Вышедшие номера
Структурные и электронные свойства нового соединения SrOs2O6*
Российский научный фонд, 20-62-46047
Министерство образования и науки Российской Федераци, FEUZ-2020-0054
Агзамова П.А.1,2, Стрельцов С.В.1,2
1Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
2Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина, Екатеринбург, Россия
Email: polly@imp.uran.ru
Поступила в редакцию: 8 июля 2021 г.
В окончательной редакции: 13 июля 2021 г.
Принята к печати: 16 июля 2021 г.
Выставление онлайн: 22 октября 2021 г.

Теоретически показана возможность существования нового соединения SrOs2O6, кристаллическая структура которого состоит из слоев октаэдров OsO6, связанных через общие ребра и формирующие решетку типа пчелиные соты. Исследованы структурные и электронные свойства SrOs2O6 с помощью расчетов в рамках теории функционала плотности. Показано, что энергетически выгодной для исследуемого соединения является антиферромагнитная структура. Ключевые слова: ab initio расчеты, низкоразмерный магнетизм, зонная структура.
  1. S.M. Winter, A.A. Tsirlin, M. Daghofer, J. van den Brink, Y. Singh, P. Gegenwart, R. Valenti. J. Phys. Condens. Matter 29, 493002 (2017)
  2. H. Takagi, T. Takayama, G. Jackeli, G. Khaliullin, S.E. Nagler. Nature Rev. Phys. 1, 264 (2019)
  3. D.I. Khomskii, S.V. Streltsov. Chem. Rev. 121, 2992 (2021)
  4. S.A.J. Kimber, I.I. Mazin, J. Shen, H.O. Jeschke, S.V. Streltsov, D.N. Argyriou, R. Valenti, D.I. Khomskii. Phys. Rev. B 89, 081408 (2014)
  5. Z.V. Pchelkina, A.L. Pitman, A. Moewes, E.Z. Kurmaev, T.-Y. Tan, D.C. Peets, J.-G. Park, S.V. Streltsov. Phys. Rev. B 91, 115138 (2015)
  6. J. Park, T. Tan, D.T. Adroja, A. Daoud-Aladine, S. Choi, D. Cho, S. Lee, J. Kim, H. Sim, T. Morioka, H. Nojiri, V.V Krishnamurthy, P. Manuel, M.R. Lees, S.V. Streltsov, D.I. Khomskii, J.-G. Park. Sci. Rep. 6, 25238 (2016)
  7. I.I. Mazin, H.O. Jeschke, K. Foyevtsova, R. Valenti, D.I. Khomskii. Phys. Rev. Lett. 109, 197201 (2012)
  8. Z.V. Pchelkina, S.V. Streltsov, I.I. Mazin. Phys. Rev. B 94, 205148 (2016)
  9. S.V. Streltsov. Phys. Met. Metallogr. 119, 1276 (2018)
  10. S. Streltsov, I.I. Mazin, K. Foyevtsova. Phys. Rev. B 92, 134408 (2015)
  11. C.I. Hiley, M.R. Lees, J.M. Fisher, D. Thompsett, S. Agrestini, R.I. Smith, R.I. Walton. Angew. Chem. Int. Ed. 53, 4423 (2014)
  12. W. Tian, C. Svoboda, M. Ochi, M. Matsuda, H.B. Cao, J. Cheng, B.C. Sales, D.G. Mandrus, R. Arita, N. Trivedi, J. Yan. Phys. Rev. B 92, 100404 (2015)
  13. H. Suzuki, H. Gretarsson, H. Ishikawa, K. Ueda, Z. Yang, H. Liu, H. Kim, D. Kukusta, A. Yaresko, M. Minola, J.A. Sears, S. Francoual, H. Wille, J. Nuss, H. Takagi, B.J. Kim, G. Khaliullin, H. Yava s, B. Keimer. Nature Mater. 18, 563 (2019)
  14. Y.S. Ponosov, E.V Komleva, D.A. Zamyatin, R.I. Walton, S.V Streltsov. Phys. Rev. B 99, 85103 (2019)
  15. B.E. Prasad, S. Kanungo, M. Jansen, A.C. Komarek, B. Yan, P. Manuel, C. Felser. Chem. Eur. J. 23, 1521 (2017)
  16. W. Schnelle, B.E. Prasad, C. Felser, M. Jansen, E.V. Komleva, S.V. Streltsov, I.I. Mazin, D. Khalyavin, P. Manuel, S. Pal, D.V.S. Muthu, A.K. Sood, E.S. Klyushina, B. Lake, J.-C. Orain, H. Luetkens. arXiv:2103.04815
  17. W.A. Harrison. Elementary Electronic Structure. World Scientific, Singapore (1999)
  18. С.В. Стрельцов, Д.И. Хомский. 187, Журн. УФН 1205 (2017)
  19. G. Kresse, J. Hafner. Phys. Rev. B 47 558 (1993)
  20. J.P. Perdew, K. Burke, M. Ernzerhof. Phys. Rev. Lett. 77, 3865 (1996)
  21. H. Monkhorst, J. Pack. Phys.Rev. B 13, 5188 (1976)
  22. G. Kresse, D. Joubert. Phys. Rev. B 59, 1758 (1999)
  23. J.D. Bernal, E. Djatlowa, I. Kasarnowsky, S. Reichstein, A.G. Ward. Z. Kristallogr. Cryst. Mater. 92, 344--354 (1935)
  24. Y.C. Venudhar, L. Iyengar, K.V. Krishna Rao. Cryst. Res. Technol. 20, 1393 (1985)
  25. R.M. Martin. Electronic Structure: Basic Theory and Practical Methods. Cambridge University Press, Cambridge (2004)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.