Вышедшие номера
Роль диффузии фотовозбужденных электронов из сильнолегированных слоев в фотопроводимости гетероструктур AlAs/GaAs
Министерство образования и науки Российской Федерации, на основе госзадания, 075-00355-21-00
Вдовин Е.Е.1, Ханин Ю.Н.1
1Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, Черноголовка, Московская обл., Россия
Email: vdov62@yandex.ru
Поступила в редакцию: 29 июля 2021 г.
В окончательной редакции: 29 июля 2021 г.
Принята к печати: 4 августа 2021 г.
Выставление онлайн: 14 сентября 2021 г.

На основе исследования фотопроводимости в p-i-n-гетероструктурах GaAs/AlAs в видимом световом диапазоне показана доминирующая роль канала диффузии фотовозбужденных электронов из сильнолегированных слоев в процессе формирования осцилляций фототока от напряжения смещения и определяющий вклад этого канала в полный ток через структуру. Рассмотрена качественная модель транспорта возбужденных носителей, предполагающая диффузионный канал как основной источник фотоосцилляций. Ключевые слова: гетероструктуры, фотопропроводимость.