Структурные и электронные свойства нового соединения SrOs2O6*
Российский научный фонд, 20-62-46047
Министерство образования и науки Российской Федераци, FEUZ-2020-0054
Агзамова П.А.1,2, Стрельцов С.В.1,2
1Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
2Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина, Екатеринбург, Россия
Email: polly@imp.uran.ru
Поступила в редакцию: 8 июля 2021 г.
В окончательной редакции: 13 июля 2021 г.
Принята к печати: 16 июля 2021 г.
Выставление онлайн: 22 октября 2021 г.
Теоретически показана возможность существования нового соединения SrOs2O6, кристаллическая структура которого состоит из слоев октаэдров OsO6, связанных через общие ребра и формирующие решетку типа пчелиные соты. Исследованы структурные и электронные свойства SrOs2O6 с помощью расчетов в рамках теории функционала плотности. Показано, что энергетически выгодной для исследуемого соединения является антиферромагнитная структура. Ключевые слова: ab initio расчеты, низкоразмерный магнетизм, зонная структура.
- S.M. Winter, A.A. Tsirlin, M. Daghofer, J. van den Brink, Y. Singh, P. Gegenwart, R. Valenti. J. Phys. Condens. Matter 29, 493002 (2017)
- H. Takagi, T. Takayama, G. Jackeli, G. Khaliullin, S.E. Nagler. Nature Rev. Phys. 1, 264 (2019)
- D.I. Khomskii, S.V. Streltsov. Chem. Rev. 121, 2992 (2021)
- S.A.J. Kimber, I.I. Mazin, J. Shen, H.O. Jeschke, S.V. Streltsov, D.N. Argyriou, R. Valenti, D.I. Khomskii. Phys. Rev. B 89, 081408 (2014)
- Z.V. Pchelkina, A.L. Pitman, A. Moewes, E.Z. Kurmaev, T.-Y. Tan, D.C. Peets, J.-G. Park, S.V. Streltsov. Phys. Rev. B 91, 115138 (2015)
- J. Park, T. Tan, D.T. Adroja, A. Daoud-Aladine, S. Choi, D. Cho, S. Lee, J. Kim, H. Sim, T. Morioka, H. Nojiri, V.V Krishnamurthy, P. Manuel, M.R. Lees, S.V. Streltsov, D.I. Khomskii, J.-G. Park. Sci. Rep. 6, 25238 (2016)
- I.I. Mazin, H.O. Jeschke, K. Foyevtsova, R. Valenti, D.I. Khomskii. Phys. Rev. Lett. 109, 197201 (2012)
- Z.V. Pchelkina, S.V. Streltsov, I.I. Mazin. Phys. Rev. B 94, 205148 (2016)
- S.V. Streltsov. Phys. Met. Metallogr. 119, 1276 (2018)
- S. Streltsov, I.I. Mazin, K. Foyevtsova. Phys. Rev. B 92, 134408 (2015)
- C.I. Hiley, M.R. Lees, J.M. Fisher, D. Thompsett, S. Agrestini, R.I. Smith, R.I. Walton. Angew. Chem. Int. Ed. 53, 4423 (2014)
- W. Tian, C. Svoboda, M. Ochi, M. Matsuda, H.B. Cao, J. Cheng, B.C. Sales, D.G. Mandrus, R. Arita, N. Trivedi, J. Yan. Phys. Rev. B 92, 100404 (2015)
- H. Suzuki, H. Gretarsson, H. Ishikawa, K. Ueda, Z. Yang, H. Liu, H. Kim, D. Kukusta, A. Yaresko, M. Minola, J.A. Sears, S. Francoual, H. Wille, J. Nuss, H. Takagi, B.J. Kim, G. Khaliullin, H. Yava s, B. Keimer. Nature Mater. 18, 563 (2019)
- Y.S. Ponosov, E.V Komleva, D.A. Zamyatin, R.I. Walton, S.V Streltsov. Phys. Rev. B 99, 85103 (2019)
- B.E. Prasad, S. Kanungo, M. Jansen, A.C. Komarek, B. Yan, P. Manuel, C. Felser. Chem. Eur. J. 23, 1521 (2017)
- W. Schnelle, B.E. Prasad, C. Felser, M. Jansen, E.V. Komleva, S.V. Streltsov, I.I. Mazin, D. Khalyavin, P. Manuel, S. Pal, D.V.S. Muthu, A.K. Sood, E.S. Klyushina, B. Lake, J.-C. Orain, H. Luetkens. arXiv:2103.04815
- W.A. Harrison. Elementary Electronic Structure. World Scientific, Singapore (1999)
- С.В. Стрельцов, Д.И. Хомский. 187, Журн. УФН 1205 (2017)
- G. Kresse, J. Hafner. Phys. Rev. B 47 558 (1993)
- J.P. Perdew, K. Burke, M. Ernzerhof. Phys. Rev. Lett. 77, 3865 (1996)
- H. Monkhorst, J. Pack. Phys.Rev. B 13, 5188 (1976)
- G. Kresse, D. Joubert. Phys. Rev. B 59, 1758 (1999)
- J.D. Bernal, E. Djatlowa, I. Kasarnowsky, S. Reichstein, A.G. Ward. Z. Kristallogr. Cryst. Mater. 92, 344--354 (1935)
- Y.C. Venudhar, L. Iyengar, K.V. Krishna Rao. Cryst. Res. Technol. 20, 1393 (1985)
- R.M. Martin. Electronic Structure: Basic Theory and Practical Methods. Cambridge University Press, Cambridge (2004)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.