Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Изменение структуры и люминесцентных свойств пленок ZnSe и ZnCdSe при облучении электронным пучком
Переводная версия: 10.21883/PSS.2022.02.52971.219 
Кравец В.A.1, Дементьева Е.В.1, Ситникова А.А.1, Седова И.В.1, Заморянская М.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Email: vladislav2033@yandex.ru
Поступила в редакцию: 7 октября 2021 г.
В окончательной редакции: 7 октября 2021 г.
Принята к печати: 10 октября 2021 г.
Выставление онлайн: 16 ноября 2021 г.
Исследовались слои ZnSe и ZnCdxSe (x ~ 0.32-0.35), выращенные на подложках GaAs (001) методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Изучалось влияние электронного пучка на изменения кристаллической структуры изучаемых образцов и люминесцентные свойства. Исследования проводились методами катодолюминесценции, просвечивающей электронной микроскопии и методом рентгеноспектрального микроанализа. Установлено, что в результате облучения образцов в просвечивающем электронном микроскопе происходит отжиг дефектов упаковки, сопровождаемый образованием преципитатов ZnO c гексагональной кристаллической структурой. Облучение образцов в катодолюминесцентной установке приводит к уменьшению интенсивности катодолюминесценции исследуемых слоев ZnSe и ZnCdxSe из-за радиационно-стимулированных процессов деградации. Ключевые слова: точечные дефекты, облучение электронным пучком, катодолюминесценция, структурные изменения.
- Ю.Ю. Логинов, Пол Д. Браун, Кен Дьюроуз. Закономерности образования структурных дефектов в полупроводниках А2В6. Логос, М. (2003). 304 с
- S. Gundel, D. Albert, J. Nurnberger, W. Faschinger. Phys. Rev. B 60, R16271 (1999)
- S.V. Sorokin, I.V. Sedova, S.V. Gronin, G.V. Klimko, K.G. Belyaev, S.V. Ivanov, A. Alyamani, E.V. Lutsenko, A.G. Vainilovich, G.P. Yablonskii. Electron. Lett. 48, 2, 118 (2012)
- A.G. Vainilovich, E.V. Lutsenko, V.N. Pavlovskii, G.P. Yablonskii, A. Alyamani, M. Aljohenii, A. Aljerwii, S.V. Gronin, S.V. Sorokin, I.V. Sedova, S.V. Ivanov. Phys. Status Solidi B 253, 8, 1498(2016)
- M.M. Zverev, S.V. Sorokin, N.A. Gamov, E.V. Zhdanova, V.B. Studionov, I.V. Sedova, S.V. Gronin, S.V. Ivanov. Phys. Status Solidi C 13, 7-9, 661 (2016)
- М.М. Зверев, Н.А. Гамов, Е.В. Жданова, Д.В. Перегудов, В.Б. Студенов, С.В. Иванов, И.В. Седова, С.В. Сорокин, С.В. Гронин, П.С. Копьев. Письма в ЖТФ 33, 24, 1 (2007)
- M.M. Zverev, N.A. Gamov, E.V. Zdanova, V.N. Studionov, D.V. Peregoudov, S.V. Sorokin, I.V. Sedova, S.V. Gronin, P.S. Kop'ev, I.M. Olikhov, S.V. Ivanov. Phys. Status Solidi B 247, 6, 1561 (2010)
- М.М. Зверев, Н.А. Гамов, Е.В. Жданова, Д.В. Перегудов, В.Б. Студенов, С.В. Гронин, И.В. Седова, С.В. Сорокин, С.В. Иванов. Поверхность 1, 27 (2013)
- M.V. Zamoryanskaya, S.G. Konnikov, A.N. Zamoryanskii Instrum. Exp. Tech. 4, 477 (2004)
- L.V. Borkovska, N.O. Korsunska, V.I. Kushnirenco. Semicond. Phys. 6, 3, 294 (2003)
- K.M. Lee, D. Le Si, G.D. Watkins. Solid State Commun. 35, 7, 527(1980)
- К.Н. Орехова, Ю.М. Серов, П.А. Дементьев, Е.В. Иванова, В.А. Кравец, В.П. Усачева, М.В. Заморянская. ЖТФ 89, 9, 1412 (2009)
- A.Yu. Mester, A.N. Trofimov, M.V. Zamoryanskaya, A.M. D'yakonov. Tech. Phys. 59, 10, 1536 (2014)
- Х. Кейси, М. Паниш. Лазеры на гетероструктурах. Мир, М. (1981). Т. 2. 358 с
- Е.В. Иванова, М.В. Заморянская. ФТТ 58, 1895 (2016)
- A.A. Shakhmin, I.V. Sedova, S.V. Sorokin, H.-J. Fitting, M.V. Zamoryanskaya. Physica B: Condens. Matter 404, 23-24, 5016 (2009).
- Б.И. Болтакс. Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках. Наука, Л. (1972). 384 с
- Л.А. Бакалейников, Е.В. Галактионов, В.В. Третьяков, Э.А. Тропп. ФТТ 43, 5, 779 (2001)
- М.В. Заморянская, Е.В. Иванова, А.А. Ситникова. ФТТ 53, 7, 1399 (2011)
- Г.Н. Дульнев, Ю.П. Заричняк. Теплопроводность смесей и композиционных материалов. Энергия, Л. (1974). 264 с
- T. Yokogawa, P.D. Floyd, J.L. Merz, H. Luo, J.K. Furdyna. J. Cryst. Growth 138, 564 (1994)
- T. Yokogawa, J.L. Merz, H. Luo, J.K. Furdyna, S. Lau, M. Kuttler, D. Bimberg. Jpn. J. Appl. Phys. 34, 1159 (1995)
- В.С. Вавилов, А.Е. Кив, О.Р. Ниязова. Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках. Наука, М. (1981).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
