Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние буферного слоя PZT на электрофизические свойства МДМ-структур с пленкой BST
Переводная версия: 10.21883/PSS.2022.13.54696.161 
1Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Фрязино, Россия 
2Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", Москва, Россия
2Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", Москва, Россия
Email: gvc@ms.ire.mssi.ru
Поступила в редакцию: 5 июля 2021 г.
В окончательной редакции: 5 июля 2021 г.
Принята к печати: 7 июля 2021 г.
Выставление онлайн: 10 августа 2021 г.
Пленки состава Ba0.8Sr0.2TiO3 (BST) синтезированы методом высокочастотного (ВЧ) распыления на буферный слой сегнетоэлектрической пленки состава PbZrxTi1-xO3 (PZT). Представлены сравнительные результаты электрофизических свойств трех различных МДМ-структур: Pt/BST/Ni, Pt/PZT/Ni и Pt/PZT-BST/Ni. Ключевые слова: структуры металл-диэлектрик-металл, сегнетоэлектрические пленки состава Ba0.8Sr0.2TiO3, буферный слой, электрофизические свойства.
- В. Piekarski, M. Dubey, D. De Voe, E. Zakar, R. Zeto, J. Conrad, R. Piekarz, M. Ervin. Integrated Ferroelectrics 24, 147 (1999)
- E. Zakar, M. Dubey, B. Piekarski, J. Conrad, R. Piekarz, R.J. Widuta. Vac. Sci. Technol. 19, 1, 345 (2001)
- S. Gevorgian. Ferroelectrics in Microwave Devices. Circuits and Systems. Springer, N. Y. (2009). 365 p
- N. Setter, D. Damjanovic, L. Eng, G. Fox, S. Gevorgian, S. Hong, A. Kingon, H. Kohlstedt, N.Y. Park, G.B. Stephenson, I. Stolitchnov, A.K. Taganstev, D.V. Taylor, T. Yamada, S. Streiffer. J. Appl. Phys. 100, 051606 (2006)
- F.-C. Sun, M.T. Kesim, Y. Espinal, S.P. Alpay. J. Mater. Sci. 51, 499 (2016)
- L.W. Martin, A.M. Rappe. Nature Rev. Mater. 2, 16087 (2017)
- C.L. Chen, J. Shen, S.Y. Chen, G.P. Luo, C.W. Chu, F.A. Miranda, F.W. Van Keuls, J.C. Jiang, E.I. Meletis, H.Y. Chang. Appl. Phys. Lett. 78, 652 (2001)
- T. Kawakubo, S. Komatsu, K. Abe, K. Sano, N. Yanase, N. Fukushima. Jpn. J. Appl. Phys. 37, 5108 (1998)
- J. Vukmirovic, A. Nesterovic, I. Stijepovic, M. Milanovic, N. Omerovic, B. Bajac, J. Bobic, V. V. Srdic. J. Mater. Sci. Mater. Electron. 30, 14995 (2019)
- X.Y. Chen, Z.P. Xu, D.X. Yan, Y.S. Fan, J.G. Zhu, P. Yu. J. Alloys Compd. 695, 1913 (2017)
- P. Gardes, M. Diatta, M. Proust, E. Bouyssou, P. Poveda. J. Appl. Phys. 129, 214101 (2021)
- С.П. Зинченко, Д.В. Стрюков, А.В. Павленко, В.М. Мухортов. ЖТФ 46, 41 (2020)
- C.-S. Park, S.-M. Lee, H.-E. Kim. J. Am. Cer. Soc. 90, 9, 2923 (2008)
- М. Лайнс, А. Гласс. Сегнетоэлектрики и родственные материалы / Под ред. В.В. Леманова, Г.А. Смоленского. Мир, М. (1981). 736 с
- В.A. Tuttle, R.W. Schwartz. MRS Bull. 21, 6, 49 (1996)
- М.С. Афанасьев, Д.А. Киселев, С.А. Левашов, В.А. Лузанов, А. Набиев, В.Г. Нарышкина, А.А. Сивов, Г.В. Чучева. ФТТ 60, 5, 951 (2018)
- Е.И. Гольдман, А.Г. Ждан, Г.В. Чучева. ПТЭ 6, 110 (1997)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
