Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Особенности формирования пентагональных микрокристаллов никеля в сплошных электроосажденных покрытиях при избирательном ингибировании роста их отдельных граней
Матвеева Н.С.1, Грызунова Н.Н.
1, Ясников И.С.
1
1Тольяттинский государственный университет, Тольятти, Россия 
Email: nad.matveeva96@mail.ru, gryzunova-natalja@yandex.ru, yasnikov@phystech.edu
Поступила в редакцию: 15 июля 2021 г.
В окончательной редакции: 15 июля 2021 г.
Принята к печати: 17 июля 2021 г.
Выставление онлайн: 14 сентября 2021 г.
Представлены экспериментальные факты, свидетельствующие о возможности управления габитусом микрокристаллов, которые являются структурными единицами электроосажденных никелевых покрытий. Введение добавок (ингибиторов) в электролит определенного химического состава оказывает влияние на конкуренцию в эволюции отдельных кристаллографических граней растущих микрокристаллов, и инициирует рост граней микрокристаллов с определенной кристаллографической ориентацией. Это приводит к получению никелевого покрытия преимущественно состоящего из микрокристаллов, содержащих дефекты дисклинационного типа и обладающих пентагональной симметрией. Ключевые слова: никель, покрытие, электроосаждение, дисклинация, релаксация.
- V.G. Gryaznov, J. Heidenreich, A.M. Kaprelov, S.A. Nepijko, A.E. Romanov, J. Urban. Cryst. Res. Technology 34, 9, 1091 (1999)
- L.D. Marks. Rep. Prog. Phys. 57, 6, 603 (1994)
- A.E. Romanov, A.L. Kolesnikova. Prog. Mater. Sci. 54, 6, 740 (2009)
- V.G. Gryaznov, A.M. Kaprelov, A.E. Romanov, I.A. Polonskii. Phys. Status Solidi B 167, 2, 441 (1991)
- И.С. Ясников. ЖТФ 77, 5, 133 (2007). [I.S. Yasnikov. Tech. Phys. 52, 5, 666 (2007).]
- A.E. Romanov, A.L. Kolesnikova, I.S. Yasnikov, A.A. Vikarchuk, M.V. Dorogov, A.N. Priezzheva, L.M. Dorogin, E.C. Aifantis. Rev. Adv. Mater. Sci. 48, 2, 170 (2017)
- J. Bebczuk de Cusminsky. Scripta Metallurg. 10, 12, 1071 (1976)
- А.А. Викарчук, А.П. Воленко. ФТТ 47, 2, 339 (2005). [A.A. Vikarchuk, A.P. Volenko. Phys. Solid State 47, 2, 352 (2005).]
- И.С. Ясников, Ю.Д. Гамбург, П.Э. Прохоров. Электрохимия 46, 5, 556 (2010). [I.S. Yasnikov, Yu.D. Gamburg, P.E. Prokhorov. Russ. J. Electrochem. 46, 5, 524 (2010).]
- И.С. Ясников. ФТТ 53, 9, 1815 (2011). [I.S. Yasnikov. Phys. Solid State 53, 9, 1917 (2011).]
- И.С. Ясников, Д.А. Денисова. Письма в ЖЭТФ 95, 5, 270 (2012). [I.S. Yasnikov, D.A. Denisova. JETP Lett. 95, 5, 246 (2012).]
- И.С. Ясников, Д.А. Денисова. ФТТ 55, 3, 585 (2013). [I.S. Yasnikov, D.A. Denisova. Phys. Solid State 55, 3, 642 (2013).]
- C.R. Hall, S.A.H. Fawzi. Phil. Mag. A 54, 6, 805 (1986)
- Tao Hang, Ming Li, Qin Fei, Dali Mao. Nanotechnology 19, 3, 035201 (2008)
- Liuyang Bai, Junmei Fan, Yuebin Cao, Fangli Yuan, Ahui Zuo, Qing Tang. J. Cryst. Growth 311, 2474 (2009)
- Tao Hang, Huiqin Ling, Anmin Hu, Ming Li. J. Electrochem. Soc. 157, 12, D624 (2010)
- K.P. Donegan, J.F. Godsell, J.M. Tobin, J.P. O'Byrne, D.J. Otway, M.A. Morris, S. Roy, J.D. Holmes. Cryst. Eng. Commun. 13, 2023 (2011).
- Ю.И. Головин, Д.Ю. Головин, А.В. Шуклинов, Р.А. Столяров, В.М. Васюков. Письма в ЖТФ 37, 6, 21 (2011). [Yu.I. Golovin, D.Yu. Golovin, A.V. Shuklinov, R.A. Stolyarov, V.M. Vasyukov. Techn. Phys. Lett. 37, 3, 253 (2011).]
- Ю.И. Головин, Р.А. Столяров, А.В. Шуклинов. ЖТФ 83, 8, 105 (2013). [Yu.I. Golovin, R.A. Stolyarov, A.V. Shuklinov. Tech. Phys. 58, 8, 1189 (2013).]
- Jae Min Lee, Kyung Kuk Jung, Sung Ho Lee, Jong Soo Ko. Appl. Surface Sci. 369, 163 (2016)
- Jae Min Lee, Kyung Kuk Jung, Jong Soo Ko. J. Mater. Sci. 51, 3036 (2016).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
