhov, S.V. Ivanov. Phys. Status Solidi B 247, 6, 1561 (2010)
  8. М.М. Зверев, Н.А. Гамов, Е.В. Жданова, Д.В. Перегудов, В.Б. Студенов, С.В. Гронин, И.В. Седова, С.В. Сорокин, С.В. Иванов. Поверхность 1, 27 (2013)
  9. M.V. Zamoryanskaya, S.G. Konnikov, A.N. Zamoryanskii Instrum. Exp. Tech. 4, 477 (2004)
  10. L.V. Borkovska, N.O. Korsunska, V.I. Kushnirenco. Semicond. Phys. 6, 3, 294 (2003)
  11. K.M. Lee, D. Le Si, G.D. Watkins. Solid State Commun. 35, 7, 527(1980)
  12. К.Н. Орехова, Ю.М. Серов, П.А. Дементьев, Е.В. Иванова, В.А. Кравец, В.П. Усачева, М.В. Заморянская. ЖТФ 89, 9, 1412 (2009)
  13. A.Yu. Mester, A.N. Trofimov, M.V. Zamoryanskaya, A.M. D'yakonov. Tech. Phys. 59, 10, 1536 (2014)
  14. Х. Кейси, М. Паниш. Лазеры на гетероструктурах. Мир, М. (1981). Т. 2. 358 с
  15. Е.В. Иванова, М.В. Заморянская. ФТТ 58, 1895 (2016)
  16. A.A. Shakhmin, I.V. Sedova, S.V. Sorokin, H.-J. Fitting, M.V. Zamoryanskaya. Physica B: Condens. Matter 404, 23-24, 5016 (2009).
  17. Б.И. Болтакс. Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках. Наука, Л. (1972). 384 с
  18. Л.А. Бакалейников, Е.В. Галактионов, В.В. Третьяков, Э.А. Тропп. ФТТ 43, 5, 779 (2001)
  19. М.В. Заморянская, Е.В. Иванова, А.А. Ситникова. ФТТ 53, 7, 1399 (2011)
  20. Г.Н. Дульнев, Ю.П. Заричняк. Теплопроводность смесей и композиционных материалов. Энергия, Л. (1974). 264 с
  21. T. Yokogawa, P.D. Floyd, J.L. Merz, H. Luo, J.K. Furdyna. J. Cryst. Growth 138, 564 (1994)
  22. T. Yokogawa, J.L. Merz, H. Luo, J.K. Furdyna, S. Lau, M. Kuttler, D. Bimberg. Jpn. J. Appl. Phys. 34, 1159 (1995)
  23. В.С. Вавилов, А.Е. Кив, О.Р. Ниязова. Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках. Наука, М. (1981).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2023 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme